| 主权项 |
1.一种辐射波场之相位的定量测定之方法,其系包括步骤有:(a)在一个所选之大致上延伸横跨该波场的表面之上,对于该辐射波场的强度变化速率产生一个代表性的量测;(b)在该所选之表面上,对于该辐射波场的强度产生一个代表性的量测;(c)转换该强度变化速率的量测以产生一个第一积分变换表示,并且对于该第一积分变换表示施加一个相当于在该强度变化速率的量测上所反映的第一微分运算子之反转之第一滤波器,以产生一个第一修改后的积分变换表示;(d)施加该第一积分变换之反转至该第一修改后的积分变换表示,以产生一个反转换后的表示;(e)施加一个根据在该所选的表面上之强度的量测之校正至该反转换后的表示;(f)转换该校正后的反转换后的表示,以产生一个第二积分变换表示,并且对于该第二积分变换表示施加一个相当于在该校正后的反转换后的表示上所反映的第二微分运算子的反转之第二滤波器,以产生一个第二修改后的积分变换表示;(g)施加该第二积分变换之反转至该第二修改后的积分变换表示,以产生该辐射波场横跨该所选的平面之相位的一个量测。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一与第二积分变换是利用一种傅立叶转换来加以产生的。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该傅立叶转换是一种快速傅立叶转换。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,其中该第一与第二微分运算子是二阶微分运算子。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,其中该第一滤波器大致是与该第二滤波器相同。6.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,其中该第一滤波器系包含选择性地抑制该第一积分变换表示之第一较高的频率。7.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,其中该第一与第二滤波器中的至少一个滤波器系包含一种对于在该强度之代表性的量测中的杂讯之校正。8.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,其系包含藉由产生相当于在至少两个间隔开之延伸横跨该波场的表面上的强度之代表性的量测,来在该所选的表面上产生该等强度以及强度变化速率之代表性的量测的步骤。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该所选的表面是在该些间隔开的表面中的两个表面之间。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该所选的表面是该些间隔开的表面中的一个表面。11.如申请专利范围第8项之方法,其系包含直接检测在该些间隔开的表面上之强度的代表性的量测之步骤。12.如申请专利范围第8项之方法,其系包含在该些间隔开的表面中至少一个表面上、藉由成像该表面来产生该强度之代表性的量测之步骤。13.如申请专利范围第8项之方法,其中该些间隔开的表面是大致平行的。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该些间隔开的表面是大致平面的。15.如申请专利范围第8项之方法,其中该强度变化速率之代表性的量测系藉由分别在该些间隔开的表面上之位置处所做的强度之代表性的量测之减法来加以产生的。16.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,其中该等强度与强度变化速率之代表性的量测系藉由在该表面上之所选的位置处取样量测来加以获得的。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该取样的量测是在该表面上、界定一个规则的阵列之位置处完成的。18.如申请专利范围第2或3项之方法,其中该辐射波场系在直角座标系统之z方向上传播,并且更包含分别产生相位的x成分与y成分之步骤。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该第一与该第二滤波器系具有一个用以产生相位的x成分之成分x以及一个用以产生相位的y成分之成分y,具有形式为其中kx、ky是共轭于x、y之傅立叶变数;是一个在该些强度量测中的杂讯所决定之常数。