| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫;第二半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫,由比前述第一半导体晶片大的平面尺寸构成;多数第一信号引线:各自有内部及外部,前述各自的内部透过导电性细线分别电气连接于前述第一半导体晶片及第二半导体晶片之各电极;支持引线:有内部及外部,以前述内部支持前述第二半导体晶片;及,树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、第二半导晶片、引线之内部、支持引线之内部及细线,上述多数第一信号引线之内部前端系于上述第二半导体晶片之侧面附近终止,前述第一半导体晶片在使前述第一半导体晶片之背面和前述第二半导体晶片之电路形成面相对的状态黏接固定于前述第二半导体晶片,前述支持引线之内部黏接固定于前述第二半导体晶片之电路形成面者。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中更包含各自具备内部及外部之多数第二信号引线,上述多数第二信号引线之内部之一部分系配置于上述第二半导体晶片之电路形成面上,上述多数第二信号引线之内部前端系于上述第一半导体晶片之侧面附近终止,上述多数第二信号引线系藉由导电性细线电连接于上述第一半导体晶片之多数电极垫。3.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫;第二半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫,由比前述第一半导体晶片大的平面尺寸构成;多数引线:各自有内部及外部,前述各自的内部透过导电性细线分别电气连接于前述第一半导体晶片及第二半导体晶片之各电极;支持引线:有内部及外部,以前述内部支持前述第二半导体晶片;及,树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、第二半导体晶片、引线之内部、支持引线之内部及细线,前述第一半导体晶片在使前述第一半导体晶片之背面和前述第二半导体晶片之背面相对的状态黏接固定于前述第二半导体晶片,前述支持引线之内部黏接固定于前述第二半导体晶片之背面者。4.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫;第二半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫,由比前述第一半导体晶片大的平面尺寸构成;多数引线:各自有内部及外部,前述各自的内部透过导电性细线分别电气连接于前述第一半导体晶片及第二半导体晶片之各电极;支持引线:有内部及外部,以前述内部支持前述第一半导体晶片及第二半导体晶片;及,树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、第二半导体晶片、引线之内部、支持引线之内部及细线,前述第一半导体晶片在使前述第一半导体晶片之背面和前述第二半导体晶片之电路形成面相对的状态黏接固定于前述第二半导体晶片,前述支持引线之内部黏接固定于前述第一半导体晶片之电路形成面及第二半导体晶片之电路形成面者。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中前述引线之内部一部分配置于前述第二半导体晶片之电路形成面上。6.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫;第二半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫,由比前述第一半导体晶片大的平面尺寸构成;多数引线:各自有内部及外部,前述各自的内部透过导电性细线分别电气连接于前述第一半导体晶片及第二半导体晶片之各电极;支持引线:有内部及外部,以前述内部支持前述第一半导体晶片及第二半导体晶片;及,树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、第二半导体晶片、引线之内部、支持引线之内部及细线,前述第一半导体晶片在使前述第一半导体晶片之背面和前述第二半导体晶片之背面相对的状态黏接固定于前述第二半导体晶片,前述支持引线之内部黏接固定于前述第一半导体晶片之电路形成面及第二半导体晶片之背面者。7.