| 主权项 |
1.一种具有MOS型场效电晶体之半导体装置,具有MOS型场效电晶体,以及内藏在该电晶体,且连接于该电晶体之源极与汲极,并在该源极及汲极间施加有与动作时反方向之电压时,于该源极与汲极间形成电流通路之二极体,该二极体与前述源极之接触部系使该二极体之前述源极侧半导体层之导电型的第2导电型高不纯物浓度领域,与该导电型相反的第1导电型领域,或前述第2导电型之低不纯物浓度领域,彼此在平面构造下交互形成之构造。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述MOS型场效电晶体系具有做为汲极领域的第1导电型半导体层,在该第1导电型半导体层扩散形成之第2导电型领域,及在该第2导电型领域之外围部扩散形成的第1导电型领域所成之源极领域,且将夹在该源极领域与前述汲极领域之间的前述第2导电型领域做为通道领域之2重扩散型MOS场效电晶体。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,前述源极系设置成与前述源极领域,及位于该源极领域之前述通道领域之相反侧的前述第2导电型领域之表面相接触者。4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中,前述第2导电型领域在前述第1导电型半导体层内以矩阵状形成,前述源极领域分别在前述第2导电型领域之外围部留存固定间隙,而于该第2导电型领域内以平面形状为环状形成,前述源极则在前述环状源极领域之内围之一定领域,及其内侧之前述第2导电型领域之表面全面形成。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,前述第2导电型领域与前述源极之接触部,为使平面形状为环状之第1导电型高不纯物领域与第2导电型高不纯物领域,彼此交互设置之构造者。6.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,前述第2导电型领域为低不纯物浓度领域,而前述第2导电型领域与前述源极之接触部为使平面形状为环状之第2导电型高不纯物领域,在前述低不纯物浓度之第2导电型领域内,隔有一定间隔而设置之构造者。图式简单说明:第一图为表示本发明一实施形态之MOSFET之剖面构造之放大斜视图。第二图(a)至第二图(b)分别为放大与源极之接触部之构造,但未显示源极之平面图;及其放大剖面图。第三图表示接触部之其他构造例之剖面图。第四图表示习用纵型MOSFET之构造例之图。 |
