| 主权项 |
1.一种不同厚度氧化层的制造方法,该制造方法至少包括下列步骤:于一半导体基底上,设有一第一元件区与一第二元件区;于该第一元件区与该第二元件区表面设一第一氧化层;对该第一元件区上该第一氧化层之部分提供一掺质,使该第一元件区上该第一氧化层上,形成一第二氧化层,其中该第一氧化层与该第二氧化层具有不同的性质,且该第二氧化层厚度小于该第一氧化层厚度;以及去除该第一元件区之该第二氧化层,暴露出该第一氧化层表面,使该第一元件区上之第一氧化层,与该第二元件区形成上之第一氧化层之厚度不同。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该掺质为氮气。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该掺质之植入深度由植入能量控制,植入能量约在5kev至10kev。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该掺质之植入深度决定该第二氧化层之厚度。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,使用BOE去除该第二氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第一元件区之该第一氧化层厚度大于该第二元件区上之该第一氧化层厚度。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,去除该第二氧化层以该第一氧化层为蚀刻终点。8.一种不同厚度氧化层的制造方法,该制造方法至少包括下列步骤:a.提供一半导体基底,该半导体基底具有一第一元件区与一第二元件区;b.在该第一元件区与该第二元件区表面形成一第一氧化层;c.对该第一元件区上之该第一氧化层提供一掺质,在该第一元件区上之部份该第一氧化层上形成一第二氧化层,其中该第一氧化层与该第二氧化层具有不同的性质,且该第二氧化层厚度小于该第一氧化层厚度;以及d.去除该第一元件区之该第二氧化层,暴露出该第一氧化层表面,使该第一元件区表面形成一第一厚度之氧化层,该第二元件区形成一第二厚度之氧化层。e.重复b、c与d步骤,形成复数层厚度不同之该些氧化层。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该掺质为氮气。10.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该掺质之植入深度由植入能量控制,植入能量约在5kev至10kev。11.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,使用BOE去除该第二氧化层。12.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该氧化层之第二厚度大于第一厚度。13.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,去除该第二氧化层以该第一氧化层为蚀刻终点。14.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该掺质之植入深度决定该第二氧化层之厚度。图式简单说明:第一图A至第一图C系显示一种习知技艺,其不同厚度氧化层制造方法之流程剖面图。第二图A至第二图C系显示根据本发明较佳实施例,使用不同厚度氧化层制造方法之流程剖面图。 |