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫;第二半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫,由比前述第一半导体晶片大的平面尺寸构成;多数引线:各自有内部及外部,前述各自的内部透过导电性细线分别电气连接于前述第一半导体晶片及第二半导体晶片之各电极;支持引线:有内部及外部,以前述内部支持前述第一半导体晶片及第二半导体晶片;及,树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、第二半导体晶片、引线之内部、支持引线之内部及细线,前述第一半导体晶片在将前述树脂密封体的树脂介于前述第一半导体晶片之背面和前述第二半导体晶片之电路形成面之间的状态配置于前述第二半导体晶片上,前述支持引线之内部黏接固定于前述第一半导体晶片之电路形成面及第二半导体晶片之电路形成面者。8.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中前述引线之内部一部分配置于前述第二半导体晶片之电路形成面上。9.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫;第二半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫,由比前述第一半导体晶片大的平面尺寸构成;多数引线:各自有内部及外部,前述各自的内部透过导电性细线分别电气连接于前述第一半导体晶片及第二导体晶片之各电极;支持引线:有内部及外部,以前述内部支持前述第一半导体晶片及第二半导体晶片;及,树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、第二半导体晶片、引线之内部、支持引线之内部及细线,前述第一半导体晶片在将前述树脂密封体的树脂介于前述第一半导体晶片之背面和前述第二半导体晶片之背面之间的状态配置于前述第二半导体晶片上,前述支持引线之内部黏接固定于前述第一半导体晶片之电路形成面及第二半导体晶片之背面者。10.如申请专利范围第1至9项中任一项之半导体装置,其中前述支持引线为兼用作电源引线或基准电位引线的构造。11.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:具备准备具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫的第一半导体晶片,再准备具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫,由比前述第一半导体晶片大的平面尺寸构成的第二半导体晶片的制程;黏接固定前述第一半导体晶片之背面和前述第二半导体晶片之电路形成面而形成晶片层叠体的制程;在前述第二半导体晶片之电路形成面黏接固定支持引线之内部的制程;透过导电性细线电气连接前述第一半导体晶片及第二半导体晶片之各电极垫和多数引线各自之内部的制程;及,以树脂密封体密封前述第一半导体晶片、第二半导体晶片、引线之内部、支持引线之内部及细线的制程者。12.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中具备将前述引线之内部一部分配置于前述第二半导体晶片之电路形成面上的制程。13.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:具备准备具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫的第一半导体晶片,再准备具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫,由比前述第一半导体晶片大的平面尺寸构成的第二半导体晶片的制程;黏接固定前述第一半导体晶片之背面和前述第二半导体晶片之背面而形成晶片层叠体的制程;在前述第二半导体晶片之背面黏接固定支持引线之内部的制程;透过导电性细线电气连接前述第一半导体晶片及第二半导体晶片之各电极垫和多数引线各自之内部的制程;及,以树脂密封体密封前述第一半导体晶片、第二半导体晶片、引线之内部、支持引线之内部及细线的制程者。14.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:具备准备具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫的第一半导体晶片,再准备具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫,由比前述第一半导体晶片大的平面尺寸构成的第二半导体晶片的制程;使前述第一半导体晶片之背面和前述第二半导体晶片之电路形成面对向,如形成将间隙介于两者之间的晶片层叠体般地以支持引线之内部固定支持两者的制程;透过导电性细线电气连接前述第一半导体晶片及第二半导体晶片之各电极垫和多数引线各自之内部的制程;及,以树脂密封体密封前述第一半导体晶片、第二半导体晶片、引线之内部、支持引线之内部及细线的制程者。