20.如申请专利范围第19项之方法,其系包含在该积分变换之前,将强度变化速率之代表性的量测乘上该辐射的平均波数之负数之步骤。21.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,其系包含藉由在一个横跨该波场之量测表面上、对于第一能量之辐射获得一个第一代表性的量测,并且在该量测表面上、对于第二不同的能量之辐射获得一个第二代表性的量测,来获得该强度变化速率之代表性的量测之步骤。22.如申请专利范围第2或3项之方法,其中该第一滤波器与该第二滤波器中的至少一个滤波器系包含对于在该等强度与强度变化速率之代表性的量测中之像差的校正,其系藉由包含至少一个相依于该像差、产生该些代表性的量测之系统的系数之成分。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该辐射波场系在直角座标系统之z方向上传播,并且更包含分别产生相位的x成分与y成分之步骤。24.如申请专利范围第23项之方法,其中该第一与第二滤波器系具有一个用以产生相位的x成分之成分x以及一个用以产生相位的y成分之成分y,两者都具有形式为其中kx、ky是共轭于x、y之傅立叶变数;是该辐射的平均波长;Iaberrated(x,y)是在散焦距离z下所量测之像差的强度;Amn是表现有缺点的成像系统之特征的像差系数。25.一种执行申请专利范围第1至3项中任一项之步骤之电脑程式。26.一种储存在电脑可读取的储存媒体上之电脑程式,其系包含执行申请专利范围第1至3项中任一项之步骤之机构。27.一种辐射波场之相位的定量测定之装置,其系包括:(a)在一个所选之大致上延伸横跨该波场的表面之上,对于该辐射波场的强度变化速率产生一个代表性的量测之机构;(b)在该所选之表面上,对于该辐射波场的强度产生一个代表性的量测之机构;(c)处理机构,以连续地:(I)转换该强度变化速率的量测以产生一个第一积分变换表示;(II)对于该第一积分变换表示施加一个相当于在该强度变化速率的量测上所反映的第一微分运算子之反转之第一滤波器以产生一个第一修改后的积分变换表示;(III)施加该第一积分变换之反转至该第一修改后的积分变换表示,以产生一个反转换后的表示;(IV)施加一个根据在该所选的表面上之强度的量测之校正至该反转换后的表示;(V)转换该校正后的反转换后的表示,以产生一个第二积分变换表示;(VI)对于该第二积分变换表示施加一个相当于在该校正后的反转换后的表示上所反映的第二微分运算子的反转之第二滤波器,以产生一个第二修改后的积分变换表示;并且(VII)施加该第二积分变换之反转至该第二修改后的积分变换表示,以产生该辐射波场横跨该所选的平面之相位的一个量测。28.如申请专利范围第27项之装置,其中该第一与第二积分变换是利用一种傅立叶转换来加以产生的。29.如申请专利范围第28项之装置,其中该傅立叶转换是一种快速傅立叶转换。30.如申请专利范围第27至29项中任一项之装置,其中该第一与第二微分运算子是二阶微分运算子。31.如申请专利范围第27至29项中任一项之装置,其中该第一滤波器大致是与该第二滤波器相同。32.如申请专利范围第27至29项中任一项之装置,其中该第一滤波器系包含选择性地抑制该第一积分变换表示之第一较高的频率。33.如申请专利范围第27至29项中任一项之装置,其中该第一与第二滤波器中的至少一个滤波器系包含一种对于在该强度之代表性的量测中的杂讯之校正。34.如申请专利范围第27至29项中任一项之装置,其系包含产生相当于在至少两个间隔开之延伸横跨该波场的表面上的强度之代表性的量测之机构。35.如申请专利范围第34项之装置,其中该所选的表面是在该些间隔开的表面中的两个表面之间。36.如申请专利范围第34项之装置,其中该所选的表面是该些间隔开的表面中的一个表面。37.如申请专利范围第34项之装置,其系包含被设置以直接检测在该些间隔开的表面上之强度的代表性的量测之检测器机构。38.如申请专利范围第34项之装置,其系包含在该些间隔开的表面中至少一个表面上产生该强度之代表性的量测之检测器机构、以及将该表面成像至该检测器之上的成像机构。39.如申请专利范围第34项之装置,其中该些间隔开的表面是大致平行的。40.如申请专利范围第34项之装置,其中该些间隔开的表面是大致平面的。41.