| 主权项 |
1.一种补偿之装置,用以补偿一晶片(1)上第一电阻器(R1)之表面阻値的温度相关的变化及制程的变化,其特征为该第一电阻器(R1)连接于一第一端点(N1)及一第二端点(N2)之间,其方式可为透过一正常情况下为断路的第一开关(SR1)直接连接,或透过一正常情况下为断路的第二开关(SR11.SR12…SR1n),与晶片(1)上至少一个补偿用第二电阻器(R11.R12…R1n)串联,而间接连接,一个比较器(K1),俾将一由参考电流(1)在晶片(1)外部之精准电阻器(R3)两端产生的参考电压(VR3),与由一和参考电流(1)完全相同的电流在晶片(1)上之第三电阻器(R2)(与该第一电阻器(R1)成比例)两端产生的第一电压(VR2)比较,且若参考电压(VR3)低于该第一电压(VR2),则产生一输出信号,以导通该正常情况下为断路的第一开关(SR1),使该第一电阻器(R1)直接连接至该第二端点(N2),以及至少一第二比较器(K11.K12…K1n),以比较固定参考电压(VR3)及一由该电流产生的第二电压,该电流与流经晶片(1)上之第三电阻器(R2)(至少与一个第四电阻器(R21.R22…R2n)串联,这些电阻器与该至少一个补偿用第二电阻器(R11.R12…R1n)成比例)的参考电流(1)完全相同,且若参考电压(VR3)低于与该至少一个第四电阻器(R21.R22…R2n)串联的第三电阻器(R2)两端的电压,则产生一输出信号,以导通该正常情况下为断路的第二开关(SR21.SR22…SR2n),将与该至少一个补偿用第二电阻器(R11.R12…R1n)串联的该第一电阻器(R1)连接至该第二端点(N2)。图式简单说明:第一图为根据本发明,用于晶片上之电阻器的补偿布置方式之实施例的图示说明。 |