15.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其中具备将前述引线之内部一部分配置于前述第二半导体晶片之电路形成面上的制程。16.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:具备准备具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫的第一半导体晶片,再准备具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫,由比前述第一半导体晶片大的平面尺寸构成的第二半导体晶片的制程;使前述第一半导体晶片之背面和前述第二半导体晶片之背面对向,如形成将间隙介于两者之间的晶片层叠体般地以支持引线之内部固定支持两者的制程;透过导电性细线电气连接前述第一半导体晶片及第二半导体晶片之各电极垫和多数引线各自之内部的制程;及,以树脂密封体密封前述第一半导体晶片、第二半导体晶片、引线之内部、支持引线之内部及细线的制程者。17.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:系具有互相对向的第一主面及第二主面,以方形形成平面之第一半导体晶片,在前述第一主面互相对向的第一边及第二边中的前述第一边侧有沿着此第一边排列的多数电极垫;第二半导体晶片:系具有互相对向的第一主面及第二主面,以方形形成平面,并且以比前述第一半导体晶片大的平面尺寸所形成之第二半导体晶片,在前述第一主面互相对向的第一边及第二边中的第一边侧有沿着此第一边排列的多数电极垫;多数第一引线:各自有内部及外部,前述各自之内部配置于前述第二半导体晶片之第一边外侧,并且前述各自之内部透过导电性细线电气连接于前述第一半导体晶片之各电极垫;多数第二引线:各自有内部及外部,前述各自之内部配置于前述第二半导体晶片之第一边外侧,并且前述各自之内部透过导电性细线电气连接于前述第二半导体晶片之各电极垫;及树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、前述第二半导体晶片、前述多数第一引线各自之内部、前述第二引线各自之内部及前述导电性细线,前述第一半导体晶片、前述第二半导体晶片各自如前述第一半导体晶片之第一边位于前述第二半导体晶片之第一边侧般地使前述第一半导体晶片之第二主面和前述第二半导体晶片之第一主面相对,并且如从前述第一半导体晶片之第一边侧的侧面到前述第二半导体晶片之第一边的距离比从前述第一半导体晶片之第二边侧的侧面到前述第二半导体晶片之第二边的距离宽般地在错开各自位置的状态层叠者。18.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成电极垫;第二半导体晶片:具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成电极垫,并且以比前述第一半导体晶片大的平面尺寸被形成;第一引线:具有内部及外部,前述内部透过导电性细线电气连接于前述第一半导体晶片之电极垫;第二引线:具有内部及外部,前述内部透过导电性细线电气连接于前述第二半导体晶片之电极垫;及树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、前述第二半导体晶片、前述第一引线之内部、前述第二引线之内部及前述导电性细线,前述第一半导体晶片配置于和前述第一半导体晶片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面上,前述第一引线之内部前端部分在前述第一半导体晶片外侧配置于和前述第一半导体片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面上者。19.如申请专利范围第18项之半导体装置,其中前述第一半导体晶片及前述第一引线之内部前端部分配置于前述第二半导体晶片之第一主面上。20.如申请专利范围第19项之半导体装置,其中前述第一半导体晶片及前述第一引线之内部前端部分配置于前述第二半导体晶片之第二主面上。21.如申请专利范围第20项之半导体装置,其中更具有第三引线:具有内部及外部;及,第四引线:和前述第三引线之内部一体成形,并且配置于前述第一引线、第二引线各自之内部前端和前述第一半导体晶片之间,前述第四引线黏接固定于和前述第一半导体晶片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面。