发明名称 积层陶瓷电容器
摘要 本发明之目的在于提供一种耐热冲击性优的积层陶瓷电容器。其解决手段为,在交互积层有导体层12与陶瓷介电质层11而成的积层陶瓷电容器中,由于将前述陶瓷介电质层11之厚度形成为前述导体层12之厚度以下,所以整体对热冲击具有比较柔软性之导体层12所占的比例会变大,且藉此可提高对热冲击的耐性。
申请公布号 TW498371 申请公布日期 2002.08.11
申请号 TW089124649 申请日期 2000.11.21
申请人 太阳诱电股份有限公司 发明人 水野 洋一
分类号 H01G4/12 主分类号 H01G4/12
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种积层陶瓷电容器,其系交互积层有导体层与陶瓷介电质层而成者,其特征为:前述陶瓷介电质层之厚度为前述导体层之厚度以下。2.一种积层陶瓷电容器,其系交互积层有导体层与陶瓷介电质层而成者,其特征为:前述陶瓷介电质层,系由陶瓷粒子与介于该陶瓷粒子间的二次相所构成,在其相对向的导体层间不存在有陶瓷粒子而包含只以前述二次相所构成的部位。3.如申请专利范围第2项之积层陶瓷电容器,其中整个陶瓷介电质层之中10%以上90%以下之陶瓷介电质层,系具有只以前述二次相所构成的部位。图式简单说明:图1系积层陶瓷电容器之一部分缺口的立体图。图2系积层陶瓷电容器之扩大截面图。图3系积层陶瓷电容器之扩大截面图。
地址 日本