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<p>본 발명은 반도체 디바이스의 NOR형 메모리 셀 제조에 있어서, 공통 소오스 전극을 금속 배선으로 연결하면서 동시에 드레인 전극상에 콘택 플러그를 형성함으로써 셀의 크기를 줄일 수 있도록 한 반도체 디바이스의 메모리 셀 제조 기법에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 반도체 디바이스의 NOR형 메모리 셀을 제조할 때 소오스 전극 배선을 금속 배선으로 하고 각각의 단위 셀에 형성되어 있는 소오스 전극에 연결되어 이웃하는 셀들의 소오스 전극용 분순물 확산 영역이 서로 분리되도록 소자 분리 마스크를 일정 방향으로 연속하는 형태로 형성함으로써, 전술한 종래 방법에서와 같이 소자 분리 마스크와 조절 게이트 전극 마스크 사이의 일정 부분이 중첩되게 설계할 필요가 없기 때문에, NOR형 메모리 셀의 면적을 감소시켜 고집적화를 쉽게 실현할 수 있는 것이다.</p> |
