| 发明名称 |
Kompensationsbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| 摘要 |
Es wird ein Kompensationsbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung beschrieben, wobei Kompensationsgebiete (3) durch Implantation von Schwefel oder Selen in einer p-leitenden Halbleiterschicht (3) erzeugt werden oder als p-leitende Gebiete, die mit Indium, Thallium und/oder Palladium dotiert sind, clusterartig in einem n-leitenden Gebiet vorgesehen werden.
|
| 申请公布号 |
DE19964214(A1) |
申请公布日期 |
2001.04.26 |
| 申请号 |
DE19991064214 |
申请日期 |
1999.09.07 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
MAUDER, ANTON;SCHULZE, HANS-JOACHIM;DEBOY, GERALD;STRACK, HELMUT |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/266;H01L29/06;H01L29/167;(IPC1-7):H01L29/06 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
