电子装置及半导体封装

摘要

提供一种半导体封装与母板之高连接可靠性的电子装置。又，提供一种介经对于母板之搭载，可得到高可靠性之电子装置的半导体封装。本发明之电子装置系具备：具有元件孔１７ａ，在一主面配设有信号线等之配线１８与外部连接端子及内引线１９等的配线薄膜，及配置于该配线薄膜之元件孔１７ａ内，电气式地连接内引线１９之端部的半导体元件２０，及黏接于配线薄膜之另一主面的形状保持板２２，及在一主面具有连接衬垫的玻璃环氧配线基板２７，及配设于配线薄膜之外部连接端子上，实行与玻璃环氧配线基板２７之连接衬垫之间的电气式连接的焊剂隆起２６，形成保持板２２系由具有与母板之玻璃环氧配线基板２７大约相等之热膨胀系数的金属所构成。

主权项

1.一种电子装置,系具备:在一主面配设连接端子的配线基板;及具有元件孔,在一主面分别配设突出于外部连接端子与上述元件孔的内引线的配线薄膜,及具有配设于该配线薄膜之上述元件孔内,电气式地连接于上述内引线的半导体元件,及由具有与上述配线基板之热膨胀系数大约相等之热膨胀系数之金属所构成,具有配设于围绕上述配线薄膜之另一主面之上述元件孔之领域的框形之形状保持板的半导体封装;及电气式与机械式地连接上述半导体封装之外部连接端子与上述配线基板之连接端子的隆起的电子装置,其特征为:上述形状保持板系由25Cr-20Ni不锈钢,或包含0.01-0.03重量%之Zr的铜合金所构成者。2.如申请专利范围第1项所述之电子装置,其中,上述隆起系Pb-Sn系之焊料隆起者。3.如申请专利范围第1项所述之电子装置,其中,上述半导体封装的半导体元件之外侧配设覆盖构件者。4.如申请专利范围第1项所述之电子装置,其中,上述配线基板系叠层玻璃布-环氧树脂含浸层与铜配线层的玻璃环氧配线基板;上述形状保持板系由具有1310-6-1710-6(/K)之热膨胀系数的金属所构成者。5.一种电子装置,系具备:在一主面配设连接端子的配线基板;及具有元件孔,在一主面分别配设突出于外部连接端子与上述元件孔的内引线的配线薄膜,及具有配设于该配线薄膜之上述元件孔内,电气式地连接于上述内引线的半导体元件,及具有上述之形状保持性,由具有与上述配线基板之热膨胀系数大约相等之热膨胀系数之金属所构成,配置成覆盖上述半导体元件之外侧,具有黏接于上述配线薄膜之另一主面之覆盖构件的半导体封装;及电气式与机械式地连接上述半导体封装之外部连接端子与上述配线基板之连接端子的隆起的电子装置,其特征为:上述覆盖构件系由25Cr-20Ni不锈钢,或包含0.01-0.03重量%之Zr的铜合金所构成者。6.如申请专利范围第5项所述之电子装置,其中,上述隆起系Pb-Sn系之焊料隆起者。7.如申请专利范围第5项所述之电子装置,其中,上述配线基板系叠层玻璃布-环氧树脂含浸层与铜配线层的玻璃环氧配线基板;上述覆盖构件系由具有1310-6-1710-6(/K)之热膨胀系数的金属所构成者。8.一种半导体封装,系具备:具有元件孔,在一主面分别配设突出于外部连接端子与上述元件孔的内引线的配线薄膜,及具有配设于该配线薄膜之上述元件孔内,电气式地连接于上述内引线的半导体元件,及具有1310-6-1710-6(/K)之热膨胀系数的金属所构成,配设于围绕上述配线薄膜之另一主面之上述元件孔之领域的框形之形状保持板的半导体封装,其特征为:上述形状保持板系由25Cr-20Ni不锈钢,或包含0.01-0.03重量%之Zr的铜合金所构成者。9.如申请专利范围第8项所述之半导体封装,其中,在上述外部连接端子上,配设Pb-Sn系之焊料隆起者。10.一种半导体封装,系具备:具有元件孔,在一主面分别配设突出于外部连接端子与上述元件孔的内引线的配线薄膜,及具有配设于该配线薄膜之上述元件孔内,电气式地连接于上述内引线的半导体元件。及具有形状保持性,由具有1310-6-1710-6(/K)之热膨胀系数的金属所构成,配置成覆盖上述半导体元件之外侧,具有黏接于上述配线薄膜之另一主面之覆盖构件的半导体封装,其特征为:上述如覆盖构件系由25Cr-20Ni不锈钢,或包含0.01-0.03重量%之Zr的铜合金所构成者。11.如申请专利范围第10项所述之半导体封装,其中,在上述外部连接端子上,配设Pb-Sn系之焊料隆起者。图式简单说明:第一图系表示本发明之第1实施例的电子装置之要部之构成的部面图。第二图系表示于第一图之电子装置中,介经热膨胀系数之不同金属来构成形状保持板并介经模拟实行温度周期试验之结果的图表。第三图系表示本发明之第2实施例的半导体封装之要部之构成的剖面图。第四图系表示以往之Tape-BGA型半导体封装之构成的斜视图。第五图系表示将QFP实装于母板之电子装置的剖面图。