| 主权项 |
1.一种制造半导体晶圆之方法,包含以下步骤:制备在一半导体基板上具有一半导体层的一第一构件;经由从该第一构件分离该半导体层而将该半导体层转移至一第二构件上;及在该转移步骤之后使该半导体基板的表面平滑,以将该半导体基板使用成为用于与形成该第一及第二构件不同的目的的一半导体晶圆。2.一种制造半导体晶圆之方法,包含以下步骤:制备在一半导体基板上具有一半导体层而在二者之间配置有一分离层的一第一构件;藉着经由该分离层来分离该半导体层而将该半导体层转移至一第二构件上;及在该转移步骤之后使该半导体基板的表面平滑,以将该半导体基板使用成为用于与形成该第一及第二构件不同的目的的一半导体晶圆。3.一种制造半导体晶圆之方法,包含以下步骤:制备在一p型半导体基板上具有一半导体层的一第一构件;从该第一构件分离该半导体层以将该半导体层转移至一第二构件上,因而形成一第一半导体晶圆;及在该半导体层已经从其分离的该p型半导体基板上实施一低浓度p型半导体层的外延生长,该低浓度p型半导体层具有比该p型半导体基板的杂质浓度低的界定p型导电性的杂质浓度。4.一种制造半导体晶圆之方法,包含以下步骤:制备在一p型半导体基板上具有一半导体层而在二者之间配置有一分离层的一第一构件;经由该分离层分离该半导体层以将该半导体层转移至一第二构件上,因而形成一第一半导体晶圆;及在已经经由该分离层分离的该p型半导体基板上实施一低浓度p型半导体层的外延生长,该低浓度p型半导体层具有比该p型半导体基板的杂质浓度低的界定p型导电性的杂质浓度。5.一种制造半导体晶圆之方法,包含以下步骤:在一p型半导体基板内形成一分离层,以形成在该分离层上具有一半导体层的一第一构件;经由该分离层分离该半导体层以将该半导体层转移至一第二构件上,因而形成一第一半导体晶圆;及在已经经由该分离层分离的该p型半导体基板上实施一低浓度p型半导体层的外延生长,该低浓度p型半导体层具有比该p型半导体基板的杂质浓度低的界定p型导电性的杂质浓度。6.一种制造半导体晶圆之方法,包含以下步骤:制备在一p型半导体基板上具有一半导体层而在二者之间配置有一分离层的一第一构件;将该第一构件与一第二构件黏结以形成一多层结构;在氧化气氛下实施该多层结构的热处理;经由该分离层分离该多层结构,以将该半导体层转移至该第二构件上,因而形成一第一半导体晶圆;及经由该分离层分离该半导体层以将该半导体层转移至一第二构件上,因而形成一第一半导体晶圆;及在已经经由该分离层分离的该p型半导体基板上实施一低浓度p型半导体层的外延生长,该低浓度p型半导体层具有比该p型半导体基板的杂质浓度低的界定p型导电性的杂质浓度。7.一种制造半导体晶圆之方法,包含以下步骤:制备一第一构件,其至少具有包含一外延半导体层的一第一半导体层,该外延半导体层具有比一p型半导体基板的杂质浓度低的界定p型导电性的杂质浓度;一分离层;及一第二半导体层;上述各层依所提及的顺序配置在该p型半导体基板上;及藉着经由从该分离层分离该第二半导体层的分离步骤来将该第二半导体层转移至一第二构件上而形成一第一半导体晶圆,并且形成在该p型半导体基板上具有该第一半导体层的一第二半导体晶圆。8.一种制造半导体晶圆之方法,包含以下步骤:至少形成包含一外延半导体层的一第一半导体层,其具有比一p型半导体基板的杂质浓度低的界定p型导电性的杂质浓度;及包含一外延半导体层的一第二半导体层,其具有比该第一半导体层的杂质浓度高的界定p型导电性的杂质浓度;上述二层依所提及的顺序配置在该p型半导体基板上;使该第一半导体层的一部份及该第二半导体层成多孔状,并且在成为多孔状的该第二半导体层上形成一第三半导体层,因而形成一第一构件;及将该第三半导体层转移至一第二构件上以形成一第一半导体晶圆,并且形成包含具有该第一半导体层的该p型半导体基板的一第二半导体晶圆。9.如申请专利范围第1项至第8项中任一项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该半导体基板,该p型半导体基板,及该p型矽基板的每一个均是择自由CZ矽晶圆,FZ矽晶圆,外延矽晶圆,及氢退火矽晶圆所组成的群类。10.如申请专利范围第1项至第6项中任一项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该半导体层是择自由单晶半导体层,多晶半导体层,及非晶半导体层所组成的群类。11.如申请专利范围第2项,第4项,第5项,第6项,或第7项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该分离层是择自由多孔层及微气泡层所组成的群类。12.