| 发明名称 | 干刻蚀装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供的半导体器件制造装置由静电吸附对半导体片进行温度控制，同时又无充电造成的损坏和刻蚀结束后残留静电吸附造成的半导体片传送故障。该装置的下部电极１５在其表面被覆体积电阻系数为１×１０＃+[８]～１０＃+[9]Ωcm的陶瓷，因而可达到上述目的。$＃! | ||
| 申请公布号 | CN1074583C | 申请公布日期 | 2001.11.07 |
| 申请号 | CN94113231.5 | 申请日期 | 1994.12.28 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 松田出;铃木正树 |
| 分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
| 主权项 | 1．一种干刻蚀装置，组成部分包括带有被刻蚀构件温度控制装 置的第1电极、与所述第1电极平行相对配置的第2电极、内装所述 第1电极和第2电极的真空腔体、将所定刻蚀气体送入上述真空腔 体的装置、排放所述真空容器内的气体的装置、在所述第1电极和第 2电极之间施加高频电力的装置，且在所述第一电极表面内施加所 述高频电力，其特征在于：用体积电阻系数为1×10<sup>8</sup>～10<sup>9</sup>Ωcm的 绝缘膜被覆所述第1电极中与所述被刻蚀构件的接触面和刻蚀气体 的接触面。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||