| 主权项 |
1.一种自举启动CMOS驱动器,其包含:一驱动单元,由拉升与拉降元件构成;以及一自举启动单元,依据一输入讯号准位分别使用一拉升部份与一拉降部份进行拉升与拉降操作来推升该等拉升与拉降元件的闸电压。2.如申请专利范围第1项之自举启动CMOS驱动器,其中该拉升部份包含:第一与第二MOS元件,串联连接于一电源电压端与一第一节点之间;一第一自举启动电容器,连接于该第一节点与一第二节点之间;以及一第三MOS元件,其一汲极与一源极分别连接于该第一节点与一地线,其一闸极连接于该等第一与第二MOS元件之一共汲极与该拉升元件的一闸极,而该拉降部份包含:一第二自举启动电容器,连接于该第二节点与一第三节点之间;第四与第五MOS元件,串联连接于该第三节点与该地线之间;以及一第六MOS元件,其一源极与一汲极分别连接于该第三节点与该地缘,其一闸极连接于该等第四与第五MOS元件之一共汲极与该拉降元件的一闸极。3.如申请专利范围第2项之自举启动CMOS驱动器,其中一输入讯号被施加于该等第一、第二、第四与第五MOS元件之闸极,且该输入讯号之一反相讯号被施加于该第二节点。4.如申请专利范围第2项之自举启动CMOS驱动器,其中该第一、第四与第五MOS元件为P型,以及该第二、第三与第四MOS元件为N型。5.如申请专利范围第1项之自举启动CMOS驱动器,其中该自举启动单元包含:第一与第二MOS元件,串联连接于该电源电压端与该第一节点之间,并且其一共汲极连接于该拉升元件的闸极;一第三MOS元件,连接于该电源电压端与该第一节点之间;第四与第五MOS元件,串联连接于该第一节点与该地线之间;一自举启动电容器,连接于该第一节点与该第二节点之间;一第六MOS元件,连接于该第二节点与该地线之间;第七与第八MOS元件,串联连接于该电源电压端与该第二节点之间;以及第九与第十MOS元件,串联连接于该第二节点与该地线间,其一共汲极连接于该第八MOS元件与该拉降元件之闸极,其中该等第一、第二与第七MOS元件由一第一输入讯号所控制,该等第三、第五、第九与第十MOS元件由一第二输入讯号所控制,以及该第四MOS元件之一闸极连接于该拉降元件之闸极。6.如申请专利范围第5项之自举启动CMOS驱动器,其中该等第一至第五MOS元件与该自举启动电容器构成该拉升部份,以及该自举启动电容器与该等第六至第十MOS元件构成该拉降部份。7.如申请专利范围第5项之自举启动CMOS驱动器,其中该等第二与第四MOS元件之主体连接于该第一节点,以及该等第八与第九MOS元件之主体连接于该第二节点。8.如申请专利范围第5项之自举启动CMOS驱动器,其中该自举启动单元仅在该第一输入讯号变成介于各为低准位与高准位之该等第一与第二输入讯号间之一高准位时才进行拉升操作。9.如申请专利范围第5项之自举启动CMOS驱动器,其中该自举启动单元仅在该第二输入讯号变成介于各为低准位与高准位之该等第一与第二输入讯号间之一低准位时才进行拉降操作。10.如申请专利范围第5项之自举启动CMOS驱动器,其中该等第一、第三与第七至第九MOS元件为P型,以及该等第二、第四至第六与第十MOS元件为N型。图式简单说明:第一图是说明一种传统逐渐尖细的CMOS驱动器图;第二图是说明一种依照本发明的第一个实施例之自举启动CMOS驱动器图;第三图是说明一种依照本发明的第二个实施例之自举启动CMOS驱动器图;第四图A与第四图B是分别说明依照本发明的第二个实施例之自举启动CMOS驱动器之拉升与拉降波形的曲线图;以及第五图是说明拉升与拉降对依照本发明的第二个实施例之自举启动CMOS驱动器之负载电容延迟时间曲线图。 |
