| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜电晶体结构,其中该通道层比该闸极层宽,形成一补偿区域于该闸极层两侧。3.如申请专利范围第2项所述之多晶矽薄膜电晶体结构,其中于该闸极层两侧之该补偿区域有相等尺寸。4.一种形成多晶矽薄膜电晶体之方法,包括:提供一基厎,其上形成有一闸极层;依序形成一闸极介电层,一非晶矽层,一矽键保护介电层,以及一光阻层覆盖于该闸极层及该基底上,其中该矽键保护介电层含有可修补游动矽键之一元素;形成一光阻图案层,位于闸极层上方,其中以该闸极层为一光罩,对该光阻层进行背面曝光及显影;进行一再热流(reflow)制桯,将该光阻图案层软化,使一底部面积扩大,该底部面积大于该闸极层;于该光阻图案层固化后,以该光阻图案层为一蚀刻罩幕层,蚀刻该矽键保护介电层以暴露出一部份之该非晶矽层;形成一掺杂介电层,覆盖于该非晶矽层之上;进行一热回火制程,其中该非晶矽层被转化成一多晶矽层,而同时该掺杂介电层中的掺质,自行扩散到该多晶矽层中,以形成一掺杂区,该矽键保护介电层中的掺质自行扩散到该多晶矽层中,以形成一通道区于该闸极层上方;以及移除该矽键保护介电层及该掺杂介电层。5.如申请专利范围第4项所述之形成多晶矽薄膜电晶体之方法,其中该热回火制程包括一雷射热回火。6.如申请专利范围第5项所述之形成多晶矽薄膜电晶体之方法,其中该雷射热回火的能量约为100mJ至400mJ之间。7.如申请专利范围第4项所述之形成多晶矽薄膜电晶体之方法,其中该矽键保护介电层包括含氟氧化矽。8.如申请专利范围第4项所述之形成多晶矽薄膜电晶体之方法,其中该矽键保护介电层包括含氢氧化矽。9.如申请专利范围第4项所述之形成多晶矽薄膜电晶体之方法,其中该掺杂介电层包括,含磷掺质介电层。10.如申请专利范围第4项所述之形成多晶矽薄膜电晶体之方法,其中该掺杂介电层包括,含硼掺质介电层。11.如申请专利范围第4项所述之形成多晶矽薄膜电晶体之方法,其中进行该再热流制程之该步骤,包括一操作温度约于100度至250度之间。12.如申请专利范围第4项所述之形成多晶矽薄膜电晶体之方法,其中进行该再热流制程之该步骤中,该底部面积是依一自行对准方式扩张。图式简单说明:第1A-1E图绘示一传统方法形成的薄膜电晶体的剖面图;以及第2A-2E图绘示依照本发明,形成一薄膜电晶体的方法之剖面图。 |
