| 摘要 |
<p>본 발명의 스토리지 커패시터는 실린더형 스토리지 전극용 다결정실리콘층의 내부면과 상부면에만 반구형 입자 실리콘이 성장된다. 그러므로, 반구형 입자 실리콘의 적용으로 스토리지 전극의 표면적을 넓혀서 목표 커패시턴스를 확보하는 동시에, 인접한 스토리지 캐패시터간에 반구형 입자 실리콘으로 인한 마이크로 브리지의 발생을 방지한다. 또한, 실린더형 스토리지 전극용 다결정실리콘층에 해당하는 콘택 개구부가 건식식각 공정에 의해 산화막에 형성될 때 에치 스토퍼막이 사용되므로 식각면의 수직 특성 제어가 가능하다.</p> |