如申请专利范围第8项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该分离层及该成为多孔状的层的每一个均是藉着阳极化处理而形成。13.如申请专利范围第11项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该分离层是藉着使用择自由氢,氮,及稀有气体所组成的群类的气体的离子植入而形成。14.如申请专利范围第13项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该离子植入为电浆浸渍离子植入。15.如申请专利范围第2项,第4项,第5项,第6项,或第7项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第一构件是藉着在该半导体基板的表面上形成作用成为该分离层的一多孔层并且接着在该多孔层的表面上形成该半导体层而形成。16.如申请专利范围第15项所述的制造半导体晶圆之方法,另外包含在形成该半导体层之前在该多孔层的孔的壁上形成一保护层的步骤。17.如申请专利范围第15项所述的制造半导体晶圆之方法,另外包含在形成该半导体层之前在含有氢的还原气氛下对该多孔层实施热处理的步骤。18.如申请专利范围第15项所述的制造半导体晶圆之方法,包含藉着供应用于该半导体层的小量原料气体而以等于或小于20mm/min(毫米/分钟)的生长速率形成该半导体层的步骤。19.如申请专利范围第15项所述的制造半导体晶圆之方法,另外包含在形成该半导体层之前密封该多孔层的表面并且接着在比该密封步骤中高的温度实施热处理的步骤,该密封步骤包含在氢还原气氛下对该多孔层实施热处理及/或供应用于该半导体层的小量原料气体的步骤。20.如申请专利范围第2项,第4项,第5项,第6项,或第7项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第一构件是藉着植入择自由氢,氮,及稀有气体所组成的群类的至少一离子至该半导体基板的表面内以在该半导体基板内形成作用成为该分离层的一离子植入层而获得。21.如申请专利范围第2项,第4项,第5项,第6项,或第7项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第一构件是藉着形成一绝缘层并且接着在该半导体基板内形成作用成为该分离层的一离子植入层而获得。22.如申请专利范围第1项或第2项所述的制造半导体晶圆之方法,其中构成该第一构件的该半导体基板是择自由P+矽晶圆及P-矽晶圆所组成的群类。23.如申请专利范围第2项,第4项,第5项,第6项,或第7项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第一构件是藉着在该半导体基板上形成一外延层的步骤,藉着使该外延层的表面成为多孔状以形成该分离层的步骤,以及然后在该分离层的表面上形成该半导体层的步骤而获得。24.如申请专利范围第23项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该外延层的表面是成为多孔状以使得存留在该半导体基板上的外延层的厚度是在100nm(毫微米)与20m(微米)之间。25.如申请专利范围第23项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该外延层为内部硼浓度在11017cm-3与11020cm-3之间的P+层。26.如申请专利范围第1项或第2项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该转移步骤包含将该第一构件与该第二构件黏结以将该半导体层配置于内部而形成一多层结构的步骤以及分离该多层结构的步骤。27.如申请专利范围第26项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该黏结步骤是经由一绝缘层而实施。28.如申请专利范围第26项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该黏结步骤是于在该半导体层的表面上形成一绝缘层之后实施。29.如申请专利范围第26项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该黏结步骤是于在该第二构件的表面上形成一绝缘层之后实施。30.如申请专利范围第26项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该分离步骤是藉着择自由热处理该多层结构及氧化处理一分离层的侧面及/或其附近所组成的群类的方法来实施。