如申请专利范围第34项之装置,其中该产生强度变化速率之代表性的量测之机构系将分别在该些间隔开的表面上之位置处所做的强度之代表性的量测减法。42.如申请专利范围第27至29项中任一项之装置,其中该产生强度之一个代表性的量测之机构以及该产生强度变化速率之一个代表性的量测之机构系在该表面上之所选的位置处取样。43.如申请专利范围第42项之装置,其中该中该些取样是在该表面上、界定一个规则的阵列之位置处完成的。44.如申请专利范围第28或29项之装置,其中该辐射波场系在直角座标系统之z方向上传播,并且处理机构系分别产生相位的x成分与y成分。45.如申请专利范围第44项之装置,其中该处理机构系施加该等具有一个用以产生相位的x成分之成分x以及一个用以产生相位的y成分之成分y之第一与第二滤波器,具有形式为其中kx、ky是共轭于x、y之傅立叶变数;是一个在该些强度量测中的杂讯所决定之常数。46.如申请专利范围第37项之装置,其中在该积分变换之前,该强度变化速率之代表性的量测系乘上该辐射的平均波数之负数。47.如申请专利范围第27至29项中任一项之装置,其中该强度变化速率之代表性的量测是藉由在一个横跨该波场之量测表面上、对于第一能量之辐射获得一个第一代表性的量测,并且在该量测表面上、对于第二不同的能量之辐射获得一个第二代表性的量测,来加以产生的。48.如申请专利范围第28或29项之装置,其中该第一滤波器与该第二滤波器中的至少一个滤波器系包含对于在该等强度与强度变化速率之代表性的量测中之像差的校正,其系藉由包含至少一个相依于该像差、产生该些代表性的量测之系统的系数之成分。49.如申请专利范围第48项之装置,其中该辐射波场系在直角座标系统之z方向上传播,并且其中相位的x成分与y成分系个别地产生。50.如申请专利范围第49项之装置,其中该第一与该第二滤波器系具有一个用以产生相位的x成分之成分x以及一个用以产生相位的y成分之成分y,两者都具有形式为其中kx、ky是共轭于x、y之傅立叶变数;是该辐射的平均波长;Iaberrated(x,y)是在散焦距离z下所量测之像差的强度;Amn是表现有缺点的成像系统之特征的像差系数。51.一种成像一物体之方法,其系包括步骤有:(a)将该物体暴露至来自一来源的辐射波场;(b)在该物体远离该入射的辐射之侧边上,于一个所选之大致上延伸横跨该波场的表面上产生强度变化速率之一个代表性的量测;(c)在该所选的表面上产生该辐射波场的强度之一个代表性的量测;(d)转换该强度变化速率之量测以产生一个第一积分变换表示,并且施加一个相当于在该强度变化速率之量测中所反映的第一微分运算子之反转的第一滤波器至该第一积分变换表示,以产生一个第一修改后的积分变换表示;(e)施加该第一积分变换之反转至该第一修改后的积分变换表示以产生一个反转换后的表示;(f)施加一个根据在该所选的表面上之强度的量测之校正至该反转换后的表示;(g)转换该校正后的反转换后的表示以产生一个第二积分变换表示,并且施加一个相当于在该校正后的反转换后的表示中所反映的第二微分运算子之反转的第二滤波器至该第二积分变换表示,以产生一个第二修改后的积分变换表示;(h)施加该第二积分变换之反转至该第二修改后的积分变换表示,以产生该横跨该所选的平面之辐射波场之相位的一个量测。52.如申请专利范围第51项之方法,其系包含藉由产生相当于在至少两个间隔开之延伸横跨该波场的表面上的强度之代表性的量测,来在该所选的表面上产生该等强度以及强度变化速率之代表性的量测的步骤。53.如申请专利范围第52项之方法,其中该所选的表面是在该些间隔开的表面中的两个表面之间。54.如申请专利范围第52项之方法,其中该所选的表面是该些间隔开的表面中的一个表面。55.如申请专利范围第52至54项中任一项之方法,其中该些间隔开的表面是大致平行的。56.如申请专利范围第52至54项中任一项之方法,其中该些间隔开的表面是大致平面的。57.如申请专利范围第52至54项中任一项之方法,其中该强度变化速率之代表性的量测系藉由分别在该些间隔开的表面上之位置处所做的强度之代表性的量测之减法来加以产生的。58.如申请专利范围第51项之方法,其系包含产生在该所选的表面上之强度与强度变化速率之量测的步骤,其系藉由产生相当于在一个延伸横跨该波场之第一表面上的强度之第一代表性的量测、改变介于该来源与该物体之间的距离、并且对于该已改变之介于该物体与该来源之间的距离来产生相当于在该第一表面上的强度之第二代表性的量测。59.如申请专利范围第58项之方法,其中该所选的表面是该些间隔开的表面中的一个表面。