| 主权项 |
1.一种半导体晶片装置的封装方法追加一,该半导体晶片装置系适于安装在一具有数个焊点的基板上,该方法包含如下之步骤:提供一半导体晶片,该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个设于该焊垫安装表面的焊垫,该等焊垫的位置系不对应于该基板之焊点的位置;提供一钢模,该钢模在其之一表面上之预定的位置系形成有数个导电体容置凹坑;以导电金属胶为材料,于该等导电体容置凹坑形成导电体;及利用一移刷胶头把形成于该导电体容置凹坑内的导电体移至该半导体晶片的焊垫安装表面,各导电体系具有一从该半导体晶片之对应之焊垫延伸出来作为电路轨迹的延伸部和一位于该延伸部之自由端且其之位置系与该基板之对应之焊点之位置对应之作为导电触点的电气连接部。2.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片装置的封装方法追加一,其中,在提供该半导体晶片的步骤中,更包含一以树脂为材料于该半导体晶片之两相邻焊垫之间形成一保护墙。3.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片装置的封装方法追加一,其中,在把形成于该导电体容置凹坑内之导电体移至该半导体晶片之焊垫安装表面的步骤之前,更包含如下之步骤:提供一可防止该等导电体被过度挤压而扩张变形的钢板于该半导体晶片上,该钢板具有与该钢模之凹坑对应的贯孔,以致于带有该等导电体的该移刷胶头可施压于该钢板上,俾将该等导电体转移至该半导体晶片的焊垫安装表面上。4.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片装置的封装方法追加一,其中,在导电体转移至该半导体晶片的步骤之后,更包含于各导电体之电气连接部设置一作为该导电触点之导电金属球的步骤。5.如申请专利范围第4项所述之半导体晶片装置的封装方法追加一,其中,在形成导电金属球的步骤中,该等导电金属球是为电镀有金、银、锡和铝等导电金属材料中之一种的铜球。6.如申请专利范围第4项所述之半导体晶片装置的封装方法追加一,其中,在形成导电金属球的步骤之后,更包含以树脂为材料于该半导体晶片之焊垫安装表面上形成一保护层的步骤,该等导电金属球之至少顶端部份系凸露在该保护层外。7.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片装置的封装方法追加一,其中,在形成导电体的步骤中,该导电金属胶可以是为掺杂有金、银、铜、铁、锡和铝等导电金属材料中之一种的导电金属胶。8.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片装置的封装方法追加一,其中,在导电体转移至该半导体晶片的步骤之后,更包含如下之步骤:提供一第二钢板于该半导体晶片上,该第二钢板系形成有与该等导电体之电气连接部对应的贯孔以致于在形成各贯孔之周壁与该导电体之电气连接部之间系形成一隆起部形成空间;及以导电金属胶为材料,利用印刷手段于各隆起部形成空间形成一作为该导电触点的隆起部。9.如申请专利范围第8项所述之半导体晶片装置的封装方法追加一,其中,在各隆起部形成空间形成隆起部的步骤之后,更包含在该半导体晶片之焊垫安装表面上以树脂为材料形成一保护层的步骤,各导电体之隆起部的至少顶端部份系凸露在该保护层外。10.一种半导体晶片装置追加一,其系适于安装在一具有数个焊点的基板上,该半导体晶片装置包含:一半导体晶片,该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个设于该焊垫安装表面的焊垫,该等焊垫的位置系不对应于该基板之焊点的位置;及数个导电体,各导电体具有一从该半导体晶片之对应之焊垫延伸出来作为电路轨迹的延伸部和一位于该延伸部之自由端且其之位置系与该基板之对应之焊点之位置对应之作为导电触点的电气连接部。11.如申请专利范围第10项所述之半导体晶片装置追加一,其中,在该半导体晶片之两相邻焊垫之间系形成一防止该两相邻焊垫之间之短路的保护墙。12.如申请专利范围第11项所述之半导体晶片装置追加一,其中,该保护墙是由树脂材料制成。13.如申请专利范围第10项所述之半导体晶片装置追加一,更包含数个导电金属球,该等导电金属球系设置于对应之导电体的电气连接部上以作为该导电触点。14.如申请专利范围第13项所述之半导体晶片装置追加一,其中,该等导电金属球是为电镀有金、银、锡和铝等导电金属材料中之一种的铜球。15.如申请专利范围第13项所述之半导体晶片装置追加一,其中,于该半导体晶片之焊垫安装表面上更形成有一保护层,该等导电金属球之至少顶端部份系凸露在该保护层外。16.如申请专利范围第15项所述之半导体晶片装置追加一,其中,该保护层系由树脂材料制成。17.如申请专利范围第10项所述之半导体晶片装置追加一,其中,该导电金属胶可以是为掺杂有金、银、铜、铁、锡和铝等导电金属材料中之一种的导电金属胶。18.如申请专利范围第10项所述之半导体晶片装置追加一,其中,在各导电体之电气连接部上系以导电金属胶为材料形成有一作为该导电触点的隆起部。19.如申请专利范围第18项所述之半导体晶片装置追加一,其中,在该半导体晶片之焊垫安装表面上系形成有一保护层,各导电体之隆起部的至少顶端部份系凸露在该保护层外。20.如申请专利范围第19项所述之半导体晶片装置追加一,其中,该保护层系由树脂材料制成。图式简单说明:第一图系本发明第一较佳实施例之半导体晶片装置之半导体晶片的示意剖视图;第二图系在本发明第一较佳实施例中所使用之钢模的示意顶视图;第三图系第二图之钢模的示意剖视图;第四图至第五图系用以说明在本发明第一较佳实施例中系如何将导电体从钢模移印至半导体晶片的示意剖视图;第六图系描绘本发明第一较佳实施例之半导体晶片装置安装于一基板上的示意剖视图;第七图至第八图系描绘本发明第二较佳实施例之半导体晶片装置之部份封装流程的示意剖视图;第九图系描绘本发明第二较佳实施例之半导体晶片装置安装于一基板上的示意剖视图;第十图系本发明第三较佳实施例之半导体晶片装置的示意剖视图;及第十一图系描绘在本发明之较佳实施例中所使用之半导体晶片的示意顶视图。 |