31.如申请专利范围第30项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该热处理是在400℃至600℃的范围内的温度实施。32.如申请专利范围第26项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该分离步骤是藉着择自由将楔块插入该分离层的侧面,喷洒流体至该多层结构及该分离层的侧面的任一者上,施加拉力,压缩力,及剪力的任一者,于该分离层处切开该多层结构,及施加超音波振动于该分离层上所组成的群类的至少一方法来实施。33.如申请专利范围第32项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该流体是择自由水,醇类,蚀刻剂,空气,氮气,一氧化碳气体,及稀有气体所组成的群类。34.如申请专利范围第1项或第2项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该半导体晶圆为外延晶圆。35.如申请专利范围第1项至第8项中任一项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该半导体晶圆及该第二半导体晶圆被用来制造半导体装置及太阳电池的任一者。36.如申请专利范围第1项至第8项中任一项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第二构件是择自由CZ矽晶圆,FZ矽晶圆,外延晶圆,氢退火矽晶圆,玻璃,石英玻璃,塑胶,挠性膜,陶瓷,及导电性基板所组成的群类。37.如申请专利范围第1项至第8项中任一项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第二构件为在其表面上具有氧化物膜的矽晶圆。38.如申请专利范围第1项或第2项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该平滑化步骤为实施择自由表面抛光,平面化,蚀刻,及热处理所组成的群类的至少一种处理的步骤。39.如申请专利范围第38项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该表面抛光是择自由化学机械抛光及碰触抛光所组成的群类。40.如申请专利范围第38项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该热处理为氢退火。41.如申请专利范围第40项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该氢退火所用的温度不低于800℃,并且不高于该半导体基板的组份材料的熔化温度。42.如申请专利范围第40项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该氢退火为在含有至少氢的还原气氛下所实施的热处理。43.一种使用半导体晶圆之方法,其中如申请专利范围第1项或第2项所述的在平滑化步骤之后的该半导体晶圆被使用成为一非SOI晶圆。44.一种使用半导体晶圆之方法,其中如申请专利范围第1项或第2项所述的在平滑化步骤之后的该半导体晶圆被使用成为一半导体晶圆来制造一半导体装置。45.一种使用半导体晶圆之方法,其中如申请专利范围第1项或第2项所述的在平滑化步骤之后的该半导体晶圆被使用成为虚设晶圆。46.一种使用半导体晶圆之方法,其中如申请专利范围第1项或第2项所述的在平滑化步骤之后的该半导体晶圆被使用成为监视器晶圆。47.如申请专利范围第1项或第2项所述的制造半导体晶圆之方法,另外包含在平滑化的半导体基板上形成一外延层的步骤。48.如申请专利范围第1项或第2项所述的制造半导体晶圆之方法,其中对平滑化步骤之后所获得的半导体基板实施择自由表面外来粒子密度的检验,膜厚度分布的检验,缺陷密度的检验,表面轮廓的检验,及边缘的检验所组成的群类的至少一检验步骤。49.如申请专利范围第48项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该基板被选别以被使用成为择自由虚设晶圆,监视器晶圆,装置晶圆,及外延晶圆所组成的群类的一晶圆。50.如申请专利范围第3项,第4项,第5项,第7项,或第8项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该p型半导体基板为高浓度p型矽晶圆。51.如申请专利范围第50项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该高浓度p型矽晶圆中的硼的浓度是在11017cm-3与11020cm-3之间。