发明名称 化学机械研磨装置降低研磨剂使用量之方法
摘要 本发明主要是提供一种能让研磨剂于研磨过程中被充分使用之研磨剂供应制程条件,根据本发明之制程条件可降低研磨剂之使用量,但却不会影响晶片之研磨速率,因此可让单位时间内之晶片产出率保持一定,根据本发明之方法是在进行研磨制程时,让研磨剂分布系统重复开启、关闭,间歇性地将研磨剂施加于研磨垫上,让研磨剂于停止供应阶段能充分被利用来减少使用量。
申请公布号 TW483803 申请公布日期 2002.04.21
申请号 TW090119950 申请日期 2001.08.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈科维;王廷君;张仕宗;林俞谷;王英郎;陈铭温;魏国修
分类号 B24B57/02 主分类号 B24B57/02
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种降低化学机械研磨制程中研磨剂使用量之方法,该方法至少包含下列步骤:提供研磨剂于研磨垫上并持续第一时间间隔;停止提供该研磨剂于该研磨垫上并持续第二时间间隔;及重复上述步骤直到该化学机械研磨制程结束。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之提供研磨剂于研磨垫上与停止提供该研磨剂于该研磨垫上之步骤可循环交替进行,但循环交替进行之第一步骤与最后一步骤必须为提供研磨剂于研磨垫上之步骤。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一时间间隔与第二时间间隔比不大于2。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二时间间隔开始于停止提供该研磨剂于该研磨垫上,结束于当研磨率降低至一预先设之値。5.一种应用于化学机械研磨制程降低研磨剂使用量之方法,该方法至少包含下列步骤:旋转研磨垫至一定速度;提供研磨剂于研磨垫上并持续第一时间间隔;停止提供该研磨剂于该研磨垫上并持续第二时间间隔;重复上述提供研磨剂之步骤及停止提供该研磨剂之步骤直到该化学机械研磨制程皓束;以及停止研磨垫旋转。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之提供研磨剂于研磨垫上与停止提供该研磨剂于该研磨垫上之步骤可循环交替进行,但循环交替进行之第一步骤与最后一步骤必须为提供研磨剂于研磨垫上之步骤。7.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之第一时间间隔与第二时间间隔比不大于2。8.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之第二时间间隔长度开始于停止提供该研磨剂于该研磨垫上,结束于当研磨率降低至一预先设定値。图式简单说明:第一图显示传统之化学机械研磨装置;第二图显示传统之化学机械研磨装置的侧视图;第三图为在研磨剂停止供应后之研磨率曲线图;第四图为本发明与传统上研磨剂供应时间之比较图。
地址 新竹科学工业园区新竹县园区三路一二一号