| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项中之反射型液晶显示装置的制造方法,其中形成层间绝缘膜的步骤中,绝缘性树脂之曝光系以将非分离图案与分离图案配置于不同的罩膜之分割曝光方式进行,且以上述分离图案之曝光量的20至80%内之预定的曝光量对非分离图案实行曝光。3.如申请专利范围第1项之反射型液晶显示装置的制造方法,其中形成层间绝缘膜的步骤中,绝缘性树脂之曝光系使用在玻璃等之基材上具有包含以20至80%内之预定値遮断紫外线之紫外线过滤层之两层以上的遮光材,并将上述紫外线过滤层配置于对应画素领域之位置的罩膜图案开口部之单膜。4.一种反射型液晶显示装置,系以申请专利范围第1至3项中之任一项的制造方法制成者。5.一种反射型液晶显示装置之制造用罩膜,像使用于制造使具备格子状设置之扫描线及讯号线、TFT、层间绝缘膜及反射画素电极等的第1绝缘性基板,及具备彩色滤光片及对向电极等的第2绝缘性基板相对配置,而于该等基板间注入液晶所构成之反射型液晶显示装置的罩膜,而该罩膜以系在玻璃等之基材上具有包含以20至80%内之预定値遮断紫外线之紫外线过滤层之两层以上的遮光材,并将上述紫外线过滤层配置于对应画素领域之位置的罩膜图案开口部。6.如申请专利范围第5项之反射型液晶显示装置的制造用罩膜,系使用a-Si膜为紫外线过滤层,使用Cr/CrOx膜为将紫外线完全遮断之遮光材。7.一种反射型液晶显示装置,系具备:具有绝缘性基板,形成在上述绝缘性基板上之扫描线、扫描电极及共通电极配线,形成在上述扫描线、扫描电极及共通电极配线上之绝缘膜,隔着上述绝缘膜而形成在上述扫描电极上之半导体层,与上述半导体层共同构成半导体元件之第1电极与第2电极,以及连接于第1电极的讯号线,形成在上述第1电极、第2电极及讯号线上用以吸收上述扫描线、第1电极、第2电极及讯号线的段差,并于其表面形成细密之凹凸的层间绝缘膜,于上述层间绝缘膜上具有由形成在该层间绝缘膜表面之凹凸转印之形状,并含有透过设在上述层间绝缘膜之接触孔与上述第2电极电气的连接之由高反射金属膜形成的反射画素电极之第1基板;以及与上述第1基板共同挟持液晶材料的第2基板,而上述绝缘性基板系处理成不透过UV光的状态。8.如申请专利范围第7项之反射型液晶显示装置,其中前述绝缘性基板为处理成全面不透过UV光的状态。9.如申请专利范围第7项之反射型液晶显示装置,其中前述绝缘性基板为处理成其显示部不透过UV光的状态。10.如申请专利范围第8项或第9项之反射型液晶显示装置,其中前述绝缘性基板是于透明绝缘性基板之单面或双面,或于两块透明绝缘性基板之间形成UV吸收膜而处理成不透过UV光的状态。11.如申请专利范围第8项或第9项之反射型液晶显示装置其中前述绝缘性基板是于透明绝缘性基板之单面或双面,或于两块透明绝缘性基板之间形成金属膜等之UV光不透过膜而处理成不透过UV光的状态。12.如申请专利范围第8项之反射型液晶显示装置,其中前述绝缘性基板系透明或着色之UV遮断玻璃。13.一种反射型液晶显示装置,系具备:具有透明绝缘性基板,形成在上述绝缘性基板上之扫描线、扫描电极及共通电极配线,形成在上述扫描线、扫描电极及共通电极上的绝缘膜,隔着上述绝缘膜而形成在上述扫描电极上之半导体层,以相同于上述半导体层之膜构成的半导体膜,与上述半导体层共同构成半导体元件之第1电极与第2电极,及与第1电极连接之讯号线,形成在上述第1电极、第2电极及讯号线上用以吸收上述扫描线、第1电极、第2电极及讯号线之段差,并于其表面形成细密之凹凸的层间绝缘膜,于上述层间绝缘膜上具有由形成在该层间绝缘膜表面之凹凸转印之形状,并含有透过设在上述层间绝缘膜之接触孔与上述第2电极电气的连接之由高反射金属膜形成的反射画素电极之第1基板;以及与上述第1基板共同挟持液晶材料的第2基板,而上述半导体膜系形成在上述扫描线、讯号线及接触孔形成领域以外的画素领域。14.一种反射型液晶显示装置之制造方法,系使至少在其任一方形成有电极之两块透明绝缘性基板相对的黏着,并于上述两块透明绝缘性基板之间挟持有液晶材料所构成之反射型液晶显示装置的制造方法,包括:于上述两块透明绝缘性基板的一方形成UV光吸收膜或金属膜等之UV光不透过膜及绝缘层的步骤;于上述透咀绝缘性基板之形成有UV光吸收膜或金属膜等之UV光不透过膜及绝缘层的面或于其后面侧形成扫描线、扫描电极及共通电极配缘的步骤;于上述扫描线、扫描电极及共通电极配线上形成绝缘膜的步骤;于上述扫描电极上隔着上述绝缘膜形成半导体层的步骤;形成与上述半导体层共同构成半导体元件之第1电极与第2电极,及形成讯号线的步骤;之在上述第1电极、第2电极及讯号线上涂布具有感光性的树脂,再藉由曝光友显像处理在预定的位置形成接触孔及于表面形成所希望凹凸之层间绝缘膜的步骤;以及于上述层间绝缘膜上及上述接触孔内形成高反射金属膜,并制作图案使其具有形成于上述层间绝缘膜表面之凹凸所转印的形状,并且透过上述接触孔而电气的连接于上述第2电极之反射画素电极的形成步骤。