22.如申请专利范围第21项之半导体装置,其中前述第一半导体晶片黏接固定于前述第二半导体晶片。23.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:系具有互相对向的第一主面及第二主面,以方形形成平面之第一半导体晶片,在前述第一主面之一边侧有沿着此一边排列的多数电极垫;第二半导体晶片:系具有互相对向的第一主面及第二主面,以方形形成平面,并且以比前述第一半导体晶片大的平面尺寸所形成之第二半导体晶片,在前述第一主面之一边侧有沿着此一边排列的多数电极垫;多数第一引线:各自有内部及外部,前述各自之内部配置于前述第二半导体晶片之一边外侧,并且前述各自之内部透过导电性细线电气连接于前述第一半导体晶片之各电极垫;多数第二引线:各自有内部及外部,前述各自之内部配置于前述第二半导体晶片之第一边外侧,并且前述各自之内部透过导电性细线电气连接于前述第二半导体晶片之各电极垫;及树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、前述第二半导体晶片、前述多数第一引线各自之内部、前述多数第二引线各自之内部及前述导电性细线,前述第一半导体晶片在前述第一半导体晶片之一边位于和前述第二半导体晶片之一边交叉的他边侧的状态配置于和前述第一半导体晶片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面上,前数多数第一引线各自之内部配置成一部分与和前述第一半导体晶片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面重叠者。24.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成电极垫;第二半导体晶片:具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成电极垫,并且以比前述第一半导体晶片大的平面尺寸被形成;第一引线:具有内部及外部,前述内部透过导电性细线电气连接于前述第一半导体晶片之电极垫;第二引线:具有内部及外部,前述内部透过导电性细线电气连接于前述第二半导体晶片之电极垫;及树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、前述第二半导体晶片、前述第一引线之内部、前述第二引线之内部及前述导电性细线,前述第一半导体晶片黏接固定于和前述第一半导体晶片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面,前述第一引线之内部在前述第一半导体晶片外侧黏接固定于和前述第一半导体晶片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面者。25.如申请专利范围第24项之半导体装置,其中前述第一半导体晶片及前述第一引线之内部黏接固定于前述第二半导体晶片之第一主面。26.如申请专利范围第24项之半导体装置,其中前述第一半导体晶片及前述第一引线之内部黏接固定于前述第二半导体晶片之第二主面。27.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:系具有互相对向的第一主面及第二主面,以方形形成平面之第一半导体晶片,在前述第一主面之一边侧有沿着此一边排列的多数电极垫;第二半导体晶片:系具有互相对向的第一主面及第二主面,以方形形成平面,并且以比前述第一半导体晶片大的平面尺寸所形成之第二半导体晶片,在前述第一主面之一边侧有沿着此一边排列的多数电极垫;多数第一引线:各自有内部及外部,前述各自之内部配置于前述第一半导体晶片之一边外侧,并且前述各自之内部透过导电性细线电气连接于前述第一半导体晶片之各电极垫;多数第二引线:各自有内部及外部,前述各自之内部配置于前述第二半导体晶片之一边外侧,并且前述各自之内部透过导电性细线电气连接于前述第二半导体晶片之各电极接垫;及树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、前述第二半导体晶片、前述多数第一引线各自之内部、前述第二引线各自之内部及前述导电性细线,前述第一半导体晶片在前述第一半导体晶片之一边位于前述第二半导体晶片之一边交叉的他边侧的状态配置于和前述第一半导体晶片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面上,前数多数第一引线各自之内部黏接固定于和前述第一半导体晶片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面者。