| 主权项 |
1.一种于一半导体晶片之基材(substrate)表面制造一金属氧化半导体(metal oxide semi-conductor,简称MOS)电晶体的方法,其包含有:于该基材表面形成一近似长方形之闸极;于该闸极两侧之垂直侧壁与该基材表面间之角落各形成一侧壁子(spacer);对该基材表面邻近该二侧壁子之预定区域进行第一次离子布植(ion implant)以形成一源极(source)以及一汲极(drain);对该半导体晶片实施第一次热处理(thermal annealing);去除该闸极两侧之侧壁子;对该基材表面进行第二次离子布植以使该二侧壁子下方之基材表面各形成一导电层,该二导电层系分别与该源极及汲极相互电连接;以及对该半导体晶片实施第二次热处理以使该第二次离子布植于该二导电层内所布植之布植物活化。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一次热处理之温度系设定于900℃-1100℃之间,其加热时间为10-30秒钟。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二次热处理系为一尖峰式快速热制程(spike rapidthermal processing),其包含有下列步骤:将该半导体晶片快速加温至一预定温度后便立刻停止加热使该半导体晶片冷却。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该预定温度系800-1100℃。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该二侧壁子系为氮化矽(silicon nitride)所组成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中于去除该闸极两侧之侧壁子前,该方法另包含有下列步骤:于该闸极、源极与汲极表面形成一金属矽化物(silicide)层以降低该闸极、源极与汲极之电阻値。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该金属矽化物层系由WSix,TiSi2.MoSi2或CoSi2所形成。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该金属矽化物层系利用金属矽化物之自行对准法(self-aligned silicidation)所形成。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该闸极包含有一闸极绝缘层设于该基材表面之上,以及一闸极导电层设于该闸极绝缘层之上。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该闸极绝缘层系由氧化矽所构成。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该闸极导电层系由多晶矽所构成。图式简单说明:第一图为习知半导体晶片之MOS电晶体的示意图。第二图与第三图为本发明半导体晶片之MOS电晶体的制程示意图。第四图为本发明之MOS电晶体制程的流程图。第五图至第六图为本发明半导体晶片之MOS电晶体之另一实施例的制程示意图。 |