15.一种反射型液晶显示装置之制造方法,系使至少在其任一方形成有电极之UV遮断玻璃及透明绝缘性基板相对的黏着,并于上述UV遮断玻璃与透明绝缘性基板之间挟持有液晶材料所构成之反射型液晶显示装置的制造方法,包括:于上述UV遮断玻璃上形成扫描线、扫描电极及共通电极配线的步骤;于上述扫描线,扫描电极及共通电极配线上形成绝缘膜的步骤;于上述扫描电极上隔着上述绝缘膜形成半导体层的步骤;形成与上述半导体层共同构成半导体元件之第1电极与第2电极,及形成讯号线的步骤;在上述第1电极,第2电极及讯号线上涂布具有感光性的树脂,再藉由曝光及显像处理在预定的位置形成接触孔及于表面形成所希望的凹凸之层间绝缘膜的步骤;以及于上述层间绝缘膜上及上述接触孔内形成高反射金属膜,并制作图案使其具有形成于上述层间绝缘膜表面之凹凸所转印的形状,并且透过上述接触孔而电气的连接于上述第2电极之反射画素电极的形成步骤。16.一种反射型液晶显示装置之制造方法,系使至少在其任一方形成有电极之两块透明绝缘性基板相对的黏着,并于上述两块透明绝缘性基板之间挟持有液晶材料所构成之反射型液晶显示装置的制造方法,包括:于上述两块透明绝缘性基板的一方形成扫描线、扫描电极及共通电极配线的步骤;于上述扫描线,扫描电极及共通电极配线上形成绝缘膜的步骤;于上述扫描电极上隔着上述绝缘膜形成半导体层的步骤;形成与上述半导体层共同构成半导体元件之第1电极与第2电极,及形成讯号线的步骤;于上述第1电极,第2电极及讯号线上涂布具有感光性之树脂的步骤;于涂布有具感光性之树脂的透明性基板之后面侧贴附UV遮断膜的步骤;对上述具有感光性的树脂实施曝光处理的步骤;于剥去上述UV遮断膜之后,实施显像处理而在预定位置形成接触孔及于表面形成有所希望之凹凸之层间绝缘膜的形成步骤;以及于上述层间绝缘膜上及上述接触孔内形成高反射金属膜,并制作图案使其具有形成于上述层间绝缘膜表面之凹凸所转印的形状,并且透过上述接触孔而电气的连接于上述第2电极之反射画素电极的形成步骤。17.一种反射型液晶显示装置之制造方法,系使至少在其任一方形成有电极之两块透明绝缘性基板相对的黏着,并于上述两块透明绝缘性基板之间挟持有液晶材料所构成之反射型液晶显示装置的制造方法,包括:于上述两块透明绝缘性基板的一方形成扫描线、扫描电极及共通电极配线的步骤;于上述扫描线,扫描电极及共通电极配线上形成绝缘膜的步骤;于上述扫描电极上隔着上述绝缘膜形成半导体层及于预定领域形成半导体膜的步骤;形成与上述半导体层共同构成半导体元件之第1电极与第2电极,及形成讯号线的步骤;于上述第1电极,第2电极及讯号线上涂布具有感光性之树脂,再藉由曝光及显像处理在预定的位置形成接触孔及于表面形成所希望的凹凸之层间绝缘膜的步骤;以及于上述层间绝缘膜上及上述接触孔内形成高反射金属膜,并制作图案使其具有形成于上述层间绝缘膜表面之凹凸所转印的形状,并且透过上述接触孔而电气的连接于上述第2电极之反射画素电极的形成步骤。图式简单说明:第1图表示本发明第1实施形态之构成反射型液晶显示装置的TFT阵列基板之部分平面图。第2图(a)至(d)表示本发明第1实施形态之TFT阵列基板的制造方法的一部分剖面图。第3图(a)、(b)表示依本发明第1实施形态作成之层间绝缘膜的表面形状用触针式膜厚计测定的结果。第4图表示本发明第2实施形态之TFT阵列基板之制造方法的一部分剖面图。第5图表示对于a-Si膜厚之h线的透过率(计算値)。第6图表示本发明第3实施形态之反射型液晶显示装置之TFT阵列基板的概略平面图。第7图(a)至(c)表示本发明第3实施形态之反射型液晶显示装置之TFT阵列基板的制造步骤剖面图。第8图表示非晶矽膜之膜厚与紫外线透过率的关系。第9图(a)至(c)表示本发明第3实施形态之另一反射型液晶显示装置之TFT阵列基板之一部分的剖面图。第10图表示用以说明本发明第4实施形态之反射型液晶显示装置之TFT阵列基板的平面图。第11图(a)至(c)表示本发明第5实施形态之反射型液晶显示装置之TFT阵列基板制造步骤的剖面图。第12图表示本发明梯6实施形态之反射型液晶显示装置之TFT阵列基板的概略平面图。第13图表示本发明第6实施形态之反射型液晶显示装置之TFT阵列基板的制造步骤的剖面图。第14图表示本发明第6实施形态之另一反射型液晶显示装置之TFT阵列基板的概略平面图。 |
