| 主权项 |
1.一种半导体雷射装置,包括:一第1导电型之GaAs半导体基板;一第1导电型之第1覆盖层,其系配设于该半导体基板上,并为由(A1xGa1-x)0.5In0.5P(0<x<1)所构成;一活性层,其系配设于该第1覆盖层之上,并为由键间隙(bond gap)比上述第1覆盖层小之AlGaInP系材料所构成;一第2导电型之第1的第2覆盖层,其系配设于该活性层之上,并为由键间隙比上述活性层大之(AluGa1-u)0.5In0.5P(0<u<1)所构成:一电流阻隔层,具有成为电流通路之带状开口,其系配设于该第1的第2覆盖层之上,并为由键间隙比上述活性层大且含有11017cm-3-51018cm-3之氧原子作为杂质之(AlzGa1-z)0.5In0.5P(0<z≦1)所构成;以及一第2导电型之第2的第2覆盖层,其系介由该电流阻隔层之上述开口而配设于上述第1的第2覆盖层之上,并为由键间隙比上述活性层大之(AlvGa1-v)0.5In0.5P(0<v<1,z>v)所构成。2.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其中第1导电型为n型、第2导电型为p型,n型的掺质为矽、p型的掺质为锌。3.如申请专利范围第2项所述之半导体雷射装置,其中在该电流阻隔层中更包括有杂质浓度为11017cm-3-21018cm-3之矽原子或硫原子。4.一种半导体雷射装置之制造方法,包括下列步骤:一形成第1导电型之第1覆盖层之步骤,其系在第1导电型之GaAs半导体基板上形成由(AlxGa1-x)0.5In0.5P(0<x<l)所构成之第1导电型之第1覆盖层;一形成活性层之步骤,其系在第1覆盖层之上形成由键间隙比第1覆盖层小之AlGaInP系材料所构成之活性层;一形成第2导电型之第1的第2覆盖层之步骤,其系在活性层之上形成由键间隙比活性层大之(AluGa1-u)0.5In0.5P(0<u<1)将构成之第2导电型之第1的第2覆盖层;一形成电流阻隔层之步骤,其系在第1的第2覆盖层之上形成由键间隙比活性层大且含有杂质浓度为11017cm-3-51018cm-3之氧原子的(AlzGa1-z)0.5In0.5P(0<z≦1)所构成之电流阻隔层,且该电流阻隔层具有成为电流通路之带状开口;以及一形成第2导电型之第2的第2覆盖层之步骤,其系介由电流阻隔层之开口而在第1的第2覆盖层之上形成由键间隙比活性层大之(AlvGa1-v)0.5In0.5P(0<v<l,z>v)所构成之第2导电型之第2的第2覆盖层。图式简单说明:第1图系本发明之半导体雷射装置之剖面圃。第2图系本发明之半导体雷射装置之MQW活性层之剖面模式图。第3图(a)及(b)系依据本发明之半导体雷射装置之制造步骤所制成的半导体雷射之剖面图。第4图系本发明之半导体雷射装置之剖面图。第5图系习知的半导体雷射装置之剖面图。 |
