| 摘要 |
<p>다단계 화학 기상 증착 방법에 의하여 염소 함량이 낮은 다층 TiN막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 하지막이 형성된 반도체 기판상에 다단계 CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법에 의하여 다층 TiN막을 형성한다. 상기 다층 TiN막을 형성하기 위하여, 상기 하지막의 바로 위에 제1 TiN막을 형성한 후 NH어닐링하여 하지막 보호 TiN막을 형성하고, 상기 하지막 보호 TiN막 위에 제2 TiN막을 형성한 후 NH어닐링하여 메인(main) TiN막을 형성한다. 상기 제1 TiN막을 형성하기 위하여 사용되는 소스 가스는 상기 제2 TiN막을 형성하기 위한 소스 가스보다 TiCl가스 대 NH가스 유량비가 더 작다. 본 발명에 따른 다층 TiN막을 반도체 소자의 제조에 적용하기 위하여, 본 발명에서는 반도체 기판상에 콘택홀을 갖춘 절연막을 형성한다. 상기 콘택홀의 내벽에 Ti막을 형성한다. 다단계 CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법에 의하여 상기 Ti막 위에 다층 TiN막을 형성한다. 상기 다층 TiN막 위에 금속 플러그를 형성한다.</p> |
