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SE SUMINISTRA UNA ESTRUCTURA MULTIESTRATIFICADA PARA FABRICAR UN ELECTRODO OHMICO PARA SEMICONDUCTORES DE COMPUESTOS III - V TALES COMO SEMICONDUCTORES GAAS QUE TIENE CARACTERISTICAS PRACTICAMENTE SATISFACTORIAS Y UN ELECTRODO OHMICO OBTENIDO MEDIANTE LA MISMA. SOBRE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DE UN COMPUESTO III - V TAL COMO UN SUBSTRATO GAAS DE TIPO N{SUP,+}, SE APILAN SECUENCIALMENTE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE CRISTAL NO SIMPLE TAL COMO UNA CAPA DE IN{SUB,0.7} GA{SUB,0.3} AS DE CRISTAL NO SIMPLE, UNA PELICULA DE METAL, TAL COMO UNA PELICULA DE NI, UNA PELICULA DE NITRURO DE METAL TAL COMO UNA PELICULA DE WN Y UNA PELICULA DE METAL REFRACTARIO TAL COMO UNA PELICULA DE W MEDIANTE SUBLIMACION METALICA, ETC. Y SUBSECUENTEMENTE SE MODELA MEDIANTE DESPEGUE, ETC. PARA EFECTUAR UNA ESTRUCTURA MULTIESTRATIFICADA PARA FABRICAR ELECTRODOS OHMICOS. LA ESTRUCTURA ES RECOCIDA ENTRE 500 Y 600 UNDO MEDIANTE, POR EJEMPLO EL METODO RTA PARA FABRICAR UN ELECTRODO OHMICO.
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