| 主权项 |
1.一种在基材上制造一种材料的方法,该材料是选自由金属氧化物、金属氧氮化物及其混合物所组成之族群,其中的金属是指钽、铌、钼或钨,此方法包括:将选自由(R1R2N)xM(=NR3)y、(R4R5N)xM[2-R6N=C(R7)(R8)]y及其混合物所组成之族群的第一反应物与一种氧化剂,以及高达95个体积百分率的氮源进行反应,在所述的基材上制造所述的材料,其中的氮源是选自由氨、N2O、NO、NO2烷基胺,N2H2.烷基联胺、氮及其混合物所组成之族群,其中的:R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7及R8个别代表的是1至6个碳的烷基、芳香基或氢,其中的M是指钽、铌、钨、钼或其混合物,当M为钽或铌时,x=3且y=1,当M为钨或钼时,x=y=2。2.如申请专利范围第1项的方法,其中所述的氧化剂是选自由氧、臭氧、水、过氧化氢、一氧化二氮以及其混合物所组成之族群。3.如申请专利范围第1项的方法,其中所述的材料是金属氧化物。4.如申请专利范围第1项的方法,其中所述的材料是金属氧氮化物。5.如申请专利范围第1项的方法,其中所述的第一反应物是选自由[(CH3CH2)2N]3Nb=NCH2CH3.[(CH3CH2)2N]3Nb[2-CH3CH2N=CH(CH3)]及其混合物所组成之族群。6.如申请专利范围第1项的方法,其中的压力范围为1mTorr到760 mTorr之间。7.如申请专利范围第1项的方法,其中的温度范围为200℃到600℃之间。8.如申请专利范围第1项的方法,其中所述的基材是矽。9.如申请专利范围第1项的方法,其中所述的第1反应物是(R1R2N)xM(=NR3)y及(R4R5N)3M[2-R6N=C(R7)(R8)]的混合物;10.如申请专利范围第1项的方法,其中的前驱物之汽化温度范围为50℃到150℃之间。11.一种在矽基材上制造一种材料的化学气相沈积方法,该材料是选自由氧化钽、氧氮化钽及其混合物所组成之族群,此方法包括:将选自由[(CH3CH2)2N]3Ta=NCH2CH3.[(CH3CH2)2N]3Ta[2-CH3CH2N=CH(CH3)]及其混合物所组成之族群的第一反应物与一种选自由氧、臭氧、水、过氧化氢、一氧化二氮及其混合物所组成之族群的氧化剂,以及高达95个体积百分率的氮源进行反应,在所述的矽基材上制造所述的材料,其中的氮源是选自由氨、N2O、NO、NO2.烷基胺、N2H2烷基联胺、氮及其混合物所组成之族群。12.如申请专利范围第11项的方法,其中所述的第一反应物是[(CH3CH2)2N]3Ta=NCH2CH3及[(CH3CH2)2N]3Ta[2-CH3CH2N=CH(CH3)]的混合物。13.一种在矽基材上制造氧化钽的化学气相沈积方法,包括:将选自由[(CH3CH2)2N]3Ta=NCH2CH3.[(CH3CH2)2N]3Ta[2-CH3CH2N=CH(CH3)]及其混合物所组成之族群的第一反应物与一种选自自氧、臭氧、水、过氧化氢、一氧化二氮及其混合物所组成之族群的氧化剂,在所述的矽基材上制造所述的氧化钽。14.如申请专利范围第13项的方法,其中所述的第一反应物是[(CH3CH2)2N]3Ta=NCH2CH3及[(CH3CH2)2N]3Ta[2-CH3CH2N=CH(CH3)]的混合物。15.一种在矽基材上制造一种材料的化学气相沈积方法,该材料是选自由氧化钨、氧氮化钨及其混合物所组成之族群,此种方法包括:将选自由[(CH3CH2)2N]2W(=NCH2CH3)2.[(CH3CH2)2N]2W[2-CH3CH2N=CH(CH3)]2及其混合物所组成之族群的第一反应物与一种选自由氧、臭氧、水、过氧化氢、一氧化二氮以及其混合物所组成之族群的氧化剂,以及高达95个体积百分率的氮源进行反应,在所述的矽基材上制造所述的材料,其中的氮源是选自由氨、N2O、NO、NO2.烷基胺、N2H2.烷基联胺、氮及其混合物所组成之族群。16.一种在矽基材上制造一种材料的化学气相沈积方法,该材料是选自由氧化钼、氧氮化钼及其混合物所组成之族群,此种方法包括:将选自由[(CH3CH2)2N]2Mo(=NCH2CH3)2.[(CH3CH2)2N]2Mo[2-CH3CH2N=CH(CH3)]2及其混合物所组成之族群的第一反应物与一种选自由氧、臭氧、水、过氧化氢、一氧化二氮以及其混合物所组成之族群的氧化剂,以及高达95个体积百分率的氮源进行反应,在所述的矽基材上制造所述的材料,其中的氮源是选自由氨、N2O、NO、NO2.烷基胺、N2H2.烷基联胺、氮及其混合物所组成之族群。17.一种在矽基材上制造一种材料的化学气相沈积方法,该材料是选自由氧化铌、氧氮化铌及其混合物所组成之族群,此种方法包括:将选自由[(CH3CH2)2N]3Nb=NCH2CH3)、[(CH3CH2)2N]3Nb[2-CH3CH2N=CH(CH3)]及其混合物所组成之族群的第一反应物与一种选自由氧、臭氧、水、过氧化氢、一氧化二氮以及其混合物所组成之族群的氧化剂,以及高达95个体积百分率的氮源进行反应,在所述的矽基材上制造所述的材料,其中的氮源是选自由氨、N2O、NO、NO2.烷基胺、N2H2.烷基联胺、氮及其混合物所组成之族群。18.一种在基材上制造一种混合金属成份的方法,此方法包括(1):是将选自由(R1R2N)xM(=NR3)y、(R4R5N)xM[2-R6N=C(R7)(R8)]y及其混合物所组成之族群的第一反应物与一种氧化剂以及高达95个体积百分率的氮源进行反应,在基材上制造一种选自由金属氧化物,金属氧氮化物及其混合物所组成之族群的材料,其中该氮源是选自由氨、N2O、NO、NO2.烷基胺、N2H2.烷基联胺、氮及其混合物所组成之族群,其中的R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7及R8个别代表的是1至6个碳的烷基、芳香基或氢,其中的M是指钽、铌、钨、钼或其混合物,当M为钽或铌时,x=3且y=1,当M指钨或钼时,x=y=2;(2)将钽、铌、钼或钨以外之额外的一种或更多种金属前驱物裂解,在基材上形成这些一种或更多种额外的金属。19.如申请专利范围第18项的方法,其中所述之额外的金属前驱物是选自由金属烷化物、金属烷氧化物、金属环戊二烯化合物、金属羧基化合物、金属卤化物、金属氢化物、金属氨化物、金属叠氮化合物、金属的-二酮酸酯、金属的-酮亚胺酸酯、金属的-二亚胺酸酯、及其含氟取代的类似化合物,以及其混合物所组成之族群。20.如申请专利范围第19项的方法,其中所述之额外的金属前驱物是与所述的第一反应物共沈积。 |
