| 主权项 |
1.一种自行对准位元线接触窗与节点接触窗制程,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成有一周边MOS主动区与一记忆胞MOS,其中该周边MOS主动区上已形成有一第一闸极与该第一闸极上方之一第一帽盖层,且该记忆胞MOS包含一第二闸极,位于该第二闸极上方之一第二帽盖层,及位于该第二闸极两侧之该基底中的一记忆胞源极/汲极区;形成共形之一绝缘层于该基底上,该绝缘层、该第一帽盖层与该第二帽盖层之材质皆相同;覆盖一光阻层于该记忆胞MOS上;以该光阻层为罩幕,非等向地蚀刻该周边MOS主动区上方之该绝缘层,以形成一第一间隙壁于该第一闸极与该第一帽盖层之侧壁;以该光阻层、该第一帽盖层与该第一间隙壁为罩幕进行离子植入步骤,以形成一周边源极/汲极区于该第一间隙壁两侧之该基底中,而完成一周边MOS;去除该光阻层;沈积一介电层于该基底上;形成一自行对准位元线接触窗开口与一自行对准节点接触窗开口于该第二闸极两侧之该介电层中,而暴露出部分之该绝缘层,同时形成一周边闸极接触窗开口于该第一闸极上方之该介电层中,而暴露出该第一帽盖层;以及非等向地蚀刻该自行对准位元线接触窗开口与该自行对准节点接触窗开口中之该绝缘层,以形成一第二间隙壁于该第二闸极与该第二帽盖层之侧壁,同时蚀穿暴露于该周边闸极接触窗开口中的该第一帽盖层,而暴露出该第一闸极。2.如申请专利范围第1项所述之自行对准位元线接触窗与节点接触窗制程,该制程更包括在形成该绝缘层于该基底上之前,先于该基底上形成共形之一衬氧化层的步骤,并在该第二间隙壁形成之后,接着蚀去暴露出之该衬氧化层。3.如申请专利范围第1项所述之自行对准位元线接触窗与节点接触窗制程,其中该绝缘层包括一氮化矽层。4.如申请专利范围第3项所述之自行对准位元线接触窗与节点接触窗制程,其中该氮化矽层之厚度介于500到1000之间。5.如申请专利范围第1项所述之自行对准位元线接触窗与节点接触窗制程,其中该介电层之材质包括氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之自行对准位元线接触窗与节点接触窗制程,其中该周边MOS主动区上已形成者更包括一淡掺杂汲极(LDD),其系位于该第一闸极两侧之该基底中。7.如申请专利范围第1项所述之自行对准位元线接触窗与节点接触窗制程,该周边闸极接触窗开口系为一周边位元线接触窗开口。8.一种接触窗制程,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成有一周边区域及一记忆胞区域,其中,该周边区域形成一第一闸极与该第一闸极上方之一第一帽盖层,且该记忆胞区域形成一记忆胞电晶体,该电晶体包含一第二闸极与位于该第二闸极上方之一第二帽盖层;形成共形之一绝缘层于该基底上,该绝缘层、该第一帽盖层与该第二帽盖层之材质皆相同;覆盖一光阻层于该记忆胞区域上;以该光阻层为罩幕,形成一周边电晶体,其中该周边电晶体包括一闸极、侧壁之一第一间隙壁与一对周边源极/汲极区于该第一间隙壁两侧之该基底中;去除该光阻层;沈积一介电层于该基底上;形成一接触窗开口于该第二闸极两侧之该介电层中,而暴露出部分之该绝缘层,同时形成一周边接触窗开口于该第一闸极上方之该介电层中,而暴露出该第一帽盖层;以及除去该接触窗开口中之部分该绝缘层,以形成一第二间隙壁于该第二闸极与该第二帽盖层之侧壁,同时蚀穿暴露于该周边闸极接触窗开口中的该第一帽盖层,而暴露出该第一闸极。9.如申请专利范围第8项所述之接触窗制程,该制程更包括在形成该绝缘层于该基底上之前,先于该基底上形成共形之一衬氧化层的步骤,并在该第二间隙壁形成之后,接着蚀去暴露出之该衬氧化层。10.如申请专利范围第8项所述之接触窗制程,其中该绝缘层包括一氮化矽层。11.如申请专利范围第10项所述之接触窗制程,其中该氮化矽层之厚度介于500到1000之间。12.如申请专利范围第8项所述之接触窗制程,其中该介电层之材质包括氧化矽。13.如申请专利范围第8项所述之接触窗制程,其中该周边区域上已形成者更包括一淡掺杂汲极(LDD),其系位于该第一闸极两则之该基底中。14.如申请专利范围第8项所述之接触窗制程,该周边闸极接触窗开口系为一周边位元线接触窗开口。图式简单说明:第一图A-第一图D所绘示为习知自行对准位元线接触窗与节点接触窗制程之流程剖面图;以及第二图A-第二图D所绘示为本发明较佳实施例之自行对准位元线接触窗与节点接触窗制程之流程剖面图。 |
