| 主权项 |
1.一种高压电晶体之制造方法,该方法包括下列步骤:定义复数个漂移区于具有一第一导电型态之一半导体基底上;植入具有一第二导电型态的复数个离子于该半导体基底的该些漂移区中至一第一深度;植入具有该第二导电型态的该些离子于该半导体基底的该些漂移区中至一第二深度,其中该第二深度深于该第一深度;植入具有该第一导电型态的复数个离子于该半导体基底中,以作为复数个通道阻绝,该些通道阻绝并与该些漂移区相隔;形成一元件隔离层于该半导体基底的该通道阻绝区上;形成一闸极于该半导体基底之上,且该闸极与该半导体基底之间,以一闸极绝缘层相隔,且该闸极位于该些漂移区之间;以及形成具有该第二导电型态的一源极/汲极掺杂扩散区于该半导体基底的表层中,且该源极/汲极掺杂扩散区位于该闸极之两侧。2.如申请专利范围第1项所述之高压电晶体之制造方法,其中在植入具有该第二导电型态的该些离子于该半导体基底的该些漂移区中至该第一深度与该第二深度的步骤之后更包括进行一热扩散制程的步骤。3.如申请专利范围第2项所述之高压电晶体之制造方法,其中进行该热扩散步骤之温度介于摄氏900度至1100度之间。4.如申请专利范围第1项所述之高压电晶体之制造方法,其中该第一深度介于0.01m至0.2m之间。5.如申请专利范围第1项所述之高压电晶体之制造方法,其中该第一深度介于0.5m至1.5m之间。6.如申请专利范围第1项所述之高压电晶体之制造方法,其中该通道阻绝与相邻之该些漂移区相隔一间距。7.如申请专利范围第6项所述之高压电晶体之制造方法,其中该间距介于0.5m至2.0m之间。8.如申请专利范围第1项所述之高压电晶体之制造方法,其中形成该源极/汲极掺杂扩散区系以一非自行对准的方法进行。9.如申请专利范围第1项所述之高压电晶体之制造方法,其中该第一导电型态为p型,而该第二导电型态为n型。10.如申请专利范围第1项所述之高压电晶体之制造方法,其中控制该第一深度与该第二深度的方法系为固定一植入剂量与改变离子植入能量。11.如申请专利范围第1项所述之高压电晶体之制造方法,其中该植入剂量为31013/cm2。12.如申请专利范围第1项所述之高压电晶体之制造方法,其中控制该第一深度与该第二深度的方法系为固定一离子植入能量与改变植入剂量。13.如申请专利范围第12项所述之高压电晶体之制造方法,其中该离子植入能量为500keV。14.如申请专利范围第1项所述之高压电晶体之制造方法,其中在形成一元件隔离层的步骤之后更包括形成一漂移区的步骤。15.如申请专利范围第1项所述之高压电晶体之制造方法,其中更包括形成二间隙壁于该闸极之两侧的步骤。图式简单说明:第一图a图至第一图f所绘示为习知高压电晶体的制造流程剖面图;第二图a至第二图g所绘示为依照本发明之较佳实施例,一种高压电晶体的制造流程剖面图;第三图a所绘示为在一定的离子植入能量500ek下,改变植入剂量的掺质轮廓模拟结果作图;以及第三图b所绘示为在一定的植入剂量3l013/cm2下,改变离子植入能量的掺质轮廓模拟结果作图。 |
