| 摘要 |
<p>과전류 이상 뿐만 아니라 과전압 이상 등 폭넓은 이상을 검지한다. IGBT의 n층(3)에는 매립 게이트 전극(7)과 마찬가지 구조의 매립 센스 전극(8)이 센스 산화막(10)을 사이에 끼워 매설되어 있다. 매립 센스 전극(8)은 n층(3)의 전위를 검지한다. 매립 센스 전극(8)이 검지하는 전위가 n드레인 영역(22), p웰 영역(23) 및 n소스 영역(24)을 갖는 MOSFET(21)의 게이트 임계 전압을 초과할 정도로 높게 되면, MOSFET(21)가 온한다. 이때, IGBT의 게이트 전극(13)과 이미터 전극(11) 사이에 인가되는 게이트 전압은 MOSFET(21)의 온 전압, n캐소드 영역(17)과 p애노드 영역(18)을 갖는 제너 다이오드(16)의 항복 전압 및 p애노드 영역(18)과 n캐소드 영역(20)을 갖는 다이오드(19)의 순방향 전압의 합으로 주어지는 값으로 인하된다.</p> |
