| 主权项 |
1.一种防止双闸极中之掺质扩散之方法,包括:在具有一隔离结构与一井之一基底上形成一闸氧化层;在该闸氧化层上形成一多晶矽层;在该多晶矽层上形成一第一导电层;进行一电浆处理步骤,形成一阻障层;以及在该阻障层上形成一第二导电层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一导电层之材质为含矽较多之矽化钨金属。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该第一导电层系以化学气相沉积法进行。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中进行该电浆处理步骤系使用氮气为电浆气体。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中进行该电浆处理步骤系使用氨气为电浆气体。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中进行该电浆处理步骤所使用之操作压力约2mTorr左右,功率为300至500W左右。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该阻障层之材质为氮矽化钨金属。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该阻障层之材质为非结晶之氮矽化钨金属。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该第二导电层系以化学气相沉积法进行。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二导电层之材质为含钨较多之矽化钨金属。11.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括形成一p型闸极与一n型闸极,以及一源极/汲极,以完成该双闸极之制作。图式简单说明:第1A图至第1C图是习知技艺的一种防止双闸极中之掺质扩散之方法剖面流程图。第2A图至第2D图是本发明一较佳实施例的一种防止双闸极中之掺质扩散之方法剖面流程图。 |
