基底处理方法和装置

摘要

一晶圆设置在一晶圆支持台上，而其前侧面向上，和另一晶圆以一晶圆箝夹部份箝夹，而其前侧面向上。晶圆箝夹部份绕着一轴枢转180°以使两晶圆实质平行的互相面对。为了回应取消由晶圆箝夹部份对上晶圆之箝夹，上晶圆之位置以按压销按压以重叠两晶圆。

主权项

1.一种基底处理装置,用以重叠和接触两基底,其特征在于包含:基底操作机构,用以支持该两基底互相面对,和而后取消一基底之支持;和按压机构,其按压一基底之背侧之一部份以回应由该基底操作机构对一基底之支持之取消以重叠一基底在另一基底上。2.如申请专利范围第1项之基底处理装置,其中该按压机构和由基底操作机构取消一基底之支持同时的按压一基底之一部份。3.如申请专利范围第1项之基底处理装置,其中该按压机构在介于两基底间之气体释放为不小于一预定量之前和由基底操作机构取消一基底之支持后按压一基底之一部份。4.如申请专利范围第1项之基底处理装置,其中在由基底操作机构取消一基底之支持后之一段预定时间后,该按压机构按压一基底之一部份。5.如申请专利范围第1项之基底处理装置,其中其中该按压机构在介于两基底间之距离降低至不大于一预定距离之前和由基底操作机构取消一基底之支持后按压一基底之一部份。6.如申请专利范围第1项之基底处理装置,其中该基底操作机构实质水平将支持两基底,且而后取消对该上基底之支持。7.如申请专利范围第1项之基底处理装置,其中该基底操作机构实质水平的支持两基底,且而后取消对该上基底之支持,且该按压机构在介于两基底间之气体因上基底之重量而释放为不小于一预定量之前和由基底操作机构取消该上基底之支持后按压该上基底之一部份。8.如申请专利范围第1项之基底处理装置,其中该基底操作机构分别只由背侧支持两基底。9.如申请专利范围第1项之基底处理装置,其中该基底操作机构包含间隙调整机构用以刚好在取消一基底之支持前调整介于两基底间之间隙。10.如申请专利范围第9项之基底处理装置,其中该间隙调整机构调整介于两基底间之间隙至一预定距离。11.如申请专利范围第9项之基底处理装置,其中该间隙调整机构包含量测机构用以量测两基底之厚度,和根据量测结果调整两基底间之间隙。12.如申请专利范围第1项之基底处理装置,其中该按压机构包含一压力转换构件用以按压该基底和该基底之一部份接触,和振动机构用以振动该压力转换构件。13.如申请专利范围第12项之基底处理装置,其中该振动机构振动按压该基底之该压力转换机构。14.如申请专利范围第1项之基底处理装置,其中该基底操作机构包含第一基底支持机构用以支持一基底以使其前侧面向上,和第二基底支持机构用以由一背侧箝夹另一基底和支持该基底,以使该基底之前侧面对实质平行之一基底之前侧。15.如申请专利范围第14项之基底处理装置,其中该第二基底支持机构包含一箝夹构件用以由背侧箝夹另一基底,且在另一基底由该箝夹构件箝夹后,该箝夹构件绕着安排接近介于该箝夹构件和该第一基底支持机构间之一中央部份之轴枢转180,以翻转所箝夹之另一基底并使另一基底面对由该第一基底支持基构所支持之一基底。16.如申请专利范围第1项之基底处理装置,其中进一步包含基底运送机构用以运送该基底至由该基底操作机构支持之基底之接收位置。17.如申请专利范围第16项之基底处理装置,其中进一步包含基底调整机构用以调整由该基底操作机构支持之基底之方向和中央位置。18.如申请专利范围第17项之基底处理装置,其中该基底调整机构用以调整由该基底操作机构支持之基底之方向和中央位置,且而后该基底运送机构运送已调整中央位置和方向之基底至接收位置。19.一种基底处理方法,用以重叠和接触两基底,其特征在于包含:支持该两基底互相面对,而后取消一基底之支持,和取消实质同时按压一基底之背侧之一部份,和重叠一基底在另一基底上。20.一种基底处理方法,用以重叠和接触两基底,其特征在于包含:支持该两基底互相面对,而后取消一基底之支持,按压一基底之背侧之一部份以回应一基底之支持之取消,重叠一基底在另一基底上。21.一种基底处理方法,用以重叠和接触两基底,其特征在于包含:支持该两基底互相面对,和而后取消一基底之支持,在介于两基底间之气体释放为不小于一预定量之前按压一基底之背侧之一部份,和重叠一基底在另一基底上。22.一种基底处理方法,用以重叠和接触两基底,其特征在于包含:支持该两基底互相面对,而后取消一基底之支持,在一段预定时间逝去后按压一基底之背侧之一部份,和重叠一基底在另一基底上。23.一种基底处理方法,用以重叠和接触两基底,其特征在于包含:支持该两基底互相面对,和而后取消一基底之支持,在介于两基底间之距离降低至不大于一预定距离之前按压一基底之背侧之一部份,和重叠一基底在另一基底上。24.一种基底处理方法,用以重叠和接触两基底,其特征在于包含:实质的水平支持该两基底互相面对,而后取消对上基底之支持,按压上基底之一部份以回应该取消,和重叠上基底在下基底上。25.一种基底处理方法,用以重叠和接触两基底,其特征在于包含:实质的水平支持该两基底互相面对,而后取消对上基底之支持,在介于两基底间之气体因上基底之重量而释放为不小于一预定量之前按压上基底之一部份,和重叠该上基底在下基底上。26.如申请专利范围第19项之基底处理方法,其中该两基底分别只由背侧支持。27.如申请专利范围第19项之基底处理方法,其中刚好在该基底之支持取消之前,介于两基底间之间隙受调整为一预定距离。28.一种基底制造方法,其一部份之处理包含如申请专利范围第19项之基底处理方法。图式简单说明:图1为依照本发明之一实施例之晶圆处理装置之整体安排之示意立体图;图2为图1之晶圆处理装置之部份扩大图;图3为由图1和2之晶圆处理装置沿线A-A'所截取之横截面图;图4至7为由图1和2之晶圆处理装置沿线A-A'所截取之横截面图,其显示晶圆处理装置和两晶圆接触之操作;图8为晶圆处理装置之控制系统之构造例之方块图;图9为晶圆处理装置之控制程序之流程图;图10A至l0F为晶圆黏着方法之步骤图;图11A和11B为晶圆黏着方法之步骤图;和图12为制具之构造之另一例。