| 主权项 |
1.一种无外引脚半导体晶片封装构造,其包含:一导线架,其具有一晶片承座以及复数条导线,该导线架具有一上表面以及一下表面;一氧化铜(cupric oxide)覆盖层,设于该导线架之表面,其中该导线架之下表面以及该复数条导线之内端系裸露于该氧化铜覆盖层;一半导体晶片,设于该导线架之晶片承座,该半导体晶片具有复数个晶片焊垫;复数条连接线,其分别连接该复数条导线之内端以及该半导体晶片之复数个晶片焊垫;及一封胶体,包覆该导线架、半导体晶片以及复数条连接线,使得该导线架之下表面系裸露于该封胶体。2.依申请专利范围第1项之无外引脚半导体晶片封装构造,其中该导线架包含数个支撑肋条用以连接该晶片承座。3.依申请专利范围第2项之无外引脚半导体晶片封装构造,其中该数个支撑肋条之下表面系裸露于该封胶体。4.依申请专利范围第1项之无外引脚半导体晶片封装构造,其中该氧化铜覆盖层系利用阳极氧化法涂布。5.依申请专利范围第1项之无外引脚半导体晶片封装构造,其中该氧化铜覆盖层系利用化学氧化法涂布。6.依申请专利范围第1项之无外引脚半导体晶片封装构造,其中在该复数条导线内端用以电性连接至半导体晶片的区域系镀有一层金属,其中该金属系为由金和银所组成之族群中选出者。7.依申请专利范围第1项之无外引脚半导体晶片封装构造,其中该晶片承座之部分区域系裸露于该氧化铜覆盖层并且电性连接至该半导体晶片。8.依申请专利范围第7项之无外引脚半导体晶片封装构造,其中该晶片承座之部分区域系裸露于该氧化铜覆盖层并且镀有一层金属,其中该金属系为由金和银所组成之族群中选出者。9.依申请专利范围第1项之无外引脚半导体晶片封装构造,其中该导线架之下表面系具有至少一缺口位于该晶片承座以及复数条导线间。10.依申请专利范围第1项之无外引脚半导体晶片封装构造,其中该导线架之下表面系具有至少一缺口位于该复数条导线之内端。11.一种制造无外引脚半导体晶片封装构造之方法,其包含下列步骤:提供一导线架,其具有一晶片承座以及复数条导线,该导线架具有一上表面以及一下表面;将一氧化铜(cupric oxide)覆盖层设于该导线架之表面,其中该导线架之下表面以及该复数条导线之内端系裸露于该氧化铜覆盖层;将一半导体晶片设于该导线架之晶片承座,该半导体晶片具有复数个晶片焊垫;将复数条连接线分别连接该复数条导线之内端以及该半导体晶片之复数个晶片焊垫;及将一封胶体包覆该导线架、半导体晶片以及复数条连接线,使得该导线架之下表面系裸露于该封胶体。12.依申请专利范围第11项之方法,其中该氧化铜覆盖层系利用阳极氧化法涂布。13.依申请专利范围第11项之方法,其中该氧化铜覆盖层系利用化学氧化法涂布。图式简单说明:第一图:习用半导体晶片封装构造之剖面图;第二图:本发明第一较佳实施例之剖面图;第三图:根据本发明第一较佳实施例之一导线架之上视图;第四图:本发明第一较佳实施例之下视图;及第五图:本发明第二较佳实施例之剖面图。 |
