| 摘要 |
<p>드레인영역에 인접한 게이트전극 하부에지에서의 전계(electric field)를 완화시켜서 소자의 동작을 안정화 시킬 수 있는 반도체소자 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 반도체소자는 반도체기판의 일영역에 형성된 버퍼절연막, 상기 버퍼절연막 상부를 덮고 일방향으로 더 연장되어 상기 반도체기판상에 형성된 게이트절연막, 상기 버퍼절연막상측을 포함한 상기 게이트절연막상에 형성된 게이트전극, 상기 버퍼절연막의 일측면과 상기 게이트절연막과 상기 게이트전극의 양측면에 형성된 측벽스페이서, 상기 측벽스페이서 하부 및 상기 버퍼절연막의 일측하부에 형성된 저농도 불순물영역, 상기 게이트절연막과 상기 게이트전극과 상기 측벽스페이서 하부를 제외한 그 양측의 상기 반도체기판에 형성된 고농도 불순물영역을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.</p> |
