| 主权项 |
1.一种覆晶构装,至少包括:一晶片,具有一主动表面,在该主动表面之表层具有复数个焊垫;一基板,具有一基板表面,而该基板表面还具有一焊罩层及复数个接点,该焊罩层具有至少一开口,而该开口暴露出复数个该些接点,并且该基板还具有一晶片置放区域,该晶片置放于该基板之该晶片置放区域上,而该开口位于该晶片置放区域内;复数个凸块,固定于该晶片之该些焊垫与该基板之该些接点间,每一该些凸块具有一金属柱及一焊块,而每一该些金属柱分别与每一该些焊块电性接合,而该些金属柱系位于靠近该晶片的一端,而该些焊块系位于靠近该基板的一端;以及一填充材料,位于该晶片与该基板间,并且包覆该些凸块。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶构装,其中该金属柱与该焊块间还具有一过渡体。3.如申请专利范围第2项所述之覆晶构装,其中该过渡体的截面积大于该金属柱的截面积。4.如申请专利范围第2项所述之覆晶构装,其中该过渡体的材质包括镍,且该过渡体在靠近该金属柱之表面的边缘暴露出具有一氧化镍层。5.如申请专利范围第2项所述之覆晶构装,其中该过渡体具有对应之二表面,该过渡体其中一表面之金属材质要能够与该焊块互溶,而该过渡体另外一表面之金属材质系不易与该焊块产生互溶。6.如申请专利范围第1项所述之覆晶构装,其中该覆晶构装还包括至少一支撑构件,位于该晶片与该基板之间,系用以支撑该晶片于该基板上。7.如申请专利范围第1项所述之覆晶构装,其中该填充材料还包覆该些接点。8.如申请专利范围第1项所述之覆晶构装,其中该开口系环绕于该晶片置放区域边缘的位置。9.如申请专利范围第8所述之覆晶构装,其中该覆晶构装还包括至少一支撑构件,位于该晶片置放区域中间的位置。10.如申请专利范围第1项所述之覆晶构装,其中该基板具有二该开口,系位于该晶片置放区域对应之两侧的边缘位置。11.如申请专利范围第10项所述之覆晶构装,其中该覆晶构装还包括至少一支撑构件,位于该晶片中间的位置。12.如申请专利范围第1项所述之覆晶构装,其中该开口系位于该晶片置放区域中间的位置。13.如申请专利范围第12项所述之覆晶构装,其中该覆晶构装还包括至少一支撑构件,位于该晶片边缘的位置。14.如申请专利范围第1项所述之覆晶构装,其中该基板具有二该开口,系双排排列于该晶片置放区域中间的位置。15.如申请专利范围第14项所述之覆晶构装,其中该覆晶构装还包括至少一支撑构件,位于该晶片边缘的位置。16.一种覆晶构装,至少包括:一晶片,具有一主动表面,在该主动表面之表层具有复数个焊垫;一基板,具有一基板表面,而该基板表面还具有一焊罩层及复数个接点,该焊罩层具有至少一开口,而该开口暴露出复数个该些接点;以及复数个凸块,该些凸块位于该晶片之该些焊垫与该基板之该些接点间。17.如申请专利范围第16项所述之覆晶构装,其中每一该些凸块具有一金属柱及一焊块,而每一该些金属柱分别与每一该些焊块电性接合,而该些金属柱系位于靠近该晶片的一端,而该些焊块系位于靠近该基板的一端。18.如申请专利范围第17项所述之覆晶构装,其中该金属柱与该焊块间还具有一过渡体。19.如申请专利范围第17项所述之覆晶构装,其中该过渡体的截面积大于该金属柱的截面积。20.如申请专利范围第17项所述之覆晶构装,其中该过渡体的材质包括镍,且该过渡体在靠近该金属柱之表面的边缘暴露出具有一氧化镍层。21.如申请专利范围第17项所述之覆晶构装,其中该过渡体具有对应之二表面,该过渡体其中一表面之金属材质要能够与该焊块互溶,而该过渡体另外一表面之金属材质系不易与该焊块产生互溶。22.如申请专利范围第17项所述之覆晶构装,其中该基板具有一晶片置放区域,该晶片置放于该基板之该晶片置放区域上,并且该开口位于该晶片置放区域内。23.如申请专利范围第16项所述之覆晶构装,其中该覆晶构装还包括至少一支撑构件,位于该晶片与该基板之间,系用以支撑该晶片于该基板上。24.如申请专利范围第16项所述之覆晶构装,其中该开口系环绕于该晶片置放区域边缘的位置。25.如申请专利范围第24项所述之覆晶构装,其中该覆晶构装还包括至少一支撑构件,位于该晶片中间的位置。26.如申请专利范围第16项所述之覆晶构装,其中该覆晶构装具有二该开口,系位于该晶片置放区域对应之两侧的边缘位置。27.如申请专利范围第26项所述之覆晶构装,其中该覆晶构装还包括至少一支撑构件,位于该晶片中间的位置。28.如申请专利范围第16项所述之覆晶构装,其中该开口系位于该晶片置放区域中间的位置。29.如申请专利范围第28项所述之覆晶构装,其中该覆晶构装还包括至少一支撑构件,位于该晶片置放区域边缘的位置。30.如申请专利范围第16项所述之覆晶构装,其中该覆晶构装具有二该开口,系双排排列于该晶片置放区域中间的位置。31.如申请专利范围第30项所述之覆晶构装,其中该覆晶构装还包括至少一支撑构件,位于该晶片边缘的位置。32.一种基板,具有一基板表面,该基板表面具有一晶片置放区域,该基板表面还具有一焊罩层及复数个接点,该焊罩层具有至少一开口,而该些接点位于该焊罩层之该开口的区域,同时该些接点暴露于外,且该开口位于该晶片置放区域内。33.如申请专利范围第32项所述之基板,其中该开口系环绕于该晶片置放区域边缘的位置。34.如申请专利范围第32项所述之基板,其中该覆晶构装具有二该开口,系位于该晶片置放区域对应之两侧的边缘位置。35.如申请专利范围第32项所述之基板,其中该开口系位于该晶片置放区域中间的位置。36.如申请专利范围第32项所述之基板,其中该覆晶构装具有二该开口,系双排排列于该晶片置放区域中间的位置。图式简单说明:第1图绘示绘示习知迷你球格阵列构装之剖面示意图。第2图绘示习知覆晶构装之剖面示意图。第3图至第9图绘示依照本发明一较佳实施例的一种覆晶晶片制程对应于凸块部份之剖面放大示意图。第10图绘示依照本发明一较佳实施例的基板俯视示意图。第10A图绘示对应于第10图中基板之剖面线II之剖面示意图。第10B图绘示晶片上支撑构件之剖面示意图。第11图至第13图绘示依照本发明其他较佳实施例之开口位置示意图。第14图绘示依照本发明覆晶构装之剖面示意图。第15图绘示依照本发明另一较佳实施例之一种半导体晶片构装。第16图绘示依照本发明再一较佳实施例之一种半导体晶片构装。 |
