| 主权项 |
1.一种DRAM电容器的制造方法,适用于形成有一MOS电晶体之一半导体基底,该MOS电晶体包括一源极/汲极区,该MOS电晶体上覆盖一绝缘层,于该绝缘层内形成一第一开口,该第一开口暴露出该源极/汲极区,该DRAM电容器的制造方法包括下列步骤:将该第一开口填入一导电材质,并与该源极/汲极区接触,且于部份该绝缘层上方保留一厚度的导电材质,以形成一T型导电层;于该T型导电层和该绝缘层上方依序覆盖一第一介电层,并定义该第一介电层,以于该T型导电层上方形成复数个第二开口,且暴露出部份该T型导电层;于该第一介电层之该些第二开口的表面,形成一半球形矽晶粒层,以与该T型导电层共同做为该电容器之一下电极。移除部份该第一介电层,以裸露出该电容器之该下电极的表面;以及于该下电极之表面依序形成一第二介电层和一上电极,以完成该DRAM电容器。2.如申请专利范围第1项所述之DRAM电容器的制造方法,其中于该绝缘层内形成该第一开口之前,更包括于该绝缘层上方覆盖一第三介电层。3.如申请专利范围第2项所述之DRAM电容器的制造方法,其中该第三介电层的材质包括氮氧化矽。4.如申请专利范围第1项所述之DRAM电容器的制造方法,其中于该些第二开口的表面,形成该半球形矽晶粒层,以与该T型导电层共同做为该电容器之该下电极的方法,更包含:于该第二介电层和该T型导电层的表面形成一半球形矽晶粒层;以及定义该半球形矽晶粒层,以形成该电容器之该下电极。5.如申请专利范围第4项所述之DRAM电容器的制造方法,其中定义该半球形矽晶粒层,以形成该电容器之下电极的方法,更包括:于整个半导体基底表面覆盖一层旋涂式玻璃,并定义出该电容器的一区域;接着进行蚀刻制程,蚀除该第一介电层上方之该半球形矽晶粒层,以形成该电容器之该下电极;以及剥除剩余之该旋涂式玻璃层。6.如申请专利范围第1项所述之DRAM电容器的制造方法,其中该介电层包括氧化矽层、氮化物-氧化物结构、氧化物-氮化物-氧化物结构、五氧化二钽、铅锆钛酸和钡锶钛酸多者择一。7.一种DRAM电容器的制造方法,适用于形成有一MOS电晶体之一半导体基底,该MOS电晶体包括一源极区/汲极区,该MOS电晶体上依序覆盖一绝缘层和一第一介电层,于该绝缘层和该第一介电层内形成一第一开口,该第一开口暴露出该源极区/汲极区,该DRAM电容器的制造方法包括下列步骤:将该第一开口填入一导电材质,并与该源极/汲极区接触,且于部份该绝缘层上方保留一厚度的导电材质,以形成一T型导电层;依序覆盖一第二介电层,并定义该第二介电层,以于该电容器之下电极的区域形成复数个第二开口,且暴露出部份该T型导电层;于该第二介电层和该T型导电层的表面形成一半球形矽晶粒层;定义该半球形矽晶粒层,以与该T型导电层共同组成该电容器之一下电极;移除部份该第二介电层,以裸露出该电容器之该下电极的表面;以及于该下电极之表面依序形成一第三介电层和一上电极,以完成该DRAM电容器。8.如申请专利范围第7项所述之DRAM电容器的制造方法,其中该第一介电层的材质包括氮氧化矽。9.如申请专利范围第7项所述之DRAM电容器的制造方法,其中定义该半球形矽晶粒层,以形成该电容器之该下电极的方法,更包括:于该基底表面覆盖一层旋涂式玻璃,并定义出该电容器的区域;接着进行蚀刻制程,蚀除该第一介电层上方之该半球形矽晶粒层,以形成该电容器之该下电极;以及剥除剩余之该旋涂式玻璃层。10.如申请专利范围第7项所述之DRAM电容器的制造方法,其中该介电层包括氧化矽层、氮化物-氧化物结构、氧化物-氮化物-氧化物结构、五氧化二钽、铅锆钛酸和钡锶钛酸多者择一。图式简单说明:第1图系绘示习知将半球形矽晶粒应用于堆叠形电容器的剖面图;第2图系绘示习知将半球形矽晶粒应用于柱状电容器的剖面图;第3A图至第3E图系显示根据本发明一较佳实施例之一种DRAM电容器的制造流程剖面图;以及第4图系显示根据本发明一较佳实施例之一种下电极区域的罩幕俯视图。 |
