| 主权项 |
1.一种用来形成双井结构之局部离子植入法,包括:提供一基底,该基底上形成有复数个隔离结构,该基底并分为一第一部分与一第二部分;利用一第一光罩于该基底上形成一第一罩幕层,该第一罩幕层遮住该第二部分与该第一部分中之一N型源/汲极预定区,并在该N型源/汲极预定区与该些隔离结构之交接部分留一空隙;以该第一罩幕层为罩幕,对该第一部分进行局部P型井植入,以形成一P型井于该基底内;去除该第一罩幕层;利用一第二光罩于该基底上形成成一二罩幕层,该第二罩幕层遮住该第一部分与该第二部分中之一P型源/汲极预定区,并在该P型源/汲极预定区与该些隔离结构之交接部分留一空隙;以该第二罩幕层为罩幕,对该第二部分进行局部N型井植入,以形成一N型井于该基底内;去除该第二罩幕层;利用该第一光罩于该基底上形成一第三罩幕层;以该第三罩幕层为罩幕,对该第一部分进行局部N型通道植入;去除该第三罩幕层;利用该第二光罩于该基底上形成一第四罩幕层;以及以该第四罩幕层为罩幕,对该第二部分进行局部P型通道植入。2.如申请专利范围第1项所述之用来形成双井结构之局部离子植入法,其中该些罩幕层的材质包括氮化矽。3.如申请专利范围第1项所述之用来形成双井结构之局部离子植入法,其中该些罩幕层的材质包括氧化矽。4.如申请专利范围第1项所述之用来形成双井结构之局部离子植入法,其中该些罩幕层的材质包括光阻层。5.如申请专利范围第1项所述之用来形成双井结构之局部离子植入法,其中该些隔离结构包括浅沟渠隔离结构。6.一种用来形成双井结构之局部罩幕植入法,包括:提供一基底,该基底包括复数个隔离结构,该基底并分为一第一部分与一第二部分;利用一第一光罩于该基底上形成一第一罩幕层,该第一罩幕层遮住该第二部分与该第一部分中一第一型源/汲极预定区,并在该第一型源/汲极预定区与该些隔离结构之交接部分留一空隙;以该第一罩幕层为罩幕,对该第一部分进行局部第二型井植入,以形成一第二型井于该基底内;去除该第一罩幕层;利用一第二光罩于该基底上形成一第二罩幕层,该第二罩幕层遮住该第一部分与该第二部分中一第二型源/汲极预定区,并在该第二型源/汲极预定区与该些隔离结构之交接部分留一空隙;以该第二罩幕层为罩幕,对该第二部分进行局部第一型井植入,以形成一第一型井于该基底内;去除该第二罩幕层;利用该第一光罩于该基底上形成一第三罩幕层;以该第三罩幕层为罩幕,对该第一部分进行局部第一型通道植入;去除该第三罩幕层;利用该第二光罩于该基底上形成一第四罩幕层;以及以该第四罩幕层为罩幕,对该第二部分进行局部第二型通道植入。7.如申请专利范围第6项所述之用来形成双井结构之局部罩幕植入法,其中该些罩幕层的材质包括氮化矽。8.如申请专利范围第6项所述之用来形成双井结构之局部罩幕植入法,其中该些四罩幕层的材质包括氧化矽。9.如申请专利范围第6项所述之用来形成双井结构之局部罩幕植入法,其中该些罩幕层的材质包括光阻层。10.如申请专利范围第6项所述之用来形成双井结构之局部罩幕植入法,其中该些隔离结构包括浅沟渠隔离结构。11.如申请专利范围第6项所述之用来形成双井结构之局部罩幕植入法,其中该第一部分为N型,该第二部分为P型。12.如申请专利范围第6项所述之用来形成双井结构之局部罩幕植入法,其中该第一部分为P型,该第二部分为N型。图式简单说明:第1A图至第1D图是习知一种用来形成双井结构之局部离子植入法流程剖面图;以及第2A图至第2D图是依照本发明一较佳实施例一种用来形成双井结构之局部离子植入法流程剖面图。 |
