| 主权项 |
1.一种增进快闪记忆体数据保留能力之制造方法,包括:提供一基底;在部份的该基底上形成一场氧化层;在暴露出的另一部份之该基底上,形成一隧穿氧化层;在该隧穿氧化层上形成一浮置闸,其中,该浮置闸并延伸至部份该场氧化层上;形成一第一多晶矽层覆盖该浮置闸与该场氧化层;对第一多晶矽层进行一回蚀刻步骤,其中该回蚀刻步骤进行直到暴露出部份的该场氧化层为止;形成一介电层覆盖该浮置闸与蚀刻后剩下的该第一多晶矽层;以及形成一第二多晶矽层覆盖住该介电层。2.如申请专利范围第1项所述之增进快闪记忆体数据保留能力之制造方法,其中形成该隧穿氧化层的方法包括一热氧化法。3.如申请专利范围第1项所述之增进快闪记忆体数据保留能力之制造方法,其中该浮置闸所使用之材料包括多晶矽。4.如申请专利范围第1项所述之增进快闪记忆体数据保留能力之制造方法,其中该回蚀刻步骤包括一非等向性蚀刻法。5.如申请专利范围第1项所述之增进快闪记忆体数据保留能力之制造方法,其中该回蚀刻步骤包括一乾蚀刻法。6.如申请专利范围第1项所述之增进快闪记忆体数据保留能力之制造方法,其中该介电层包括一氧化物层/氮化物层/氧化物层结构。7.一种避免浮置闸尖端放电之制造方法,包括:提供一基底;在部份的该基底上形成一场氧化层;在暴露出另一部份之该基底上,形成一隧穿氧化层;在该隧穿氧化层上形成一浮置闸,其中,该浮置闸并延伸至部份该场氧化层上;形成一多晶矽层覆盖该浮置闸与该场氧化层;以及对多晶矽层进行一回蚀刻步骤,直至暴露出部份的该场氧化层。8.如申请专利范围第7项所述之避免浮置闸尖端放电之制造方法,其中形成该隧穿氧化层的方法包括一热氧化法。9.如申请专利范围第7项所述之避免浮置闸尖端放电之制造方法,其中该浮置闸的材质包括一多晶矽。10.如申请专利范围第7项所述之避免浮置闸尖端放电之制造方法,其中该回蚀刻步骤包括一非等向性蚀刻法。11.如申请专利范围第7项所述之避免浮置闸尖端放电之制造方法,其中该回蚀刻步骤包括一乾蚀刻法。图式简单说明:第一图系绘示传统堆叠闸式非挥发性快闪记忆体元件于定义浮置闸后之结构剖面示意图;以及第二图A至第二图C系显示根据本发明较佳实施例,一种增进快闪记忆体数据保留能力的制造流程剖面图。 |