28.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成第一电极垫及第二电极垫;第二半导体晶片:具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成第一电极垫及第二电极垫,并且以比前述第一半导体晶片大的平面尺寸被形成;第一引线:具有内部及外部,前述内部透过导电性细线电气连接于前述第一半导体晶片之第一电极垫;第二引线:具有内部及外部,前述内部透过导电性细线电气连接于前述第二半导体晶片之第一电极垫;第三引线:具有内部及外部;第四引线:和前述第三引线一体形成,配置于前述第一引线、第二引线各自之内部前端和前述第一半导体晶片之间,并且透过导电性细线分别电气连接于前述第一半导体晶片之第二电极及前述第二半导体晶片之第二电极;及,树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、前述第二半导体晶片、前述第一引线之内部、前述第二引线之内部、前述第三引线之内部、第四引线及前述导电性细线,前述第一半导体晶片黏接固定于和前述第一半导体晶片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面,前述第四引线黏接固定于和前述第一半导体晶片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面者。29.如申请专利范围第28项之半导体装置,其中前述第一半导体晶片及前述第四引线黏接固定于前述第二半导体晶片之第一主面。30.如申请专利范围第28项之半导体装置,其中前述第一半导体晶片及前述第四引线黏接固定于前述第二半导体晶片之第二主面。31.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:系具有互相对向的第一主面及第二主面,以方形形成平面之第一半导体晶片,在前述第一主面有沿着此第一主面之各边排列的多数电极垫;第二半导体晶片:系具有互相对向的第一主面及第二主面,以方形形成平面,并且以比前述第一半导体晶片大的平面尺寸所形成之第二半导体晶片,在前述第一主面之一边侧有沿着此一边排列的多数电极垫;多数第一引线:各自有内部及外部,前述各自之内部配置于前述第一半导体晶片之外侧,并且前述各自之内部透过导电性细线电气连接于前述第一半导体晶片之各电极垫;多数第二引线:各自有内部及外部,前述各自之内部配置于前述第二半导体晶片之一边外侧,并且前述各自之内部透过导电性细线电气连接于前述第二半导体晶片之各电极垫;及树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、前述第二半导体晶片、前述多数第一引线各自之内部、前述第二引线各自之内部及前述导电性细线,前述第一半导体晶片、第二半导体晶片各自如前述第一半导体晶片之各边中,电极垫数目比他边少之边位于前述第二半导体晶片之一边侧般地在使前述第一半导体晶片之第二主面和第二半导体晶片之第一主面相对的状态层叠者。32.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成第一电极垫及第二电极垫;第二半导体晶片:具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成第一电极垫及第二电极垫,并且以比前述第一半导体晶片大的平面尺寸被形成;第一引线:具有内部及外部,前述内部透过导电性细线电气连接于前述第一半导体晶片之第一电极垫;第二引线:具有内部及外部,前述内部透过导电性细线电气连接于前述第二半导体晶片之第一电极垫;第三引线:具有内部及外部;第四引线:和前述第三引线一体形成,配置于前述第一引线、第二引线各自之内部前端和前述第一半导体晶片之间,并且透过导电性细线分别电气连接于前述第一半导体晶片之第二电极及前述第二半导体晶片之第二电极;及,树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、前述第二半导体晶片、前述第一引线之内部、前述第二引线之内部、前述第三引线之内部、第四引线及前述导电性细线,前述第一半导体晶片黏接固定于和前述第一半导体晶片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面,前述第四引线横过前述第二半导体晶片之电极垫间者。33.