发明名称 倍半矽氧烷或矽氧烷树脂及矽酮溶剂之稳定涂料组合物,阻碍聚合物分子量增加之方法及于基材上形成涂层之方法
摘要 倍半矽氧烷和矽氧烷聚合物之储存溶液是藉含矽之溶剂组合物来获得。此溶液含至少一种聚合物,其化学式为[(HSiO1.5)xOy]n,(HSiO1.5)n,[(HSiO1.5)xOy(RSiO1.5)z]n,[(HSiO1.5)x(RSiO1.5)y]n或[(HSiO1.5)xOy(RSiO1.5)z]n,其中x=约6到约20,y=1到约3,z=约6到约20,n=1到约4,000,且每一个R是独立的H、C1到C8烷基或C6到C12芳香基。此溶剂有下列之化学式,(CH3)3Si-O-[Si(CH3)2]a-Si(CH3)3,(CH3CH2)Si-O-[Si(CH3CH2)2]a-SiCH3CH2)3,R3Si-O-[SiR'2]a-SiR3,[O-Si(CH3)2]b,[O-Si(CH3CH2)2]b或[O-SiR'2]n,其中a=0-5,b=3-5,其中每一个R’是独立的H或C1到C8烷基。
申请公布号 TW428016 申请公布日期 2001.04.01
申请号 TW086116080 申请日期 1997.10.29
申请人 联合标志公司 发明人 尼格P.海克;泰德克拉杰威斯基;史考特利非兹;葛瑞大卫斯
分类号 C09D183/00 主分类号 C09D183/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种稳定的涂料组合物,其包括至少一种聚合物溶液,该聚合物系具有选自下列之化学式:[(HSiO1.5)xOy]n,[(HSiO1.5)x(RSiO1.5)y]n以及(HSiO1.5)xOy(RSiO1.5)z]n,其中x=6到20,y=1到3,z=6到20,n=1到4,000,且各个R分别系H,C1到C8烷基或C6到C12芳基,且至少一种溶剂系选自由(CH3)3Si-O-[Si(CH3)2]a-Si(CH3)3,(CH3CH2)Si-O-[Si(CH3CH2)2]a-SiCH3CH2)3,R3Si-O-[SiR'2]a-SiR3,[O-Si(CH3)2]b以及[O-Si(CH3CH2)2]b所组成之群,其中a=0-5,b=3-5,而各个R'分别为H或C1到C8烷基。2.根据申请专利范围第1项的组合物,其中n的范围由100到800。3.根据申请专利范围第1项的组合物,其中聚合物的化学式为[(HSiO1.5)x(RSiO1.5)y]n。4.根据申请专利范围第1项的组合物,其中该溶剂包括一或多种组份,其系选自包括十甲基四矽氧烷、1,3-二辛基四甲基二矽氧烷、八甲基三矽氧烷、五甲基二矽氧烷、六甲基二矽氧烷、1,1,3,3,5,5,-六甲基三矽氧烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-双-(三甲基矽氧基)-1,3-二甲基矽氧烷、双-(三甲基矽氧基)乙基矽烷、双(三甲基矽氧基)甲基矽烷、十甲基四矽氧烷,十二甲基五矽氧烷、1,1,1,3,3,5,5,-七甲基三矽氧烷、六乙基二矽氧烷、七甲基三矽氧烷、1,1,3,3,-四异丙基二矽氧烷,十四基环五矽氧烷、六乙基环三矽氧烷、六甲基环三矽氧烷、1,3,5,7-四甲基环四矽氧烷、五甲基环五矽氧烷、八甲基环四矽氧烷、化学式为(CH3HSiO)3-5之甲基氢化环矽氧烷、1,3,5,7,四乙基环四矽氧烷以及1,3,5,7四甲基环四矽氧烷。5.根据申请专利范围第1项的组合物,其中溶剂包括一或多种组份,其系选自包括十甲基环五矽氧烷,八甲基环四矽氧烷,八甲基三矽氧烷以及四甲基二矽氧烷。6.根据申请专利范围第1项的组合物,其中聚合物的量为组合物重量之由10重量%到30重量%,溶剂的量为组合物重量之由70重量%到90重量%。7.一种阻碍至少一种聚合物分子量增加之方法,该聚合物具有选自下列之分子式:[(HSiO1.5)xOy]n,[(HSiO1.5)x(RSiO1.5)y]n以及(HSiO1.5)xOy(RSiO1.5)z]n,其中x=6到20,y=1到3,z=6到20,n=1到4,000,且各个R分别为H、C1到C8烷基或C6到C12芳基,该方法包括形成一聚合物及至少一种溶剂之溶液,其中该溶剂系选自包括(CH3)3Si-O-[Si(CH3)2]a-Si(CH3)3,(CH3CH2)Si-O-[Si(CH3CH2)2]a-Si-(CH3CH2)3,R3Si-O-[SiR'2]a-SiR3,[O-Si(CH3)2]b以及[O-Si(CH3CH2)2]b,其中a=0-5,b=3-5,各个R'分别为H或C1到C8之烷基。8.一种于基材上形成层的方法,包括形成至少一种聚合物之溶液,该聚合物系选自包括下列化学式:[(HSiO1.5)xOy]n,[(HSiO1.5)x(RSiO1.5)y]n以及[(HSiO1.5)xOy(RSiO1.5)z]n,其中x=6到20,y=1到3,z=6到20,n=1到4,000,且各个R分别为H、C1到C8烷基或C6到C12芳基,且至少一种溶剂系选自由(CH3)3Si-O-[Si(CH3)2]a-Si(CH3)3,(CH3CH2)3Si-O-[Si(CH3CH2)2]a-Si-(CH3CH2)3,R3Si-O-[SiR'2]a-SiR3,[O-Si(CH3)2]b以及[O-Si(CH3CH2)2]b其中a=0-5,b=3-5,各个R'分别为C1到C8烷基;将该溶液涂覆至基材上;以及令该溶液乾燥。9.根据申请专利范围第8项的方法,其中该基材包括半导体。
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