| 主权项 |
1.一种液晶显示元件之制造方法,其特征在于包含于一对的透明基板上设有透明电极及半导体元件之步骤,于该基板上依指定的图案涂布光阻之步骤,使该基板上之光阻曝光的步骤,蚀刻该基板之步骤,剥离该基板上之光阻的步骤,检查该透明电极及半导体元件之步骤,于该基板上涂布绝缘膜之步骤,于该基板上涂布配向膜之步骤,其后摩擦该基板上的配向膜之步骤,于该基板上散布间隔球之步骤,于该基板上涂布密封剂之步骤,叠合该基板之步骤,于该基板之间设有指定的间隙之步骤,将该基板分别切断成指定尺度之步骤,将液晶材料封入该间隙间之步骤,贴合偏光板于该基板上的步骤,及连接驱动器IC于前述透明电极等步骤的液晶显示元件之制法方法中,于前述涂布绝缘膜之步骤或于涂布配向膜之步骤中,在气体中以2-300秒照射波长为1.3-3.1之软X射线至该基板上。2.如申请专利范围第1项之液晶显示元件之制造方法,其中软X射线之照射能量为4-9.5KeV。3.如申请专利范围第1项之液晶显示元件之制造方法,其中由基板至软X射线为止的距离为1500mm以下。4.如申请专利范围第1项之液晶显示元件之制造方法,其中液晶材料系含有以一般式(2)或一般式(3)(此等式内,R1及R3各自独立表示碳数1-10之直链状烷基或碳数2-10之烯基,R2及R4各自独立表示碳数1-10之直链状烷基或烷氧基、-CN、氟原子、氯原子、-CF3.-CHF2.-OCF3或-OCHF2.S1.S2.S3及S4各自独立表示氢原子、氟原子、氯原子、-CF3.-CHF2.-OCF3或=OCHF2.Z1,Z2及Z3各自独立表示-COO-、-CH2CH2-、-C≡C-或单键键结、A1.A2及A3各自独立表示)表示的化合物之至少一种之混合物。图式简单说明:第1图为与本发明有关的光阻涂布装置之一例的正面图。第2图为与本发明有关的光阻涂布装置之一例的侧面图。第3图为与本发明有关的光阻涂布装置之一例之平面图。第4图为与本发明有关的配向膜涂布装置之一例之正面图。第5图为与本发明有关的配向膜涂布装置之一例之侧面图。第6图为与本发明有关的配向膜涂布装置之一例之平面图。 |
