| 主权项 |
1.一种鍚凸块制程中环形阴极电极接触区之制作方法,该方法至少包含以下步骤:提供一半导体晶圆,该半导体晶圆已完成积体电路元件,并经由护层保护之复数个金属焊垫连接以提供导电凸块之制作,此外该半导体晶圆上并已形成凸块下晶种层,以连接该复数个金属焊垫及用以做为电镀金属层之电极;形成一乾膜于该晶种层上;除去该半导体晶圆边缘之乾膜,以露出环形晶种层表面以做为环形阴极电极接触区;以旋涂法形成高分子护膜于该乾膜上;施以微影制程以定义并形成电镀区与非电镀区;及施以电镀制程,以形成金属导体层于该电镀区之种子层上,利用该非电镀区之乾膜为罩幕,并以该环形阴极电极接触区连接电极。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之形成一乾膜于该晶种层上至少包含;全面压覆一PET披覆膜/乾膜于该晶种层上;及除去该PET披覆膜,以裸露该乾膜。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之除去该半导体晶圆边缘之乾膜系选自丙酮或乾膜剥除液或显影液的其中之一种或二种进行。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之环形阴极电极接触区宽度约为1-3nm。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之高分子护膜至少包含聚乙烯醇。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之高分子护膜厚度约为1000-50000埃。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之高分子护膜,系用以防止该乾膜与氧气反应。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之高分子护膜系水溶性。图式简单说明:图一显示利用于本发明或习知技术的半导体基板,已完成部分之导电凸块制程,并披覆乾膜罩幕,等待进行电镀制程。图二显示半导体基板以乾膜压带机将含乾膜卷带分离出聚乙烯PE胶带而乾膜及PET披覆膜由滚轴压在晶圆上的示意图。图三显示图一之基本进行电镀制程后之结果的示意图。图四显示传统晶圆电镀前的八个电极位置及靠探针接触以进行电镀的示意图。图五A及图五B分别示俯视图及横截面示意图,依据本发明之方法,在去除晶圆边缘的乾膜以露出环形阴极电极接触区后再以再以水溶性高分子护膜于该裸露之乾膜上的示意图,用以防止氧气侵入乾膜而降低微影照光之敏度。 |
