| 主权项 |
1.一种晶背黏贴之制程方法,系包括有:以一保护胶膜贴覆在一晶圆设有电路布局之正面;再将一黏性胶质贴覆在该晶圆的背面;及最后将该保护胶膜自该晶圆之正面除去;其中在贴覆该黏性胶质时,该晶圆有该保护胶膜的缓冲保护,而不会受压不均匀造成破裂。2.依申请专利范围第1项所述之晶背黏贴之制程方法,其中将该保护胶膜自该晶圆之正面除去的方式,系将该保护胶膜自一侧逐渐将整个胶膜撕去,由于有该黏性胶质贴覆在该晶圆的背面,避免去除该保护胶膜时所产生的应力造成该晶圆破片。3.依申请专利范围第1项所述之晶背黏贴之制程方法,其中该晶圆的厚度为8密尔(mil)。4.依申请专利范围第1项所述之晶背黏贴之制程方法,其中该晶圆的厚度为8密尔(mil)以下。5.依申请专利范围第1项所述之晶背黏贴之制程方法,其中该黏性胶质为具有热融性质,在贴覆于该晶圆的背面时,需加热使其产生黏性。6.依申请专利范围第1项所述之晶背黏贴之制程方法,其中该保护胶膜可耐热至约130℃而不会融化。7.依申请专利范围第1项所述之晶背黏贴之制程方法,其中该晶圆切割成数个晶片后,利用该晶片上的黏性胶质可将其黏着于导线架上。8.一种晶背黏贴之制程方法,系包括有:以一保护胶膜贴覆在一晶圆设有电路布局之正面;再以一研磨机研磨该晶圆的背面使其厚度弯薄;再将一黏性胶质轻微施压贴覆在该晶圆的背面;及最后将该图护胶膜自该晶圆之正面除去;其中在贴覆该黏性胶质时,该晶圆有该保护胶膜的缓冲保护,而不会受压不均匀造成破裂。9.依申请专利范围第8项所述之晶背黏贴之制程方法,其中将该保护胶膜自该晶圆之正面除去的方式,系将该保护胶膜自一侧逐渐将整个胶膜撕去,由于有该黏性胶质贴覆在该晶圆的背面,避免去除该保护胶膜时所产生的应力造成该晶圆破片。10.依申请专利范围第8项所述之晶背黏贴之制程方法,其中该晶圆的厚度为8密尔(mil)。11.依申请专利范围第1项所述之晶背黏贴之制程方法,其中该晶圆的厚度为8密尔(mil)以下。12.依申请专利范围第8项所述之晶背黏贴之制程方法,其中该黏性胶质为具有热融性质,在贴覆于该晶圆的背面时,需加热使其产生黏性。13.依申请专利范围第8项所述之晶背黏贴之制程方法,其中该黏性胶质可耐热至约130℃而不会融化。14.依申请专利范围第8项所述之晶背黏贴之制程方法,其中该晶圆切割成数个晶片后,利用该晶片上的黏性胶质可将其黏着于导线架上。图式简单说明:第一图:习用晶背加工的制程方法之流程剖视图;第二图:本发明较实施例晶背加工的制程方法之流程剖视图。 |
