| 主权项 |
1.一种具溢胶防止结构之半导体封装件,系包括:一导线架,其具有顶面及相对之底面,并在预设位置上结合有一溢胶防止结构,使该导线架顶面位于该溢胶防止结构内之部分与该导线架位于该溢胶防止结构外之其余部分隔离,以在该导线架之顶面位于该溢胶防止结构内之部分上形成一晶片黏置区与一位于该晶片黏置区外侧之焊接区;一黏设于该导线架之晶片黏置区上的半导体晶片;多数导电连接元件,系焊接于该半导体晶片与该导线架之焊接区上,以导电连接该半导体晶片与导线架;一具开槽以部分包覆该导线架之封装胶体,使该半导体晶片与导电连接元件均外露于该开槽中;以及一盖接至该封装胶体上之盖件,以封盖位该开槽而使该开槽中之封装胶体及导电连接元件与外界气密地隔离。2.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该溢胶防止机构系由一成型于该导线架顶面上之胶堤以及一黏贴至该导线架底面上之贴片所构成,且该胶堤系同时与该导线架与贴片相黏结。3.如申请专利范围第2项之半导体封装件,其中,该胶堤系成型于该导线架之焊接区外缘上。4.如申请专利范围第2项之半导体封装件,其中,该胶堤系凸出于导线架之顶面上。5.如申请专利范围第2项之半导体封装件,其中,该胶堤系由该封装胶体之开槽之槽壁相接。6.如申请专利范围第2项之半导体封装件,其中,该贴片系黏接至该导线架之底面位于该晶片黏置区与焊接区下方之位置上。7.如申请专利范围第2项之半导体封装件,其中,该贴片之外侧边系向外超出该焊接区之外缘一适当距离。8.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该导线架系由一晶片座与多数之导脚所构成者。9.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该晶片座之侧边与各导脚之内端间系相隔开一距离而形成一缝隙。10.如申请专利范围第2或9项之半导体封装件,其中,该贴片贴黏至该导线架之底面上后,系分别与该晶片座与导脚黏接而将该缝隙封合。11.如申请专利范围第2或9项之半导体封装件,其中,该胶堤系形成于该导脚上之预设位置,而分别与该导脚与贴片黏接。12.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该导线架系由多数导脚所构成。13.如申请专利范围第12项之半导体封装件,其中,各该导脚之内端系向内集中并间隔开而限定出一中空部。14.如申请专利范围第12项之半导体封装件,其中,各该导脚系由其内端向外依序形成该晶片黏置区及该焊接区。15.如申请专利范围第2或13项之半导体封装件,其中,该贴片黏贴至该导线架之底面上后,系将该中空部封合住。16.如申请专利范围第2项之半导体封装件,其中,该导线架顶面上供胶堤成型之部位上复形成有一凹部。17.如申请专利范围第16项之半导体封装件,其中,该凹部系形成于各该导脚上。18.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该导电连接元件系金线。19.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该胶堤之材料系选自由矽胶、环氧树脂及聚亚醯胺所组成之组群之一者。20.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该贴片系由聚亚醯胺树脂制成者。21.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该贴片系金属片。22.一种具溢胶防止结构之半导体封装件之制法,系包括下列步骤:准备一结合有溢胶防止结构之导线架,使该导线架之顶面位于该溢胶防止结构内之部位与该导线架位于溢胶防止结构外之其余部位隔离开,并于该导线架之顶面位在该溢胶防止结构内之部位上形成有一晶片黏置区及一位在该晶片黏置区外侧之焊接区;将该结合有溢胶防止结构之导线架置入封装模具中,进行模压制程以形成一具有开槽而部分包覆该导线架之封装胶体,令该导线架上之晶片黏置区与焊接区外露于该开槽中;黏设一半导体晶片至该导线架之晶片黏置区上;导电连接该半导体晶片与导线架之焊接区;以及盖接一盖片至该封装胶体上,以对盖住该封装胶体之开槽。23.如申请专利范围第22项之制法,其中,该溢胶防止机构系由一成型于该导线架顶面上之胶堤以及一黏贴至该导线架底面上之贴片所构成,且该胶堤系同时与该导线架与贴片相黏结。24.如申请专利范围第33项之制法,其中,该胶堤系成型于该导线架之焊接区外缘上。25.如申请专利范围第23项之制法,其中,该胶堤系凸出于导线架之顶面上。26.如申请专利范围第23项之制法,其中,该胶堤系由该封装胶体之开槽之槽壁相接。27.如申请专利范围第23项之制法,其中,该贴片系黏接至该导线架之底面位于该晶片黏置区与焊接区下方之位置上。28.如申请专利范围第23项之制法,其中,该贴片之外侧边系向外超出该焊接区之外缘一适当距离。29.如申请专利范围第22项之制法,其中,该导线架系由一晶片座与多数之导脚所构成者。30.如申请专利范围第29项之制法,其中,该晶片座之侧边与各导脚之内端间系相隔开一距离而形成一缝隙。31.如申请专利范围第23或29项之制法,其中,该贴片贴黏至该导线架之底面上后,系分别与该晶片座与导脚黏接而将该缝隙封合。32.如申请专利范围第23或29项之制法,其中,该胶堤系形成于该导脚上之预设位置,而分别与该导脚与贴片黏接。33.如申请专利范围第22项之制法,其中,该导线架系由多数导脚所构成。34.如申请专利范围第33项之制法,其中,各该导脚之内端系向内集中并间隔开而限定出一中空部。35.如申请专利范围第33项之制法,其中,各该导脚系由其内端向外依序形成该晶片黏置区及该焊接区。36.如申请专利范围第23或34项之制法,其中,该贴片黏贴至该导线架之底面上后,系将该中空部封合住。37.如申请专利范围第23项之制法,其中,该导线架顶面上供胶堤成型之部位上复形成有一凹部。38.如申请专利范围第37项之制法,其中,该凹部系形成于各该导脚上。39.如申请专利范围第22项之制法,其中,该导电连接元件系金线。40.如申请专利范围第22项之制法,其中,该胶堤之材料系选自由矽胶、环氧树脂及聚亚醯胺所组成之组群之一者。41.如申请专利范围第22项之制法,其中,该贴片系由聚亚醯胺树脂制成者。42.如申请专利范围第22项之制法,其中,该贴片系金属片。图式简单说明:第一图系本发明第一实施例之半导体封装件之剖视图;第二图A至第二图F系用以说明本发明第一实施例之半导体封装件制程之流程示意图;第三图系本发明第二实施例之半导体封装件之剖视图;以及第四图系本发明第三实施例之半导体封装件之剖视图。 |