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:具备准备具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成电极垫,并且将绝缘性黏接用胶带贴在前述第二主面上的第一半导体晶片,再准备具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成电极垫,并且以比前述第一半导体晶片大的平面尺寸所形成的第二半导体晶片的制程;及将前述黏接用胶带介于前述第二半导体晶片之第一主面或第二主面而黏接前述第一半导体晶片的制程者。34.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:具备准备切割在第一主面形成多数晶片形成区域,在和前述第一主面对向的第二主面黏接绝缘性黏接用胶带的半导体晶圆及前述黏接用胶带而在第一主面形成电极,并且在和前述第一主面对向的第二主面黏接前述黏接用胶带的第一半导体晶片,再准备具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成电极垫,并且以比前述第一半导体晶片大的平面尺寸所形成的第二半导体晶片的制程;及,将前述黏接用胶带介于前述第二半导体晶片之第一主面或第二主面而黏接前述第一半导体晶片的制程者。35.如申请专利范围第33或34项之半导体装置之制造方法,其中前述黏接用胶带系在树脂基材两面设置黏接层的构造。36.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成电极垫;第二半导体晶片:具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成电极垫,并且以比前述第一半导体晶片大的平面尺寸被形成;第一引线:具有内部及外部,前述内部透过导电性细线电气连接于前述第一半导体晶片之电极垫;第二引线:具有内部及外部,前述内部透过导电性细线电气连接于前述第二半导体晶片之电极垫;及树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、前述第二半导体晶片、前述第一引线之内部、前述第二引线之内部及前述导电性细线,前述第一半导体晶片介入绝缘性黏接用胶带而黏接固定于和前述第一半导体晶片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面上者。37.一种电子装置,其特征在于:具有配线基板:具有配线;及,半导体装置:装在前述配线基板之主面上,前述半导体装置具有第一半导体晶片:具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成电极垫;第二半导体晶片:具有互相对向的第一主面及第二主面,在前述第一主面形成电极垫,并且以比前述第一半导体晶片大的平面尺寸被形成;第一信号用引线:具有内部及外部,前述内部透过导电性细线电气连接于前述第一半导体晶片之电极垫;第二信号用引线:具有内部及外部,前述内部透过导电性细线电气连接于前述第二半导体晶片之电极垫;及树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、前述第二半导体晶片、前述第一信号用引线之内部、前述第二信号用引线之内部及前述导电性细线,前述第一半导体晶片配置于和前述第一半导体晶片之第二主面相对的前述第二半导体晶片之面上,前述第一信号用引线之外部透过前述配线基板之配线电气连接于前述第二信号用引线者。38.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片,具备形成有积体电路与多数电极之第一主面,及与前述第一主面相对之第二主面;第二半导体晶片,具备形成有积体电路与多数电极之第一主面,及与前述第一主面相对之第二主面,该第二半导体晶片之平面形状较之前述第一半导体晶片之平面形状为大;多数之第一信号用引线,分别具有内部及外部,此多数之第一信号用引线系藉由第一搭接细线而电气连接于前述第一半导体晶片之多数电极上;多数之第二信号用引线,分别具有内部及外部,此多数之第二信号用引线系藉由第二搭接细线而电气连接于前述第二半导体晶片之多数电极上;电源用引线,具有内部及外部,此电源用引线系藉由第三搭接细线而电气连接于前述第一与第二半导体晶片二者之多数电极上;树脂密封体,密封前述第一与第二半导体晶片、前述第一与第二信号用引线之内部、前述电源用引线之内部、以及前述第一、第二与第三搭接细线;前述第一半导体晶片系以其第二主面面贴前述第二半导体晶片之第一主面的方式层叠;前述电源用引线之内部具有位于前述第一半导体晶片之外侧,且配置于前述第二半导体晶片第二主面上之第一部分,及配置于前述第二半导体晶片外侧上之第二部分;连接于前述第一半导体晶片之多数电极以及前述电源用引线之前述第三搭接线之一端,系连接于前述电源用引线内部之第一部分;连接于前述第一半导体晶片之多数电极以及前述电源用引线之前述第三搭接细线之一端,系连接于前述电源用引线内部之第二部分。