| 主权项 |
1.一种双重金属镶嵌结构的制造方法,包括下列步骤:于一基底上形成一介电层;于该介电层上形成一第一光阻层;于该第一光阻层上形成一第二光阻层,其中该第二光阻层具有一比该第一光阻层为低之启始能量;在该第一光阻层和该第二光阻层上方放置一光罩,其中该光罩包括一位于其上之图案化的第一偏光层,以及一位在该图案化的第一偏光层上之图案化的第二偏光层;曝光该第一光阻层和该第二光阻层;显影该第一光阻层和该第二光阻层;以该第二光阻层和该第一光阻层为硬罩幕,去除部分该介电层以形成一介层窗开口与一沟渠线;以及于该沟渠线与该介层窗开口中填入一金属层。2.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该第一偏光层和该第二偏光层将曝光光线极化,而形成之偏极光具不同的极化方向。3.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该第一偏光层和该第二偏光层将曝光光线极化,而形成之偏极光具相互垂直的极化方向。4.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该图案化的第一偏光层具有一图案,该图案与在该第一光阻层或该第二光阻层中形成之图像一致。5.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该图案化的第二偏光层具有一图案,该图案与在该第一光阻层或该第二光阻层中形成之图像一致。6.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中位于该第一偏光层与该第二偏光层同时存在之一区域中的该第一光阻层部分和该第二光阻层部分均不会被曝光。7.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中位于该第一偏光层与该第二偏光层均不存在之一区域中的该第一光阻层部分和该第二光阻层部分可被曝光。8.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中只有位于仅存在该第一偏光层或仅存在该第二偏光层之一区域中的该第二光阻层部分可被曝光。9.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该第一光阻层和该第二光阻层的厚度可随该介层窗开口和该沟渠线所需的深度而改变。10.一种具有两不同水平切面之开口的制造方法,包括下列步骤:于一基底上形成一绝缘层;于该绝缘层上依序形成复数个光阻层,其中一上层之光阻层之启始能量较一下层之光阻层之启始能量为低;在该些光阻层上放置一光罩,其中该光罩包括复数个图案化的偏光层,其中该偏光层之图案与将形成在该些光阻层中图像一致;曝光显影该些光阻层;以及以该些光阻层为硬罩幕,蚀刻部分该绝缘层。11.如申请专利范围第10项所述之具有两不同水平切面之开口的制造方法,其中该绝缘层包括化学气相沉积所形成之氧化层。12.如申请专利范围第10项所述之具有两不同水平切面之开口的制造方法,其中该些偏光层将曝光光线极化,而形成之偏极光具不同的极化方向。13.如申请专利范围第10项所述之具有两不同水平切面之开口的制造方法,其中位于该些偏光层同时存在之一区域中的该些光阻层不会被曝光。14.如申请专利范围第10项所述之具有两不同水平切面之开口的制造方法,其中位于该些偏光层均不存在之一区域中的该些光阻层可被曝光。15.如申请专利范围第10项所述之具有两不同水平切面之开口的制造方法,其中位于仅存在该些偏光层其中之一的一区域中的该些光阻层之一可被曝光。图式简单说明:第一图A至第一图D为习知一种双重金属镶嵌结构的制造流程剖面图;以及第二图A至第二图E为依照本发明之一较佳实施例,一种双重金属镶嵌结构的制造流程剖面图。 |
