| 主权项 |
1.一种多晶片堆叠构造,系包括有:一基板,其设有一孔;一第一晶片,其设于该基板之上表面;一第二晶片,其设于该基板之上表面;一第三晶片,其设于该基板之下表面且对应于该基板之孔;数条第一引线,其连接于该第一晶片及第二晶片至该基板之间;数条第二引线,其经由穿设该基板之孔连接于该第三晶片至该基板之间;及数个锡球,其设于该基板下表面;当此多晶片堆叠构造作动时,该第一晶片、第二晶片及第三晶片所产生的热能直接传导至该基板上,且该第一引线及该第二引线没有重叠,可避免发生串音的问题。2.依申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠构造,其中该第一晶片、第二晶片及第三晶片利用一黏着层黏着于该基板上。3.依申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠构造,其系以一封胶体充填加以包覆该第一晶片、第二晶片、第三晶片、第一引线及第二引线。4.依申请专利范围第3项所述之多晶片堆叠构造,其中该第三晶片之背面裸露于该封胶体之外,以增进其散热之功效。5.一种多晶片堆叠构造,系包括有:一基板,其设有一孔;一第一晶片,其利用覆晶技术贴于该基板之上表面;一第二晶片,其利用覆晶技术贴于该基板之上表面;一第三晶片,其黏贴于该基板之下表面并对应于该基板之孔;数条引线,其经由穿设该基板之孔连接于该第三晶片至该基板之间;及数个锡球,其设于该基板下表面;当此多晶片堆叠构造作动时,该第一晶片、第二晶片及第三晶片所产生的热能直接传导至该基板上。6.依申请专利范围第5项所述之多晶片堆叠构造,其中该第三晶片利用一黏着层黏着于该基板上。7.依申请专利范围第5项所述之多晶片堆叠构造,其系以一封胶体充填加以包覆该第三晶片及该第二引线。8.依申请专利范围第5项所述之多晶片堆叠构造,其中该第三晶片之背面裸露于该封胶体之外,以增进其散热之功效。9.一种多晶片堆叠构造,系包括有:一基板;一第一晶片,其利用覆晶方式设于该基板之上表面;一第二晶片,其利用覆晶方式设于该基板之上表面;一第三晶片,其利用覆晶方式设于该基板之下表面;及数个锡球,其设于该基板下表面;当此多晶片堆叠构造作动时,该第一晶片、第二晶片及第三晶片所产生的热能直接传导至该基板上。10.一种多晶片堆叠构造,系包括有:一基板,其设有数个孔;数个上晶片,其分别设于该基板上表面之孔之二侧;数个下晶片,其面积大于该上晶片,其分别设于该基板下表面且对应于该数个孔;数条第一引线,其连接于该上晶片至该基板之间;数条第二引线,其经由穿设该基板之孔连接于该下晶片至该基板之间;及数个锡球,其设于该基板下表面之下晶片周围;当此多晶片堆叠构造动作时,该上晶片及下晶片所产生的热能直接传导至该基板上,由于较大面积的下晶片及体积较小的锡球置于该基板下表面以增加元件聚集度。11.依申请专利范围第10项所述之多晶片堆叠构造,其系以一封胶体充填加以包覆该上晶片、第一引线及第二引线。12.一种多晶片堆叠构造,系包括有:一基板,其设有数个孔,该数个孔位于该基板对角线上;数个上晶片,其分别设于该基板上表面之孔之周围;数个下晶片,其面积大于该上晶片,其分别设于该基板下表面且对应于该数个孔;数条第一引线,其连接于该上晶片至该基板之间;数条第二引线,其经由穿设该基板之孔连接于该下晶片至该基板之间;及数个锡球,其设于该基板下表面之下晶片周围;当此多晶片堆叠构造于打线时,可避免该基板在同一区域上承受打线所造成的冲击力,避免不必要的冲击力集中而使该基板发生龟裂。13.依申请专利范围第12项所述之多晶片堆叠构造,其系以一封胶体充填加以包覆该上晶片、第一引线及第二引线。图式简单说明:第一图:习用多晶片堆叠构造之侧视图。第二图:本创作第一较佳实施例多晶片堆叠构造之剖视图。第三图:本创作第二较佳实施例多晶片堆叠构造之剖视图。第四图:本创作第三较佳实施例多晶片堆叠构造之剖视图。第五图:本创作第四较佳实施例多晶片堆叠构造之上视图。第六图:本创作第五较佳实施例多晶片堆叠构造之上视图。 |