60.如申请专利范围第51至54项中任一项之方法,其系包含直接检测在该些间隔开的表面上之强度的代表性的量测之步骤。61.如申请专利范围第51至54项中任一项之方法,其中该所选的表面系在该辐射的传播方向上与该物体间隔开。62.如申请专利范围第51至54项中任一项之方法,其中该来源大致是一种点源。63.如申请专利范围第51至54项中任一项之方法,其中该等第一与第二积分变换是利用一种傅立叶转换来加以产生的。64.如申请专利范围第51至54项中任一项之方法,其中该傅立叶转换是一种快速傅立叶转换。65.一种成像一物体之装置,其系包括:(a)一个以一辐射波场照射该物体之来源;(b)在一个所选之大致上延伸横跨该波场的表面之上,对于该辐射波场的强度变化速率产生一个代表性的量测之机构;(c)在该所选之表面上,对于该辐射波场的强度产生一个代表性的量测之机构;(d)处理机构,以连续地:(i)转换该强度变化速率的量测以产生一个第一积分变换表示;(ii)对于该第一积分变换表示施加一个相当于在该强度变化速率的量测上所反映的第一微分运算子之反转之第一滤波器以产生一个第一修改后的积分变换表示;(iii)施加该第一积分变换之反转至该第一修改后的积分变换表示,以产生一个反转换后的表示;(iv)施加一个根据在该所选的表面上之强度的量测之校正至该反转换后的表示;(v)转换该校正后的反转换后的表示,以产生一个第二积分变换表示;(vi)对于该第二积分变换表示施加一个相当于在该校正后的反转换后的表示上所反映的第二微分运算子的反转之第二滤波器,以产生一个第二修改后的积分变换表示;并且(vii)施加该第二积分变换之反转至该第二修改后的积分变换表示,以产生该辐射波场横跨该所选的平面之相位的一个量测。66.如申请专利范围第65项之装置,其系包含产生相当于在至少两个间隔开之延伸横跨该波场的表面上的强度之代表性的量测之机构。67.如申请专利范围第66项之装置,其中该所选的表面是在该些间隔开的表面中的两个表面之间。68.如申请专利范围第66项之装置,其中该所选的表面是该些间隔开的表面中的一个表面。69.如申请专利范围第66至68项中任一项之装置,其系包含被设置以直接检测在该些间隔开的表面上之强度的代表性的量测之检测器机构。70.如申请专利范围第66至68项中任一项之装置,其系包含在该些间隔开的表面中至少一个表面上产生该强度之代表性的量测之检测器机构、以及将该表面成像至该检测器之上的成像机构。71.如申请专利范围第66至68项中任一项之装置,其中该些间隔开的表面是大致平行的。72.如申请专利范围第66至68项中任一项之装置,其中该强度变化速率之代表性的量测系藉由分别在该些间隔开的表面上之位置处所做的强度之代表性的量测之减法来加以产生的。73.如申请专利范围第65项之装置,其系包含产生在该所选的表面上之强度与强度变化速率之量测的机构,其系藉由产生相当于在一个延伸横跨该波场之第一表面上的强度之第一代表性的量测;改变介于该来源与该物体之间的距离之机构;以及对于该已改变之介于该物体与该来源之间的距离来产生相当于在该第一表面上的强度之第二代表性的量测之机构。74.如申请专利范围第73项之装置,其中该所选的表面是该些间隔开的表面中的一个表面。75.如申请专利范围第65至68项中任一项之装置,其系包含直接检测在该些间隔开的表面上之强度的代表性的量测之机构。76.如申请专利范围第65至68项中任一项之装置,其中该所选的表面系在该辐射的传播方向上与该物体间隔开。77.如申请专利范围第65至68项中任一项之装置,其中该来源大致是一种点源。78.如申请专利范围第65至68项中任一项之装置,其中该第一与第二积分变换是利用一种传立叶转换来加以产生的。79.如申请专利范围第78项之装置,其中该傅立叶转换是一种快速傅立叶转换。80.