| 主权项 |
1.一种晶圆阶段晶片尺度封装方法,至少包含以下步骤:提供一晶圆,该晶圆含有复数个晶片,且晶片已完成积体电路制程至护层形成,并裸露输出入垫以呈待封装阶段;形成一金属层于该晶圆之护层上;形成一乾光阻膜图案层于该金属层上,该乾光阻膜图案层具有裸露切割道及锡球连接之预定位置之开口;形成一液体光阻层以填补该乾光阻膜图案层之开口;施以微影制程以使该锡球连接之预定位置再次裸露;施以电镀制程,用以在锡球连接之顶定位置沉积一导体层;去除该乾光阻膜图案;微影及蚀刻该金属层以形成金属导线层;形成封装材料层于该晶圆上;回蚀刻至露出该导体层;去除该液体光阻层以裸露该切割道位置;蚀刻该切割道位置上的金属层;及将锡球连接于该导体层上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之液体光阻层和该乾光阻膜具有不同的微影及剥除条件。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之微影及蚀刻该金属层以形成金属导线层步骤至少包含:形成一乾光阻膜图案以定义导线图案;蚀刻裸露之金属层;及去除该乾光阻膜图案。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导体层系选自金、铜、及镍其中一种或其组合。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之形成封装材料层于该晶圆上步骤,系以网板印刷方式将封装材料层覆盖在该晶圆上。图式简单说明:图一显示依据传统阶段晶片大小封装方法,封装材料层系整片晶圆都被覆盖。图二显示依据本发明之方法,形成一金属层于晶圆之护层上的截面示意图。图三显示依据本发明之方法,形成一乾光阻膜图案层于金属层上的截面示意图。图四显示依据本发明之方法,形成一液态光阻图案于乾光阻膜图案层开口,再显影以留下锡球座位置开口之横截面示意图。图五显示依据本发明之方法,在锡球座位置开口镀上金和镍之横截面示意图。图六显示依据本发明之方法,去除乾光阻膜图案层的横截面示意图。图七显示依据本发明之方法,形成引线后的横截面示意图。图八显示依据本发明之方法,印刷上封装材料后再去除液态光阻图案后以裸露切割道的横截面示意图。图九显示依据本发明之方法,先蚀刻切割道的金属层后,再接上锡球的横截面示意图。 |