39.如申请专利范围第38项之半导体装置,其中前述第一与第二信号用引线内部之前端,系分别配置于前述第二半导体晶之外侧。40.如申请专利范围第38项之半导体装置,其中前述第二信号用引线内部之前端,系配置于前述第二半导体晶之外侧,前述第一信号用引线内部之前端,系配置于前述第二半导体晶片之第一主面上。41.一种半导体装置,其特征在于:具有第一半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫;第二半导体晶片:具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫,由比前述第一半导体晶片大的平面尺寸构成,该第一半导体晶片系堆于第二半导体晶片上,使该第一半导体晶片之该电路形成面黏着于该第二半导体晶片之该电路形成面;多数第一信号引线:各自有内部及与该内部连续之外部;支持引线:具有内部及与内部连续之外部;第一导线分别由该第一及第二半导体晶片之电极垫电连接该第一信号引线之该内部;第二导线分别由该第一及第二半导体晶片之电极垫电连接该支持引线之该内部;树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、第二半导体晶片、该第一及第二导线、该第一信号引线之该内部及该支持引线之该内部,该第一信号引线及该支持引线之该外部系自该树脂密封体向外延伸;上述多数第一信号引线之内部前端系于上述第二半导体晶片之侧面附近终止,前述支持引线之内部之一部分系黏接于前述第二半导体晶片之电路形成面者。42.如申请专利范围第41项之半导体装置,其中更包含各自具备内部及与该内部连续之外部之多数第二信号引线;上述第二信号引线之内部之一部分系延伸于上述第二半导体晶片之电路形成面上,上述多数第二信号引线系藉由第三导电性细线分别电连接于上述第一半导体晶片之该电极垫。43.如申请专利范围第42项之半导体装置,其中上述第二半导体晶片系为长方形,且一对长边于一第一方向延伸,一对短边于一实质上与第一方向垂直之第二方向上延伸,该第二半导体晶片之该电极垫系于该长边整列,该第一信号引线之该前端系于该第一方向之该第二半导体晶片之该长边整列,该第二信号线系于该第二方向整列,该第二信号线之该内部系与该第二半导体之该短边交叉。44.如申请专利范围第43项之半导体装置,其中上述第一半导体晶片系为正方形,该第一半导体晶片之该电极垫系于四边整列。45.如申请专利范围第44项之半导体装置,其中前述支持引线之该内部及第二信号线之该内部系藉由一绝缘黏着薄膜黏接于前述第二半导体晶片之该电路形成面。46.如申请专利范围第44项之半导体装置,其中前述支持引线之该内部系藉由一绝缘黏着薄膜黏接于前述第二半导体晶片之该电路形成面;第二信号引线之该内部系与前述第二半导体晶片之该电路形成面隔开。47.如申请专利范围第41项之半导体装置,其中前述支持引线之该内部系俯视上可包围前述第一半导体晶片而形成。48.如申请专利范围第47项之半导体装置,其中前述支持引线包括一地线引线。49.如申请专利范围第48项之半导体装置,其中更包括一电源供应引线:具有内部及与该内部连续之外部;上述电源供应引线之该内部之一部分系配置于上述第二半导体晶片之该电路形成面上;前述电源供应引线之该内部系俯视上可包围前述第一半导体晶片而形成。50.如申请专利范围第41项之半导体装置,其中前述第二半导体晶片之该背面系直接与树脂密封体接触。51.如申请专利范围第41项之半导体装置,其中前述第一半导体晶片系藉由一绝缘黏着薄膜黏接于前述第二半导体晶片。52.一种半导体装置,其特征在于:具有(1)一基板,于一面上形成有多数电极垫及金属细线。(2)一包封装置,安装于该基板之该一面上,该包封装置包括:第一半导体晶片及第二半导体晶片:分别具有电路形成面及和此电路形成面对向的背面与形成于前述电路形成面的多数电极垫;多数第一信号引线:各自有内部及与该内部连续之外部;多数导线,分别由该第一及第二半导体晶片之电极垫电连接该第一信号引线之该内部;树脂密封体:密封前述第一半导体晶片、第二半导体晶片、该导线、该第一信号引线之该内部,该第一信号引线之该外部系自该树脂密封体向外延伸;该第一半导体晶片系堆于该第二半导体晶片上,该该第一信号引线之该外部系分别连接于该基板之该多数电极垫;该第一半导体晶片之该电极垫系包含一应共同连接至该第二半导体晶片之该电极垫中之一之第一电极垫;电连接至该第一半导体晶片之该电极垫之一信号引线,与电连接至该第二半导体晶片之该电极垫中之一之一信号引线,系藉由该基板之该金属细线之一彼此电连接,且于该包封装置系非彼此电连接。53.