一种相位振幅成像之方法,其系包含步骤有:(a)以一个辐射波场照射一物体;(b)透过一个成像系统以聚焦来自该物体的辐射至一个延伸横跨从该物体传播来的波场之成像表面;(c)在该成像系统的第一焦点处,产生在该成像表面上之辐射的强度分布之第一代表性的量测;(d)透过该成像系统,在该成像表面上之该影像的焦点上引进一个改变;(e)在该成像表面上产生强度分布之一个第二代表性的量测;并且(f)利用该等第一与第二代表性的量测,以在一个所选的延伸横跨该波场之表面上产生强度之一个代表性的量测以及强度变化速率之一个代表性的量测;(g)转换该强度变化速率之量测以产生一个第一积分变换表示,并且施加一个相当于在该强度变化速率之量测中所反映的第一微分运算子之反转的第一滤波器至该第一积分变换表示,以产生一个第一修改后的积分变换表示;(h)施加该第一积分变换之反转至该第一修改后的积分变换表示以产生一个反转换后的表示;(i)施加一个根据在该所选的表面上之强度的量测之校正至该反转换后的表示;(j)转换该校正后的反转换后的表示以产生一个第二积分变换表示,并且施加一个相当于在该校正后的反转换后的表示中所反映的第二微分运算子之反转的第二滤波器至该第二积分变换表示,以产生一个第二修改后的积分变换表示;(k)施加该第二积分变换之反转至该第二修改后的积分变换表示,以产生该横跨该所选的平面之辐射波场之相位的一个量测。81.如申请专利范围第80项之方法,其中该辐射波场系具有一个数値孔小于该成像系统之数値孔。82.如申请专利范围第80或81项之方法,其中该成像系统之第一焦点系在该成像表面处产生一焦点对准之影像,并且该成像系统之第二焦点系在该成像表面处产生一稍微散焦的影像。83.如申请专利范围第80或81项之方法,其中该成像表面大致是平面的。84.如申请专利范围第80或81项之方法,其中该成像表面是一个强度检测器。85.如申请专利范围第80或81项之方法,其中该成像表面是该所选的表面。86.如申请专利范围第80或81项之方法,其中该积分变换是一种傅立叶转换。87.如申请专利范围第86项之方法,其中该中该傅立叶转换是一种快速傅立叶转换。88.如申请专利范围第80或81项之方法,其中该强度变化速率之代表性的量测系藉由该等强度之第一与第二代表性的量测之减法来加以产生的。89.如申请专利范围第80或81项之方法,其中该等强度与强度变化速率之代表性的量测系藉由在该成像表面上之所选的位置处取样量测来加以获得的。90.如申请专利范围第89项之方法,其中该取样的量测是在该成像表面上、界定一个规则的阵列之位置处完成的。91.如申请专利范围第87项之方法,其中该辐射波场系在直角座标系统之z方向上传播,并且更包含分别产生相位的x成分与y成分之步骤。92.如申请专利范围第91项之方法,其中该第一与该第二滤波器系具有一个用以产生相位的x成分之成分x以及一个用以产生相位的y成分之成分y,具有形式为其中kx、ky是共轭于x、y之傅立叶变数;是一个在该些强度量测中的杂讯所决定之常数。93.如申请专利范围第92项之方法,其系包含在该积分变换之前,将强度变化速率之代表性的量测乘上该辐射的平均波数之负数之步骤。94.一种用于一物体之相位振幅成像之装置,其系包含:一个照射该物体之辐射波场来源;一个聚焦来自该物体的辐射至一个延伸横跨从该物体传播来的波场之成像表面的成像系统;产生在该成像表面上之辐射强度之代表性的量测之机构;该成像系统系包含选择性运作的机构,以调整该辐射至该成像表面之焦点成为/至少在一个第一焦点以及一个第二焦点处;处理机构以:(i)从在该第一焦点以及第二焦点之处、在该影像表面上之辐射强度之代表性的量测,在一个所选的延伸横跨该波场之表面上、于辐射传播的方向上产生强度之一个代表性的量测以及强度变化速率之一个代表性的量测;(ii)转换该强度变化速率之量测以产生一个第一积分变换表示;(iii)施加一个相当于在该强度变化速率之量测中所反映的第一微分运算子之反转的第一滤波器至该第一积分变换表示,以产生一个第一修改后的积分变换表示;(iv)施加该第一积分变换之反转至该第一修改后的积分变换表示以产生一个反转换后的表示;(v)施加一个根据在该所选的表面上之强度的量测之校正至该反转换后的表示;(vi)转换该校正后的反转换后的表示以产生一个第二积分变换表示;(vii)施加一个相当于在该校正后的反转换后的表示中所反映的第二微分运算子之反转的第二滤波器至该第二积分变换表示,以产生一个第二修改后的积分变换表示;并且(viii)施加该第二积分变换之反转至该第二修改后的积分变换表示,以产生该横跨该所选的平面之辐射波场之相位的一个量测。95.如申请专利范围第94项之装置,其中该辐射波场系具有一个数値孔小于该成像系统之数値孔。96.如申请专利范围第94或95项之装置,其中该成像系统之第一焦点系在该成像表面处产生一焦点对准之影像,并且该成像系统之第二焦点系在该成像表面处产生一稍微散焦的影像。97.如申请专利范围第94或95项之装置,其中该成像表面大致是平面的。98.如申请专利范围第94或95项之装置,其中该成像表面是一个强度检测器。99.