| 主权项 |
1.一种工件晶体取向调整方法,系在一工件装至一线锯之一工件支撑机构前进行,其包括有下列步骤:在具结晶结构之该工件之转动与平行方向上,量取该工件之晶体取向;依该工件所量取之该转动方向上之晶体取向値、将该工件以一中心轴旋转,藉此,调整该工件在转动方向上之晶体取向;在该工件之外表面上标记,以指明该工件在转动方向上之参考位置;将一辅助板附着至该工件相对标记之环绕外表面上,该辅助板系相对该标记定位、且平行于该工件之该中心轴;将附有该工件之该辅助板架设至一取向调整机构上,该取向调整机构系设于一支撑基底上,而该支撑基底系可架设至该线锯之该工件支撑机构上;依该工件所量取之该平行方向上之晶体取向値、将工件之该中心轴在相对该支撑基底之一水平面上平移,藉此,调整该工件在该水平方向上之晶体取向;以及在该工件调整好该转动与该水平方向上之晶体取向后,再以一预定角度,将该支撑基底附着至该工件支撑机构上。2.如申请专利范围第1项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述用以标示该转动方向参考位置之该标记,系设于该工件之端面与外环面上。3.如申请专利范围第1项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该工件晶体取向之量测,系以一X光取向量测装置进行。4.如申请专利范围第2项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该工件晶体取向之量测,系以一X光取向量测装置进行。5.如申请专利范围第1项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该标记之标定,系在该工件进出一晶体取向量测位置时进行。6.如申请专利范围第2项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该标记之标定,系在该工件进出一晶体取向量测位置时进行。7.如申请专利范围第3项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该标记之标定,系在该工件进出一晶体取向量测位置时进行。8.如申请专利范围第4项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该标记之标定,系在该工件进出一晶体取向量测位置时进行。9.如申请专利范围第1项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该标记中之每一该标记,系由二平行线组成,该二平行镍在该该辅助板之宽度方向相距一距离。10.如申请专利范围第2项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该标记中之每一该标记,系由二平行线组成,该二平行镍在该该辅助板之宽度方向相距一距离。11.如申请专利范围第3项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该标记中之每一该标记,系由二平行线组成,该二平行线在该该辅助板之宽度方向相距一距离。12.如申请专利范围第4项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该标记中之每一该标记,系由二平行线组成,该二平行线在该该辅助板之宽度方向相距一距离。13.如申请专利范围第5项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该标记中之每一该标记,系由二平行线组成,该二平行线在该该辅助板之宽度方向相距一距离。14.如申请专利范围第6项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该标记中之每一该标记,系由二平行线组成,该二平行腺在该该辅助板之宽度方向相距一距离。15.如申请专利范围第7项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该标记中之每一该标记,系由二平行线组成,该二平行线在该该辅助板之宽度方向相距一距离。16.如申请专利范围第8项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该标记中之每一该标记,系由二平行线组成,该二平行线在该该辅助板之宽度方向相距一距离。17.如申请专利范围第1项所述之工件晶体取向调整方法,其中所述之该工件在该辅助板上之该工件水平方向之晶体取向调整,系于该工件以一支撑板支撑时进行。18.一工件晶体取向调整装置,系运用于一具有一工件支撑机构之线锯上,其包括有;一晶体取向量测装置(76),系用以量测具有结晶结构之该工件在一转动与一水平方向上之晶体取向;一转向调整装置(77),系用以将该工件以一中心轴旋转,乃依该工件所量取之该转动方向上之晶体取向値,调整该工件在该转动方向上之晶体取向;一标记装置(78),系用以提供标记(M1.M2),以于该工件之一外表面上、指明该工件之参考位置;将一辅助板附着至该工件相对该标记之该外表面上之装置(93.94.95.96),该辅助板系相对该标记定位、且平行于该工件之该中心轴;多数个水平取向调整机构(44),系设于一支撑基底(40)上,该支撑基底系可架设至该线锯之该工件支撑机构上,藉以、依该工件所量取之该水平方向上之晶体取向値,将该工件之该中心轴在相对该支撑基底之一水平面上平移,藉此调整该工件在该水平方向上之晶体取向;以及将该支撑基底(40)附着至该工件支撑机构(21)上之装置(41),系用以于该工件调整好该转动与该水平方向上之该晶体取向后,以一预定角度将该支撑基底附着至该工件支撑机构上。19.如申请专利范围第18项所述之工件晶体取向调整装置,其中所述用以标示该转动方向参考位置之该标记,系设在该工件之轴向端面与外环面上。20.如申请专利范围第18项所述之工件晶体取向调整装置,其中所述之该晶体取向量测装置,系包括一X光取向量测装置。21.如申请专利范围第19项所述之工件晶体取向调整装置,其中所述之该晶体取向量测装置,系包括一X光取向量测装置。22.如申请专利范围第18项所述之工件晶体取向调整装置,其中所述之该标记之每一标记,系由二平行线组成,该二平行线并在辅助板宽度之方向上相隔一距离。23.如申请专利范围第18项所述之工件晶体取向调整装置,其中所述之该多数値水平取向调整机构(44)系以多数个该工件可同时切割之方式、架设于该支撑基底(40)上。24.如申请专利范围第18项所述之工件晶体取向调整装置,其中所述之该工件支撑机构系包括多数个该支撑基底(40),每一该支撑基底(40)具有该水平取向调整机构(44)。25.如申请专利范围第18项所述之工件晶体取向调整装置,其中所述之该标记装置(78)又包括有:至少一标记器(89);以及移动该工件之装置(81.83.84),其系设于该晶体取向量测装置之一量测位置与位于该量测位置外侧之一进出位置间。26.如申请专利范围第19项所述之工件晶体取向调整装置,其中所述之该标记装置(78)又包括有:至少一标记器(89);移动该标记器之装置(97.90);以及移动该工件之装置(81.83.84),其系设于该晶体取向量测装置之一量测位置与位于该量测位置外侧之一进出位置间。图式简单说明:图1系为运用本发明工件晶体取向调整方法之一实施例一线锯之前视图;图2系为图1线锯之上视图;图3系为工件晶体取向调整方法步骤之连续示意图;图4(a)系为相关于工件晶体取向量测装置之结构之立体图;图4(b)系为一标记头操作步骤之示意图;图5系为一工件架设结构之部分放大之前视图,用以显示如何将一工件架设至一工件支撑机构上;图6系为图5中结构之主要部份之断面侧视图,用以显示如何架设一工件;图7系为图6中沿VII-VII线之剖面图;图8系为图6结构之主要部份之断面侧视图,以再次放大之方式显示一支撑基底;图9系为图8中之支撑基底主要部份之断面上视图;以及图10系为图8中沿X-X线之剖面图。 |