52.如申请专利范围第50项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该高浓度p型矽晶圆的电阻系数是在0.001cm与0.5cm之间。53.如申请专利范围第3项至第8项中任一项所述的制造半导体晶圆之方法,其中形成该第一半导体晶圆的步骤包含将该第一构件与该第二构件黏结以将该半导体层配置于内部而形成一多层结构的步骤以及分离该多层结构的步骤。54.如申请专利范围第53项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该黏结步骤是经由一绝缘层而实施。55.如申请专利范围第53项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该黏结步骤是于在该半导体层的表面上形成一绝缘层之后实施。56.如申请专利范围第53项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该黏结步骤是于在该第二构件的表面上形成一绝缘层之后实施。57.如申请专利范围第53项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该分离步骤是藉着择自由热处理该多层结构及氧化处理分离层的侧面及/或其附近所组成的群类的方法来实施。58.如申请专利范围第57项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该热处理是在400℃至600℃的范围内的温度实施。59.如申请专利范围第53项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该分离步骤是藉着择自由将楔块插入该分离层的侧面,喷洒流体至该多层结构及该分离层的侧面的任一者上,施加拉力,压缩力,及剪力的任一者,于该分离层处切开该多层结构,该施加超音波振动于该分离层上所组成的群类的至少一方法来实施。60.如申请专利范围第59项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该流体是择自由水,醇类,蚀刻剂,空气,氮气,一氧化碳气体,及稀有气体所组成的群类。61.如申请专利范围第3项至第6项中任一项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该低浓度p型矽晶圆的电阻系数是在0.02cm与10000cm之间。62.如申请专利范围第3项至第6项中任一项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该低浓度p型矽晶圆为内部硼的浓度为11017cm-3的外延矽晶圆。63.如申请专利范围第3项至第8项中任一项所述的制造半导体晶圆之方法,其中对该第二半导体晶圆实施择自由表面外来粒子密度的检验,膜厚度分布的检验,缺陷密度的检验,表面轮廓的检验,及边缘的检验所组成的群类的至少一检验步骤。64.如申请专利范围第3项至第6项中任一项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该外延生长是藉着化学汽相淀积(CVD)方法来实施。65.如申请专利范围第6项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该p型半导体基板为高浓度p型矽晶圆。66.如申请专利范围第65项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该高浓度p型矽晶圆中的硼的浓度是在11017cm-3与11020cm-3之间。67.如申请专利范围第65项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该高浓度p型矽晶圆的电阻系数是在0.001cm与0.5cm之间。68.如申请专利范围第7项或第8项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第一半导体层为P-外延矽层。69.如申请专利范围第7项或第8项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第一半导体层由多个层构成。70.如申请专利范围第7项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第二半导体层具有比该第一半导体层的杂质浓度高的界定p型导电性的杂质浓度。71.