| 主权项 |
1.一种半导体雷射元件,其特征在于:在同一半导体基板上对于半导体基板主面并排配置具有使用互相不同的材料的发光层的多数半导体雷射共振器,在这些半导体雷射共振器之间设置高电阻区域而成者。2.如申请专利范围第1项之半导体雷射元件,其中前述半导体基板由GaAs基板构成,前述多数半导体雷射共振器在各发光层含有互相不同的5族材料。3.如申请专利范围第2项之半导体雷射元件,其中前述5族材料为磷、砷或氮。4.如申请专利范围第1项之半导体雷射元件,其中前述多数半导体雷射共振器由振荡波长为红色区的共振器和振荡波长为红外区的的共振器的2个共振器构成。5.如申请专利范围第4项之半导体雷射元件,其中前述半导体基板由GaAs基板构成,前述振荡波长为红色区的共振器以InGaP系材料形成发光层,前述振荡波长为红外区的共振器以GaAs系材料形成发光层。6.如申请专利范围第1项之半导体雷射元件,其中前述多数半导体雷射共振器之各发光层对于半导体基板主面存在于大致相同高度之位置。7.如申请专利范围第1项之半导体雷射元件,其中前述多数半导体雷射共振器分别具有折射率导波构造。8.如申请专利范围第1项之半导体雷射元件,其中为了电气分离邻接的半导体雷射共振器而以充分的空气间隙形成前述高电阻区域。9.如申请专利范围第1项之半导体雷射元件,其中为了电气分离邻接的半导体雷射共振器而以具有充分电阻的高电阻半导体层形成前述高电阻区域。10.如申请专利范围第9项之半导体雷射元件,其中藉由注入质子或镓离子,形成前述高电阻半导体层。11.如申请专利范围第1至10项中任一项之半导体雷射元件,其中建入对于CD及DVD两方可记录、再生的记录再生装置。12.一种半导体雷射元件之制造方法,其特征在于:具备在半导体基板上形成具有使用预定材料的发光层的第一半导体雷射共振器的制程;在第一共振器邻近对于半导体基板主面并排形成开口部的制程;在该开口部内对于半导体基板主面并排形成具有使用和第一共振器不同的材料的发光层的第二半导体雷射共振器的制程;及,在第一共振器和第二共振器之间形成高电阻区域的制程者。13.一种半导体雷射元件之制造方法,其特征在于:具备在半导体基板上形成具有使用预定材料的发光层的第一半导体雷射共振器的制程;在第一共振器邻近对于半导体基板主面并排形成条状沟的制程;在该条状沟内的壁面及底面形成高电阻半导体层的制程;在该高电阻半导体层一部分形成电流路径的制程;及,在前述条状沟内对于半导体基板主面并排形成具有使用和第一共振器不同的材料的发光层的第二半导体雷射共振器的制程者。14.如申请专利范围第12或13项之半导体雷射元件之制造方法,其中形成半导体雷射共振器之际,除去双异质构造一部分而形成山脊型导波路条。图式简单说明:第一图为显示本发明半导体雷射元件实施例1的截面的说明图。第二图(a),(b),(c)为显示实施例1的半导体雷射元件制造方法的说明图。第三图(d),(e),(f)为显示实施例1的半导体雷射元件制造方法的说明图。第四图为显示本发明半导体雷射元件实施例2的截面的说明图。第五图(a),(b),(c),(d)为显示实施例2的半导体雷射元件制造方法的说明图。第六图(e),(f),(g),(h)为显示实施例2的半导体雷射元件制造方法的说明图。第七图为显示本发明半导体雷射元件实施例3的截面的说明图。第八图(a),(b),(c),(d)为显示实施例3的半导体雷射元件制造方法的说明图。第九图(e),(f),(g),(h)为显示实施例3的半导体雷射元件制造方法的说明图。第十图为显示以接合上升安装实施例3的半导体雷射元件时之例的说明图。 |
