| 主权项 |
1.一种避免金属矽化层被侵蚀的半导体晶片清洗方法,其包含有下列步骤:提供一半导体晶片,该半导体晶片之裸露表面系包含有一金属矽化(silicide)层;控制该半导体晶片之温度,使该半导体晶片之温度维持在T1;制备一清洗溶液,该清洗溶液系包含有氨水、过氧化氢以及去离子水;控制该清洗溶液之温度,使该清洗溶液之温度维持在T2;以及使该半导体晶片表面接触该清洗溶液;其中T1系介于室温至45℃之间,T2系介于0至45℃之间,而在T1以及T2下,该清洗溶液可有效去除该半导体晶片表面之残留颗粒,且避免该金属矽化层被侵蚀。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该清洗溶液之氨水、过氧化氢以及去离子水的体积组成比例系介于1:1:5至1:4:60之间。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属矽化层系由矽化钨(tungstensilicide)或矽化钛(titanium silicide)所构成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体晶片之裸露表面另包含有一氮化钛层(titanium nitride layer)或钛(titanium)金属层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体晶片表面接触该清洗溶的时间约为3至10分钟。图式简单说明:第一图为一半导体晶片表面上之金属矽化层在不同SC-1清洗溶液温度下对于侵蚀速率之作图。第二图为本发明半导体晶片表面之部份放大示意图。第三图为本发明进行半导体晶片清洗之流程图。 |
