| 主权项 |
1.一种形成浅沟渠隔离的方法,适用于一基底上,该方法包括:在该基底上形成一硬罩幕;图案化及蚀刻出一开口,该开口经过该硬罩幕至该基底,该开口具有一侧壁;在该开口之侧壁上形成一侧壁间隙壁;使用该侧壁间隙壁及该硬罩幕做为一罩幕,在该基底中形成一沟渠;沿着该沟渠之壁上形成衬氧化层;在该衬氧化层上且在该沟渠中形成一化学气相沉积氧化层用作隔绝;以及去除该硬罩幕。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该侧壁间隙壁系由二氧化矽所形成。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该硬罩幕层包括二氧化矽层与介电层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该介电层为氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该化学气相沉积氧化层系由化学气相沉积法形成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包括在该侧壁间隙壁及该硬罩幕之间形成氮化矽层之步骤。7.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该二氧化矽层系藉由稀释氢氟酸溶液与缓冲氧化物蚀刻溶液两者之一去除。8.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该介电层系藉由磷酸溶液去除。9.一种形成浅沟渠隔离的方法,适用于一基底上,该方法包括:在该基底上形成一硬罩幕;图案化及蚀刻出一开口,该开口经过该硬罩幕至该基底,该开口具有一侧壁;在该硬罩幕及该开口上覆盖一薄氮化矽层;在该开口之侧壁暨该薄氮化矽层上形成一侧壁间隙壁;使用该侧壁间隙壁及该硬罩幕做为一罩幕,在该基底中形成一沟渠;沿着该沟渠之壁上形成衬氧化层;在该衬氧化层上且在该沟渠中形成一化学气相沉积氧化层用作隔绝;以及去除该硬罩幕。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该侧壁间隙壁系由二氧化矽形成。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该硬罩幕包括二氧化矽层及介电层。12.如申请专利范围11项所述之方法,其中该介电层为氮化矽。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该化学气相沉积氧化层系由化学气相沉积法形成。图式简单说明:第1图至第2图是绘示习知一种浅沟渠隔离技术之半导体基底的剖面图;第3图至第9图是绘示本发明之较佳实施例的半导体基底的剖面图;第10图是绘示对不准无边缘接触窗之半导体基底的剖面图;以及第11图至第13图是绘示本发明可替换之实施例的半导体基底的剖面图。 |
