| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 분리영역 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 분리영역과 반도체기판의 경계영역 상부에 홈이 형성되어 그 홈에서 게이트산화막이 얇게 형성됨에 따라 소자동작시 전류가 집중되어 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 반도체기판의 상부에 순차적으로 제1산화막과 질화막을 형성한 다음 사진식각공정을 통해 질화막과 제1산화막을 식각하고, 계속해서 반도체기판을 소정의 깊이로 식각하여 피지아이구조를 형성하는 공정과; 산화공정을 실시하여 상기 피지아이구조의 표면에 제2산화막을 형성한 다음 상부전면에 절연물질을 형성하는 공정과; 상기 절연물질을 평탄화하여 피지아이구조를 채운 다음 상기 반도체기판과 피지아이구조의 경계영역 상부에 산소이온을 주입하는 공정과; 상기 절연막과 제1산화막을 제거하여 노출된 반도체기판의 상부에 게이트산화막을 형성한 다음 상부전면에 게이트 전극물질을 형성하는 공정으로 이루어지는 반도체소자의 분리영역 형성방법을 통해 분리영역과 액티브영역의 경계영역 상부에서 게이트산화막의 두께를 두껍게 형성함으로써, 소자동작시 전류의 집중을 완화하여 반도체소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.</p> |