如申请专利范围第52项之半导体装置,其中前述第二半导体晶片之尺寸系大于前述第一半导体晶片,且前述第一半导体晶片系配置于前述第二半导体晶片而使前述第一半导体晶片之该背面系与前述第二半导体晶片之该电路形成面接触。54.如申请专利范围第53项之半导体装置,其中更包含各自具备内部及与该内部连续之外部之多数支持引线;前述多数支持引线之该内部之一部分系一个接一个连续地形成。55.如申请专利范围第54项之半导体装置,其中前述支持引线包括一地线引线。56.如申请专利范围第55项之半导体装置,其中前述第一半导体晶片之该背面系藉由一绝缘黏着薄膜黏接于前述第二半导体晶片之该电路形成面。57.如申请专利范围第56项之半导体装置,其中前述支持引线之该内部之该部分系俯视上可包围前述第一半导体晶片而形成。58.如申请专利范围第52项之半导体装置,其中更包含各自具备内部及与该内部连续之外部之多数第二信号引线;前述第二信号引线之该外部系连接至该基板该电极垫;前述第二信号引线彼此间系电气性独立,且非藉由该基板之该金属线而彼此电连接。59.如申请专利范围第52项之半导体装置,其中前述包封装置包括一四方平坦之包封体。图式简单说明:图1为除去为本发明实施形态1的半导体装置之树脂密封体上部的状态的模式平面图。图2为沿着图1之A-A线的模式截面图。图3为沿着图1之B-B线的模式截面图。图4为显示图3一部分的模式截面图。图5为沿着图1之C-C线的模式截面图。图6为说明实施形态1的半导体装置之引线功能及配置之图。图7为在实施形态1的半导体装置制程所用的引线架模式平面图。图8为说明实施形态1的半导体装置制造的模式截面图。图9为在实施形态1的半导体装置制造形成树脂密封体的引线架模式平面图。图10为在实施形态1的半导体装置制造形成树脂密封体的5连构造的引线架模式平面图。图11为将实施形态1的半导体装置安装于安装基板的状态的要部模式截面图。图12为除去为本发明实施形态2的半导体装置之树脂密封体上部的状态的模式平面图。图13为除去为本发明实施形态3的半导体装置之树脂密封体上部的状态的模式平面图。图14为沿着图13之D-D线的模式截面图。图15为沿着图13之E-E线的模式截面图。图16为除去为本发明实施形态4的半导体装置之树脂密封体上部的状态的模式平面图。图17为沿着图16之F-F线的模式截面图。图18为沿着图16之G-G线的模式截面图。图19为除去为本发明实施形态3的半导体装置之树脂密封体上部的状态的模式平面图。图20为沿着图19之H-H线的模式截面图。图21为沿着图19I-I线的模式截面图。图22为说明为实施形态5的半导体装置制造的模式截面图。图23为除去为本发明实施形态6的半导体装置之树脂密封体上部的状态的模式平面图。图24为沿着图23之J-J线的模式截面图。图25为沿着图23之K-K线的模式截面图。图26为说明为实施形态6的半导体装置制造的模式截面图。图27为除去为本发明实施形态7的半导体装置之树脂密封体上部的状态的模式平面图。图28为沿着图27之L-L线的模式截面图。图29为沿着图27之M-M线的模式截面图。图30为说明为实施形态7的半导体装置制造的模式截面图。图31为除去为本发明实施形态8的半导体装置之树脂密封体上部的状态的模式平面图。图32为沿着图31之N-N线的模式截面图。图33为沿着图31之P-P线的模式截面图。图34为说明为实施形态8的半导体装置制造的模式截面图。图35为除去为本发明实施形态9的半导体装置之树脂密封体上部的状态的模式平面图。图36为沿着图35之Q-Q线的模式截面图。图37为沿着图35之R-R线的模式截面图。图38为沿着图35之S-S线的模式截面图。图39为显示图35一部分的模式平面图。图40为显示图35一部分的模式平面图。图41为扩大图36一部分的模式截面图。图42为显示用于为实施形态9的半导体装置制造的第一半导体晶圆概略结构之图((a)图为模式平面图,(b)图为模式截面图)。图43为显示用于为实施形态9的半导体装置制造的第二半导体晶圆概略结构之图((a)图为模式平面图,(b)图为模式截面图)。图44为说明为实施形态9的半导体装置制造的模式截面图。图45为说明为实施形态9的半导体装置制造的模式截面图。图46为说明为实施形态9的半导体装置制造的模式截面图。图47为说明为实施形态9的半导体装置制造的模式截面图。图48为说明为实施形态9的半导体装置制造的模式截面图。图49为内建为实施形态9的半导体装置的CF卡模式平面图。图50为本发明实施形态9变形例的半导体装置模式截面图。图51为除去为本发明实施形态10的半导体装置之树脂密封体上部的状态的模式平面图。图52为沿着图51之T-T线的模式截面图。 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