| 主权项 |
1.一种半导体晶片,其活性层之层序列(2)具有一种可发射光子之区域,活性之层序列(2)之二侧分别形成各接触区,其特征为:各接触区分别包含一种金属接触层(3)及一种配置在金属接触层(3)上之强化层(4)(其可以机械方式使层序列(2)强固),强化层(4)具有良好之导电性及良好之导热性。2.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中此强化层(4)由金属(特别是金或镍)或导电之聚合物所形成。3.如申请专利范围第1或第2项之半导体晶片,其中此强化层(4)之厚度是10m至100m,较佳是2m至60m,特别好之情况是50m。4.一种半导体晶片之制造方法,其以薄膜技术来进行且其特征为以下各步骤:-在基板上形成一种活性之层序列,其具有可发出光子之区域,-在层序列上形成多个接触区,-施加一种导电性良好且导热性良好之强化层使各接触区可强固,-去除该基板。5.如申请专利范围第4项之方法,其中各接触区是藉由电镀方式施加一种金属(特别是金或镍)而达到强固作用。6.如申请专利范围第4项之方法,其中各接触区藉由一种金属之蒸镀而被强固。7.如申请专利范围第4项之方法,其中各接触区藉由施加一种导电性聚合物而被强固。8.如申请专利范围第4至7项中任一项之方法,其中该强化层之厚度是10m至100m,较佳是20m至60m,特别好之情况是50m。9.如申请专利范围第4至7项中任一项之方法,其中在该强化层上以表面覆盖方式施加一种辅助载体层,其可选择性地相对于该接触层及强化层而被去除。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该辅助载体层以电镀方式施加而成。11.如申请专利范围第9项之方法,其中施加一种漆(特别是BCB)作为辅助载体层。12.如申请专利范围第9项之方法,其中此辅助载体层之厚度是10m至200m,较佳是数个10m。13.如申请专利范围第10项之方法,其中此辅助载体层之厚度是10m至200m,较佳是数个10m。14.如申请专利范围第11项之方法,其中此辅助载体层之厚度是10m至200m,较佳是数个10m。15.如申请专利范围第9项之方法,其中在施加该辅助载体层之后去除此基板且在活性层序列之面对该辅助载体层之此侧上形成前侧之各接触层。16.如申请专利范围第9项之方法,其中在下一步骤中去除该辅助载体层。17.如申请专利范围第15项之方法,其中在下一步骤中去除该辅助载体层。图式简单说明:第1图 层序列及基板之横切面,活性之层序列施加于基板上且在背面设有金属接触区。第2图 是第1图之层序列,其背面之接触区以一种强化层来强化。第3图 第2图之设有辅助载体层之层序列。第4图 在基板去除之后,第3图之层序列。第5图 在晶片切割之后第4图中之层序列(其前侧设有金属接触区)之横切面。第6图 第5图之施加在箔片上之层序列。第7图 在辅助载体层去除之后,在箔片上之已切割之半导体晶片之横切面。 |