如申请专利范围第94或95项之装置,其中该成像表面是该所选的表面。100.如申请专利范围第94或95项之装置,其积分变换是一种傅立叶转换。101.如申请专利范围第100项之装置,其中该傅立叶转换是一种快速傅立叶转换。102.如申请专利范围第94或95项之装置,其中该强度变化速率之代表性的量测系藉由该等强度之第一与第二代表性的量测之减法来加以产生的。103.如申请专利范围第94或95项之装置,其中该等强度与强度变化速率之代表性的量测系藉由在该成像表面上之所选的位置处取样量测来加以获得的。104.如申请专利范围第103项之装置,其中该取样的量测是在该成像表面上、界定一个规则的阵列之位置处完成的。105.如申请专利范围第101项之装置,其中该辐射波场系在直角座标系统之z方向上传播,并且更包含分别产生相位的x成分与y成分之步骤。106.如申请专利范围第105项之装置,其中该第一与该第二滤波器系具有一个用以产生相位的x成分之成分x以及一个用以产生相位的y成分之成分y,具有形式为其中kx、ky是共轭于x、y之傅立叶变数;是一个在该些强度量测中的杂讯所决定之常数。107.如申请专利范围第106项之装置,其系包含在该积分变换之前,将强度变化速率之代表性的量测乘上该辐射的平均波数之负数之步骤。108.一种用以处理在一个所选之大致上延伸横跨一辐射波场的表面上之该辐射波场的强度变化速率之代表性的量测以及在该所选的表面上之该辐射波场的强度之代表性的量测之电脑程式,该程式系包含:(a)转换该强度变化速率的量测以产生一个第一积分变换表示,并且对于该第一积分变换表示施加一个相当于在该强度变化速率的量测上所反映的第一微分运算子之反转之第一滤波器,以产生一个第一修改后的积分变换表示之程式码;(b)施加该第一积分变换之反转至该第一修改后的积分变换表示,以产生一个反转换后的表示之程式码;(c)施加一个根据在该所选的表面上之强度的量测之校正至该反转换后的表示之程式码;(d)转换该校正后的反转换后的表示,以产生一个第二积分变换表示,并且对于该第二积分变换表示施加一个相当于在该校正后的反转换后的表示上所反映的第二微分运算子的反转之第二滤波器,以产生一个第二修改后的积分变换表示之程式码;(e)施加该第二积分变换之反转至该第二修改后的积分变换表示之程式码。109.一种储存在电脑可读取之储存媒体之上的电脑程式,其系用以处理在一个所选之大致上延伸横跨一辐射波场的表面上之该辐射波场的强度变化速率之代表性的量测以及在该所选的表面上之该辐射波场的强度之代表性的量测,该程式系包含:(a)转换该强度变化速率的量测以产生一个第一积分变换表示,并且对于该第一积分变换表示施加一个相当于在该强度变化速率的量测上所反映的第一微分运算子之反转之第一滤波器,以产生一个第一修改后的积分变换表示之程式码;(b)施加该第一积分变换之反转至该第一修改后的积分变换表示,以产生一个反转换后的表示之程式码;(c)施加一个根据在该所选的表面上之强度的量测之校正至该反转换后的表示之程式码;(d)转换该校正后的反转换后的表示,以产生一个第二积分变换表示,并且对于该第二积分变换表示施加一个相当于在该校正后的反转换后的表示上所反映的第二微分运算子的反转之第二滤波器,以产生一个第二修改后的积分变换表示之程式码;(e)施加该第二积分变换之反转至该第二修改后的积分变换表示之程式码。图式简单说明:图1是一种用于相位测定之配置的概要图,其中一个物体系以(a)平面波辐射与(b)点源的辐射加以照射;图2是显示根据本发明之一实施例的相位测定之方法的实施之流程图;图3(a)至(f)是描绘对于平面波照射之相位测定的模拟影像;图4(a)至(h)是一连串描绘相位测定与回传至另一影像平面之影像;图5是利用本发明之方法的点投射式显微镜检查之配置的概要表示图;图6是利用本发明之方法的量化的相位振幅之显微镜检查的配置之概要图;图7是根据本发明的量化的相位振幅之显微镜检查的范例系统之概要图;图8(a)至(d)系显示利用图7中所示的系统所获得之强度影像与相位影像;图9是显示对于实例3之纤维的量测与预期的相位轮廓之比较图;图10是根据本发明之一种用于三维的光学相位的断层摄影术之范例的系统之概要图;图11是图10的部分概要放大图;图12是透过产生在实例4中的相位影像之典型的断层扫描片;并且图13系显示根据实例4之重建后的折射率分布与已知的折射率分布之比较。 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