| 主权项 |
1.一种用来制造一金属内连接的方法,该方法包括的步骤有:a)准备一具有基板的一活性基质,一绝缘层以及形成穿透该绝缘层的一开口;b)形成一扩散阻隔层于该开口以及该绝缘层的表面上;c)形成一保护层于该扩散阻隔层之上;d)形成一第一金属层于该开口之中而且在该保护层之上;e)形成一第二金属层于该第一金属层之上;以及f)抛背该第一和第二金属层至该绝缘层的上表面,因此形成一金属内连接。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该保护层包含一材料,其系选自于由铌(Nb),锌(Zn),镁(Mg)以及锆(Zr)所组成的群体。3.如申请专利范围第2项之方法,其中藉由使用物理气相沈积(PVD)技术所形成的保护层的厚度小于500埃()。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属内连接包含铜(Cu)。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属内连接包含一材料,其系选自于由银(Ag),白金(Pt),以及金(Au)所组成的群体。6.如申请专利范围第4项之方法,其中该第一铜的厚度小于1,000埃()。7.如申请专利范围第4项之方法,其中该第二层的厚度大于3,000埃()。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该步骤d)是在室温下藉由使用物理气相沈积(PVD)技术而被实施。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该步骤e)是在温度范围从400℃至900℃下在不活泼的气体环境中如氮(N2),氩(Ar)氙(Xe),氦(He)藉由使用物理气相沈积(PVD)技术而被实施。图式简单说明:第1A至1D图是用来制造一铜内连接的传统方法的横剖面图,以及第2A至2E图是根据本发明较佳的实例用来制造一铜内连接的方法的横剖面图。 |