如申请专利范围第7项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第一半导体层的界定p型导电性的杂质浓度与该第二半导体层的杂质浓度相同。72.如申请专利范围第7项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第二半导体层及该分离层是藉着使用择自由氢,氮,及稀有气体所组成的群类的气体的离子植入而形成。73.如申请专利范围第8项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第三半导体层为外延单晶矽层。74.如申请专利范围第7项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第一构件是藉着形成该分离层并且接着形成该第二半导体层而获得。75.如申请专利范围第74项所述的制造半导体晶圆之方法,另外包含在形成该第二半导体层之前在作用成为该分离层的该多孔层的孔的壁上形成保护层的步骤。76.如申请专利范围第74项所述的制造半导体晶圆之方法,另外包含在形成该半导体层之前在含有氢的还原气氛下对作用成为该分离层的该多孔层实施热处理的步骤。77.如申请专利范围第74项所述的制造半导体晶圆之方法,包含藉着供应构成该第二半导体层的小量原料气体而以等于或小于20nm/min(毫微米/分钟)的生长速度形成该第二半导体层的步骤。78.如申请专利范围第74项所述的制造半导体晶圆之方法,另外包含在形成该第二半导体层之前密封该多孔层的表面并且接着在比该密封步骤中高的温度实施热处理的步骤,该密封步骤包含在氢还原气氛下对该多孔层实施热处理及/或供应用于该二半导体层的小量原料气体的步骤。79.如申请专利范围第8项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第一构件是藉着在成为多孔状的该第二半导体层上形成一第三半导体层而获得。80.如申请专利范围第79项所述的制造半导体晶圆之方法,另外包含在形成该第三半导体层之前在成为多孔状的该第二半导体层的多孔层的孔的壁上形成保护层的步骤。81.如申请专利范围第79项所述的制造半导体晶圆之方法,另外包含在形成该第三半导体层之前在含有氢的还原气氛下对成为多孔状的该第二半导体层的多孔层实施热处理的步骤。82.如申请专利范围第79项所述的制造半导体晶圆之方法,包含藉着供应构成该第三半导体层的小量原料气体而以等于或小于20nm/min(毫微米/分钟)的生长速率形成该第三半导体层的步骤。83.如申请专利范围第79项所述的制造半导体晶圆之方法,另外包含在形成该第三半导体层之前密封成为多孔状的该第二半导体层的多孔层的表面并且接着在比该密封步骤中高的温度实施热处理的步骤,该密封步骤包含在氢还原气氛下对该多孔层实施热处理及/或供应用于该第三半导体层的小量原料气体的步骤。84.如申请专利范围第3项至第6项中任一项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该高浓度p型矽晶圆的表面在该高浓度p型矽层的外延长之前被平面化。85.如申请专利范围第7项或第8项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第二半导体晶圆是藉着将在该分离的p型半导体基板上的该第一半导体层的表面平滑化而形成。86.如申请专利范围第85项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该平滑化步骤是藉着实施择自由表面抛光,平面化,蚀刻,及热处理所组成的群类的至少一种处理来执行。87.如申请专利范围第86项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该热处理是在含有氢的还原气氛下实施。88.如申请专利范围第87项所述的制造半导体晶圆之方法,其中在含有氢的环原气氛下的该热处理所用的温度不低于800℃,并且不高于该p型半导体基板的组份材料的熔化温度。89.如申请专利范围第7项所述的制造半导体晶圆之方法,另外包含将该第二半导体层转移至该第二半导体基板并且接着去除存留在该第二半导体层上的该分离层的步骤。90.如申请专利范围第8项所述的制造半导体晶圆之方法,另外包含将该第三半导体层转移至该第二半导体基板并且接着去除存留在该第二半导体层上的该分离层的步骤。91.如申请专利范围第89项或第90项所述的制造半导体晶圆之方法,其中在含有氢的还原气氛下的热处理在去除存留的该分离层之后实施。92.