| 主权项 |
1.一种半导体雷射装置,其振荡波长系770~810nm,包括:一第1导电型的半导体基板;一第1导电型的第1包覆层,被配置在该半导体基板上;一量子井户构造的活性层,被配置在该第1包覆层上;一第2导电型的第1的第2包覆层,被配置在该活性层上;一无秩序化领域,将不纯物从包含雷射共振器端面附近的该活性层的该第1的第2包覆层的表面导入至半导体基板侧的积层而被配置;以及一光导波路,藉由该第1的第2包覆层而对向该无秩序化领域的活化层,且同时包含配置在该第1的第2包覆层的表面上的第2导电型的第2的第2包覆层,而延伸在该共振器的纵方向上;其特征在于:将励起光照射在该无秩序化领域时所发生的光冷光的波长系dp1(nm),当以励起光照射该活性层时所发生的光冷光的波长系ap1(nm)、蓝偏移量系b1(nm),而当b1=ap1-dp1时,则满足b1≧20之条件。2.如申请专利范围第1项所述的半导体雷射装置,其中当雷射的COD程度系Pcod(mW)时,该蓝偏移量b1(nm)更满足(Pcod-85)/5.6≦b1≦(Pcod-135.0)/1.3。3.如申请专利范围第1或2项所述的半导体雷射装置,其中,除了该导波路的顶部,更具备有在包含该导波路的侧面的第1的第2包覆层上所被配置的绝缘膜。4.如申请专利范围第1或2项所述的半导体雷射装置,其中,更具备如埋入该第1的第2包覆层上的导波路的周围般地,而被配置的第1导电型的电流阻挡层。5.一种半导体雷射装置的制造方法,包括:第1制程,在第1导电型的半导体基板上顺次形成的第1导电型的第1包覆层、量子井户构造的活性层以及第2导电型的第1的第2包覆层;第2制程,在第1的第2包覆层的表面上,形成在半导体雷射的共振器端面部预定领域上具有开口的不纯物导入用罩幕图案;第3制程,将不纯物导入用罩幕图案当作是罩幕而将导入不纯物的共振器端面部附近的活性层进行无秩序化;第4制程,照射励起光于无秩序化领域而使光冷光发生,根据测定该光冷光的波长而预测COD劣化的程度;第5制程,除去不纯物导入用罩幕图案,在第1的第2包覆层的表面上形成第2导电型的第2的第2包覆层;第6制程,藉由在第2的第2包覆层的表面上的无秩序化活化层和第1.第2的第2包覆层而在对向的共振器的纵方向上,形成延长的带状的罩幕图案;以及第7制程,将带状的罩幕图案当作是罩幕,而形成具有第2的第2包覆层的导波路。6.如申请专利范围第5项所述的半导体雷射装置的制造方法,其中,在该第4制程中,将励起光照射在该无秩序化领域时所发生的光冷光的波长系dp1(nm),当以励起光照射该活性层时所发生的光冷光的波长系ap1(nm),当蓝偏移量b1(nm)当作是b1=ap1-dp1时,则满足b1≧20之条件。7.如申请专利范围第6项所述的半导体雷射装置的制造方法,其中,当雷射的COD程度系Pcod(mW)时,该蓝偏移量b1(nm)系更满足(Pcod-85) / 5.6≦b1≦(Pcod-135.0)/1.3之条件。图式简单说明:第1图是关于本发明在半导体雷射的雷射光出射端面的正面图。第2图是关于在第1图的II-II断面的半导体雷射的剖面图。第3图是关于本发明的半导体雷射,在其制程所示的雷射光出射端面的正面图。第4图是关于在第3图的IV-IV断面的半导体雷射的剖面图。第5图是关于本发明的半导体雷射,在其制程所示的雷射光出射端面的正面图。第6图是关于在第5图的VI-VI断面的半导体雷射的剖面图。第7图是关于本发明的半导体雷射的光冷光的测定的示意图。第8图是关于本发明的半导体雷射,在其制程所示的雷射光出射端面的正面图。第9图是关于在第8图的XI-XI断面的半导体雷射的剖面图。第10图是关于本发明的半导体雷射,在其制程所示的雷射光出射端面的正面图。第11图是关于本发明的半导体雷射,在其制程所示的雷射光出射端面的正面图。第12图是关于本发明的半导体雷射的窗层的PL光的波长(nm)和该半导体雷射的COD程度(mW)的关系图。第13图是关于本发明的半导体雷射的COD程度和蓝偏移量的关系图。第14图是具有习知的窗构造的半导体雷射的部分斜视图。第15(a)图至第15(b)图是显示具有习知的窗构造的半导体雷射的制程的半导体雷射的部分斜视图。 |
