具快速定位气体流入器之炉管装置

摘要

一种具快速定位气体流入器之炉管装置，系改良传统的炉管装置所产生的中心轴偏离问题及造成晶片之成长层不均匀之诸多缺点，本创作装置可用于半导体工业之热氧化、扩散及热处理制程，该装置包含:一炉管，系作为半导体晶片之反应室及加热区;一气体流入器，该气体流入器之一部份插入该炉管且另一部份包含至少一个气体通入口;及一套管，此乃本创作的主要特征，系为一两端开口的管状体，其中心轴和该气体流入器之中心轴大约重叠，且固定于该气体流入器。

主权项

1.一种具快速定位气体流入器之炉管装置,系用于半导体工业之热氧化、扩散及热处理制程,该装置包含:一炉管,系作为半导体晶片之反应室,用以防止该半导体晶片受杂质的污染;及作为一加热区,用以稳定该反应室内的温度;一气体流入器,其中心轴和该炉管之中心轴大约重叠;该气体流入器之一部份插入该炉管之一端,且该气体流入器之未插入该炉管之另一部份,包含至少一个气体通入口;及一套管,系为一两端开口的管状体,其中心轴和该气体流入器之中心轴大约重叠;其中该套管之第一端开口附近,系固定于该气体流入器,且该套管之第二端开口之整个圆周,系固定于该气体流入器插入该炉管端之附近。2.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之炉管为一石英炉管。图式简单说明:第一图为传统之炉管装置之截面示意图。第二图为传统气体流入器及炉管组合截面图。第三图a为一中心轴产生偏离之传统气体流入器及炉管组合截面图。第三图b为一中心轴产生偏离之传统气体流入器及炉管组合截面图。第四图a为本创作装置之侧视图。第四图b为本创作装置之截面图。