如申请专利范围第2项,第4项,第5项,第6项,或第7项所述的制造半导体晶圆之方法,其中经由该分离层的该分离是在择自由该分离层的内部,上表面,及下表面所组成的群类的一部份处所造成的分离。93.如申请专利范围第8项所述的制造半导体晶圆之方法,其中将该第三半导体层转移至该第二构件上的该步骤是藉着在择自由成为多孔状的该第一半导体层的内部,上表面,及下表面所组成的群类的一部份处实施分离而执行。94.如申请专利范围第3项至第6项中任一项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该半导体层及该低浓度p型矽层是藉着相同的CVD设备来形成。95.如申请专利范围第3项至第8项中任一项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该第二半导体晶圆被用来用于该第一及第二构件以外的其他用途。96.如申请专利范围第6项所述的制造半导体晶圆之方法,其中具有10nm至10m的厚度的氧化物膜在氧化气氛下藉着该热处理而形成在该p型矽基板的背侧上。97.一种使用半导体晶圆之方法,其特征在于制备已经被用来制造一黏结SOI基板的一种子晶圆,并且接着对该种子晶圆的至少一表面实施平滑化处理,以成为一半导体晶圆来贩卖。98.如申请专利范围第97项所述的使用半导体晶圆之方法,其中用来制造该黏结SOI晶圆的方法包含将在单晶矽的一区域上具有一单晶半导体层的一第一构件经由绝缘层而与一第二构件黏结的步骤,以及经由该分离层的内部及/或表面来实施分离的步骤。99.如申请专利范围第98项所述的使用半导体晶圆之方法,其中该黏结步骤为经由形成在该单晶片半导体层及/或该第二构件上的一绝缘层来实施分离的步骤。100.如申请专利范围第98项所述的使用半导体晶圆之方法,其中该分离层是择自由藉着一矽基板的阳极化处理而形成的多孔层及藉着择自由氢,氮,及稀有气体所组成的群类的至少一元素的离子植入而形成微气泡层所组成的群类。101.如申请专利范围第97项所述的使用半导体晶圆之方法,其中该平滑化处理包含镜面精抛光的步骤。102.如申请专利范围第97项所述的使用半导体晶圆之方法,其中该平滑化处理是在该种子晶圆的两面均实施。103.如申请专利范围第97项所述的使用半导体晶圆之方法,其中该镜面精抛光是在该种子晶圆的两面均实施以成为该半导体晶圆来贩卖。104.如申请专利范围第97项所述的使用半导体晶圆之方法,其中该平滑化处理包含含有氢退火的步骤。105.如申请专利范围第97项所述的使用半导体晶圆之方法,另外包含在该种子晶圆上形成外延半导体层的步骤。106.如申请专利范围第11项所述的制造半导体晶圆之方法,其中该分离层及该成为多孔状的层的每一个均是藉着阳极化处理而形成。图式简单说明:第一图为显示根据本发明的基本实施例的制造半导体晶圆的方法的流程图。第二图为显示根据本发明的另一基本实施例的制造半导体晶圆的方法的流程图。第三图为显示根据本发明的另一基本实施例的制造半导体晶圆的方法的流程图。第四图A,第四图B,第四图C,第四图D,第四图E,第四图F,及第四图G为显示根据本发明的第一实施例的制造晶圆的方法的过程示意图。第五图A,第五图B,第五图C,第五图D,第五图E,第五图F,第五图G,第五图H,及第五图I为显示根据本发明的第二实施例的制造晶圆的方法的过程示意图。第六图A,第六图B,第六图C,第六图D,第六图E,第六图F,及第六图G为显示根据本发明的第四实施例的制造晶圆的方法的过程示意图。第七图A,第七图B,第七图C,第七图D,第七图E,第七图F,第七图G,第七图H,及第七图I为显示根据本发明的第五实施例的制造晶圆的方法的过程示意图。第八图A,第八图B,第八图C,第八图D,第八图E,第八图F,及第八图G为显示根据本发明的第七实施例的制造晶圆的方法的过程示意图。第九图A,第九图B,第九图C,第九图D,第九图E,第九图F,及第九图G为显示根据本发明的第八实施例的制造晶圆的方法的过程示意图。第十图为显示制造系统的例子的说明示意图。第十一图为显示制造系统的另一例子的说明示意图。第十二图为用来决定分离后的第一晶圆的用途的检验过程的流程图。第十三图为显示制造系统的例子的说明示意图。第十四图为显示制造系统的另一例子的说明示意图。第十五图A,第十五图B,第十五图C,第十五图D,第十五图E,第十五图F,第十五图G,及第十五图H为显示本发明的制造晶圆的方法的过程示意图。第十六图A,第十六图B,第十六图C,及第十六图D为显示本发明的制造太阳电池的方法的过程示意图。第十七图A,第十七图B,第十七图C,第十七图D,及第十七图E为显示习知技术的转移外延层的方法的示意图。 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